分析方法和分析装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开的分析装置，包括：第一处理部，其通过照射紫外线，除去在基板上形成的覆盖膜；第二处理部，其向基板的表面供给溶解液，使基板上的分析对象物质溶解；和第三处理部，其对第二工序中使用的溶解液中的分析对象物质进行分析。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是涉及对基板上的分析对象物质进行分析的分析方法和分 析装置。
技术介绍
近年来，半导体装置的高性能化不断进展，半导体装置的制造工序中的污染(contamination)的管理就显得尤为重要。例如，在半导体 制造中，如果Si基板受到金属元素的污染，就有可能导致在Si基板上 形成的装置不能得到所希望的性能，还有可能导致半导体装置制造的 成品率下降。例如，作为检测Si基板上由金属引起的污染的方法，己知在Si 基板上滴加HF等能够溶解金属的溶解液使金属溶解，然后利用电感耦 合等离子体质量分析法(ICP-MS)等对该溶解液进行分析的方法。图1A 图lD示意性地表示对Si基板上的金属污染进行分析时的 分析方法。图lA表示作为分析对象的Si基板1。在图1B所示的工序 图中，在Si基板l上，滴加例如含有HF的溶解液2。接着，在图1C 图1D所示的工序中，使滴下并成为球状液滴的溶解液2在基板1上掠 过，溶解基板l上的金属。然后，回收溶解有金属等污染物质的溶解液2，例如采用ICP-MS 等方法进行分析，由此能够对Si基板1上的金属污染进行定性或定量 的分析。专利文献1:日本专利申请公开平8-233709号公报
技术实现思路
但是，例如在作为分析对象的Si基板上形成有覆盖膜的情况下， 有时难以适用上述分析方法。图2A示意性地表示作为分析对象的Si基板1和在Si基板1上形成的覆盖膜3。如图2A所示，例如，如果以覆盖Si基板l表面的方式 形成有覆盖膜3，则难以利用溶解液溶解Si基板1上的金属。例如，在使用碳氟化合物类气体(CF4、 CHF3等)的等离子体蚀 刻工序中，有时在基板上形成碳氟化合物类的覆盖膜。这种碳氟化合 物类的覆盖膜具有不容易被HF类的溶解液(或HF蒸气)溶解的特征。因此，有时难以在等离子体蚀刻装置的基板处理中分析基板的污染状 况。此外，由于含有氧原子的碳氟化合物类的覆盖膜表面的防液性比 Si表面小(亲液性大)，所以，如图2B所示，在滴加溶解液的情况下， 存在在覆盖膜表面扩展，难以使溶解液掠过的问题。并且，在除去上述覆盖膜的情况下，例如，如果进行基板的等离 子体蚀刻或溅射等处理，则可能会出现由于等离子体蚀刻或溅射而导 致污染物质飞散的情况。而且，还存在产生新的污染物质的忧虑，存 在难以良好地确保分析精度的问题。因此，本专利技术的目的在于，提供能够解决上述问题的新颖且有用 的分析方法、以及实施该分析方法的分析装置。本专利技术的具体目的在于，提供在基板上的分析对象物质被覆盖膜 所覆盖的情况下，能够以良好的精度对基板上存在的分析对象物质进 行分析的分析方法，以及实施该分析方法的分析装置。为了实现上述目的，本专利技术的第一方面提供一种分析方法，其包 括第一工序，通过照射紫外线，除去在基板上形成的覆盖膜；第二 工序，向该基板的表面供给溶解液，使基板上的分析对象物质溶解； 和第三工序，对第二工序中使用的溶解液中的上述分析对象物质进行 分析。本专利技术的第二方面提供一种分析方法，其为第一方面的分析方法， 上述覆盖膜是碳氟化合物类的膜。本专利技术的第三方面提供一种分析方法，其为第二方面的分析方法， 第一工序在含有氧的气氛中进行。本专利技术的第四方面提供一种分析方法，其为第三方面的分析方法， 还包括通过在含有氢的气氛中向基板上照射紫外线而除去第一工序中 形成的化合物的另一除去工序。本专利技术的第五方面提供一种分析方法，其为第四方面的分析方法， 第一工序与另一除去工序交替反复实施。本专利技术的第六方面提供一种分析方法，其为第一至第五方面中的 任一种分析方法，上述分析对象物质含有金属。本专利技术的第七方面提供一种分析方法，其为第七方面的分析方法， 上述第三工序的分析利用电感耦合等离子体质量分析法、电感耦合等 离子体原子发光分析法和原子吸光分析法中的任一种进行。