本发明提供一种半导体装置，其包括：基板，形成于上述基板上的、由添加了氟的碳膜构成的绝缘膜，埋入到上述绝缘膜内的铜布线，及形成于上述绝缘膜与上述铜布线之间的阻挡膜。上述阻挡膜具有第１膜和第２膜；该第１膜由用于抑制氟扩散的钛构成；该第２膜形...

本发明提供一种喷淋板、和使用它的等离子体处理装置及处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板不需要盖板。该喷淋板（１０５）配置在等离子体处理装置的处理室（１０２）中，为了在处理室（１０２）中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，将喷淋...

本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统（１００）具有主搬送线（２０）和副搬送线（３０），该主搬送线（２０）是在系统的整体中进行晶片的搬送以及与各处理部的衬底交接的第一自动衬底搬送线，该副搬送线（３０）是进行在光刻处理部（１...

在成膜方法中，首先向能够抽真空的处理容器内搬送被处理体。向处理容器内至少供给含有过渡金属的含过渡金属原料气体和还原气体，加热被处理体。然后通过热处理在被处理体的表面凹部上形成薄膜。由此能够用铜膜填埋被处理体的表面凹部。

本发明提供一种能够在短时间内更换在处理容器内配置的能够更换的处理容器内部件的基板处理装置。基板处理装置（１）包括收容基板（Ｇ）的腔室（２）、在配置在腔室（２）内的载置台（３）的基材（３ａ）上面设置的能够更换的载置板（３ｂ）、用于在腔室（...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序，其能够形成具有２０以上的高深宽比的贯通孔或孔形状，并且能够抑制保龄球形形状，能够获得良好的蚀刻形状。该等离子体蚀刻方法使至少包含Ｃ↓［４］Ｆ↓［６］气体和Ｃ↓［６］Ｆ↓［６］气...

可以在边考虑多个处理室的相互关系边进行维护时在显示面板中显示便利性非常高的维护画面。由于在第二显示区域（３１２）中将任务按钮以与各任务按钮被点击的时间顺序对应的顺序从左侧起并排地显示，因此可以在进行维护时在触摸面板（３００）上显示便利性...

本发明提供一种成膜方法，在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜，该成膜方法包括：向处理容器内连续地供给惰性气体的工序；和在惰性气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序；在金属源气体的间歇的供给工序中...

本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统（１００）具有主搬送线（２０）和副搬送线（３０），该主搬送线（２０）在系统的整体中进行晶片（Ｗ）的搬送，该副搬送线（３０）进行光刻处理部（１ａ）内的晶片（Ｗ）的搬送。在光刻处理部（１ａ...

在将基板配置在处理容器内，向上述处理容器导入具有Ｔａ＝Ｎ键的有机Ｔａ化合物气体、含Ｓｉ气体和含Ｎ气体，通过ＣＶＤ形成ＴａＳｉＮ膜时，通过控制处理容器内含Ｓｉ气体的分压、处理容器内的总压、成膜温度和含Ｎ气体分压中的至少一个，控制膜中Ｓｉ的...

描述一种用于去除氧化物材料的干式非等离子体处理系统和方法。处理系统被构造成在受到的控制的状况（包括表面温度和气体压力）下提供对一个或者多个衬底的化学处理，其中每个衬底暴露于包括ＨＦ和可选地的ＮＨ↓［３］的气态化学物。此外，处理系统被构造...

本发明提供一种图案形成方法和半导体制造装置，利用等离子体蚀刻在基板上的膜上形成平行的线状的图案，并且能够实现上述图案的细微化。以在第一层上形成的原始图案作为基点，在第二层上形成的掩模图案上形成薄膜，并利用等离子体进行各向异性蚀刻，在以夹...

本发明涉及真空装置、真空处理系统以及真空室的压力控制方法。在真空室中的闸阀的动作用空气的供给不足的情况下，也能防止闸阀急剧开放。在压力控制机构（２０１）中，在停止向汽缸（１２３）供给空气时，切换机械阀（１２１）的端口，气动阀（１１３）开...

一种成膜装置，包括：调节反应容器内的压力的压力调节装置（１４）；对反应容器内进行加热的加热装置（３）；向反应容器内供给氧气的气体供给装置（４，５）；以及具有程序和根据此程序来控制各装置的装置（６）的控制部，该程序是为了清洗附着有钌膜或氧...

本实用新型涉及流体控制装置和热处理装置。在现有的气体供应系统中，由于气体管路有转换阀、过滤器、压力调节器及压力传感器而不能充分实现系统小型化。为此提出一种流体控制装置，它有包括设有流量控制器的第一区域、在第一区域上游的且有压力调节机构和...

一种纵向热处理装置，在开闭纵向热处理炉的炉口的可升降盖体上，设置了使装载有多个被处理基片的保持件旋转的旋转机构，其中，　　　　前述旋转机构包括：旋转轴；经由轴承和密封构件可旋转地支撑前述旋转轴的支撑部；前述旋转轴以形成薄壁的中空结构且使...

一种半导体处理设备中的出入口结构，　　　　其特征在于，具有：　　　　隔板，设置在上述设备的外部区域和内部区域之间，具有使上述被处理晶片通过的出入口；　　　　门，布置在上述隔板的出入口；　　　　放置部，设置在上述外部区域内靠近上述出入口，...

一种对多个被处理基片一同施以热处理所用的纵向型热处理装置，其具备：　　　　收存上述被处理基片的密封处理室，上述处理室在底座部分具有装载口；　　　　有选择地对上述处理室的上述装载口进行开放及封闭的盖子；　　　　在上述处理室内在相互留出间隔...

一种热处理用的器皿，其特征在于，它具有下列各部分：　　　　许多根支柱；　　　　在上述各支柱上沿着高度方向隔开规定的间隔形成的许多爪部；　　　　通过上述爪部，多级地安装在上述许多根支柱间的具有能装载被处理物体的装载面的许多支承板；　　　　...

一种热处理装置，包括： 处理容器； 容纳在处理容器内的、高度方向上留有预定间隔地将多个被处理体保持在成水平状态的被处理体保持件； 设置在处理容器外部的加热组件； 设置在处理容器内的用于温度补偿的温度检测器； ...