本发明提供一种防止移动臂机构受到热损伤，并且有效地进行被处理体的移载操作的被处理体的处理系统。从被处理体（Ｗ）的收容箱（６）取出被处理体进行热处理的处理系统（２）包括：立式的处理单元（２４）；在处理单元的下方设置的被处理体移载区域（１０...

本发明提供一种不会发生因热的影响导致发光量下降而引起的光能效率低这样的问题，从而能够保持稳定的性能的退火装置。其具有收纳晶片Ｗ的处理室１；面对晶片Ｗ的面而设置的、具有向晶片Ｗ照射光的多个ＬＥＤ３３的加热源１７ａ、１７ｂ；与加热源１７ａ、...

本发明提供一种探测装置以及探测方法，能够使装置小型化并实现高生产率。在晶片卡盘和探针卡之间的高度位置能够沿水平方向移动的校准桥上设置有各自的光轴相互分离并且用于对晶片表面进行摄像的视野向下的晶片摄像用的微型照相机（７１、７２），所以，能...

本发明提供一种闸阀及使用该闸阀的基板处理装置，其能够在没有致动器的工作力的情况下，将阀体保持在按压于基板搬出搬入口的状态。闸阀（２００）构成为通过凸轮机构（２６０）使阀体（２１０）进退来开闭基板搬出搬入口（１１２）。凸轮机构例如具有：在...

提供不产生被处理体的位置偏移，可迅速平稳地将收纳容器体内气氛置换为惰性气体的被处理体导入口机构和处理系统。其包括用于分隔容器体搬送区域（３４）和被处理体移放区域（３６）之间并具有开口闸门（５２）的分壁壁３８和放置收纳被处理体（Ｗ）的收纳...

本发明涉及一种多晶硅膜的形成方法，用于形成掺杂有磷或硼的多晶硅膜，该方法的特征在于，具有下述工序：将被处理基板配置在反应容器内，一边在减压气氛下对被处理基板进行加热，一边向上述反应容器内导入硅成膜用气体、用于向膜中掺杂磷或硼的气体、和含...

一种基板处理方法，该基板处理方法是形成有绝缘膜和金属层的被处理基板的基板处理方法，其特征在于，包括：　向所述被处理基板上供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐并且与此同时对所述被处理基板进行加热的处理工序。

本发明提供一种基板处理方法和装置、半导体装置的制造方法和存储介质，基板处理装置（１００）包括：保持被处理基板（Ｗ）并且对该被处理基板（Ｗ）进行加热的保持台（１０３）；在内部配备所述保持台（１０３）的处理容器（１０１）；和向所述处理容器（...

本发明描述了用于去除光刻胶和在刻蚀工艺期间形成的刻蚀残余物的刻蚀后处理系统。例如，刻蚀残余物可以包括含卤素材料。刻蚀后处理系统包括真空室、耦合到真空室的自由基产生系统、耦合到自由基参数系统并被配置来将反应自由基分配在衬底上方的自由基气体...

本发明提供一种输送系统的输送位置对准方法，不管输送系统的构成组件的安装情况，都能高效率地进行精度很高的输送位置对准。其进行以下工序：求出通过输送路径（Ｘ２３、Ｘ２４）在定向器（３２０）和第２处理室（２２０Ｂ）之间输送虚设晶圆（Ｗｄ）时的...

本发明提供与现有技术比较，能够减少由气体供给装置产生金属杂质的可能性，实现提高生产率的气体供给装置，半导体制造装置和气体供给装置用部件。气体供给装置１的连接用座体２２由耐腐蚀性座体部件２２ａ和金属制座体部件２２ｂ构成，其中耐腐蚀性座体部...

本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器（２４）内利用等离子体使金属靶（７０）离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载...

本发明涉及半导体处理用的成膜装置，其包括：具有按照在反应室内支承被处理基板的方式设定的多个支承层的支承部件；包括将成膜气体供给反应室的气体分散喷嘴的成膜气体供给系统；供给对附着在反应室内的副生成物膜进行蚀刻的清洁气体的清洁气体供给系统；...

一种用于处理电介质膜的方法和系统，包括将电介质膜的至少一个表面暴露于含Ｃ↓［ｘ］Ｈ↓［ｙ］材料，其中ｘ和ｙ分别是大于或者等于１的整数。电介质膜可以包括具有或者没有孔的低介电常数膜，其具有在干法刻蚀处理之后形成在其中的刻蚀构件。作为刻蚀处...

本发明提供一种被处理体的移载机构、移载方法及其处理系统。被处理体移载机构（７６）可相对于具有圆环状的载置台（８６）的被处理体舟（４０）移载被处理体Ｗ，移载机构（７６）具有在载置被处理体（Ｗ）的状态下，可前进和后退的叉主体（７８）；设在叉...

一种对多个被处理基板一起进行等离子体处理的半导体处理用的立式等离子体处理装置包括使处理气体的至少一部分等离子体化的激励机构。激励机构包括夹着等离子体发生区域相对地配置在等离子体生成箱上的第一和第二电极；和向所述第一和第二电极供给等离子体...

本发明提供一种用于在反应室内从第一喷嘴供给成膜反应性气体而在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，在上述反应室内没有收纳上述被处理基板的状态下，依次进行：一边向上述反应室内供给对上述副生成物膜进行蚀刻的清洁反应性气体并...

本发明提供一种处理装置及处理方法，该处理装置（４０）具有：在内部设有用于载置被处理体的载置台的处理容器（４２）、具有用于排出处理容器（４２）内的气体介质的真空泵（７０、７２）与压力控制阀（６８）的排气系统（６４）、具有设于处理容器（４２...

本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，当氮化处理基板表面时，在等离子体产生部和基板之间配置具有开口部的隔板，将基板表面的气体流速控制为１ｅ－２（ｍ.ｓｅｃ↑［－１］）～１ｅ＋１（ｍ.ｓｅｃ↑［－１］），并将基板表面的...

本发明提供一种半导体制造装置、半导体装置的制造方法、存储介质和计算机程序，其利用沿绝缘膜的凹部成膜的铜和添加金属例如Ｍｎ的合金层形成阻挡膜和铜膜，之后在埋入铜配线时，能够降低铜膜中的Ｍｎ的量，抑制配线电阻的上升。在对晶片载体进行晶片的交...