本专利技术的第八方面提供一种分析方法，其为第一至第七方面中的 任一种分析方法，上述基板是Si基板。本专利技术的第九方面提供一种分析方法，其为第八方面的分析方法， 还包括除去在Si基板上形成的氧化膜的工序。本专利技术的第十方面提供一种分析方法，其为第一至第九方面中的 任一种分析方法，还包括在照射紫外线之后，对基板进行加热的加热 工序。本专利技术的第十一方面提供一种分析装置，其包括第一处理部， 其通过照射紫外线，除去在基板上形成的覆盖膜；第二处理部，其向 该基板的表面供给溶解液，使基板上的分析对象物质溶解；和第三处 理部，其对第二处理部中使用的溶解液中的分析对象物质进行分析。本专利技术的第十二方面提供一种分析装置，其为第十一方面的分析 装置，包括在照射紫外线之后，对基板进行加热的加热机构。 专利技术效果根据本专利技术，能够提供在基板上的分析对象物质被覆盖膜所覆盖 的情况下，能够以良好的精度对基板表面存在的分析对象物质进行分 析的分析方法，以及实施该分析方法的分析装置。附图说明图1A是表示现有的分析方法的一个工序的图。 图1B是表示现有的分析方法的另一个工序的图。 图1C是表示现有的分析方法的又一个工序的图。 图1D是表示现有的分析方法的另外又一个工序的图。 图2A是表示现有的分析方法的问题的一例的图。图2B是表示现有的分析方法的问题的另 一例的图。图3是表示实施例1的分析方法的流程图。图4A是表示实施例1的分析方法的一个工序的图。图4B是表示实施例1的分析方法的另一个工序的图。图4C是表示实施例1的分析方法的又一个工序的图。图4D是表示实施例1的分析方法的另外又一个工序的图。图5是表示图3的一个变形例的图。图6是表示图3的另一个变形例的图。图7A是表示基板表面的XPS分析结果的一例的图。图7B是表示基板表面的XPS分析结果的另一例的图。图8A是表示基板表面的XPS分析结果的又一例的图。图8B是表示基板表面的XPS分析结果的另外又一例的图。图9A是除去覆盖膜前的基板的截面TEM照片。图9B是除去覆盖膜后的基板的截面TEM照片。图10是表示实施例2的分析装置的图。符号说明100:基板；101:覆盖膜；102:气氛；103:紫外线；104:溶解 液；200:分析装置；201:端口 (port); 202:基板搬送室；203: UV 处理部；204:自然氧化膜除去处理部；205:分析对象物溶解处理部； 206:溶解液保持部；207:溶解液导入部；208:分析处理部。具体实施方式本专利技术一个实施方式的分析方法，包括l)通过照射紫外线，除 去在基板上形成的覆盖膜的第一工序；2)向基板表面供给溶解液，使 上述基板上的分析对象物质溶解的第二工序；3)对上述第二工序中使 用的上述溶解液中的上述分析对象物质进行分析的第三工序。在对基板上的金属等分析对象物质进行分析时，在分析对象物质 例如被碳氟化合物类覆盖膜(由含有C元素、F元素，且具有C-C键、 C-F键等的材料构成的覆盖膜)所覆盖的情况下，有时分析对象物质难 以被溶解液溶解。因此，在本专利技术的实施方式中，通过照射紫外线除去覆盖膜，能够使分析对象物质被溶解液溶解。而且，通过照射紫外线除去覆盖膜，与例如蚀刻或溅射等方法相 比，分析对象物质飞散的担忧少，而且由于反应缓慢，所以生成新的 污染物质的担忧也少。因此，能够以良好的精度对分析对象物质进行 分析。例如，通过照射紫外线，能够起到分解构成碳氟化合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分析方法，其特征在于，包括：　第一工序，通过照射紫外线，除去在基板上形成的覆盖膜；　第二工序，向所述基板的表面供给溶解液，使所述基板上的分析对象物质溶解；和　第三工序，对所述第二工序中使用的所述溶解液中的所述分析对象物质进行分析。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：土桥和也，川村茂，继田浩平，林辉幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]