一种联锁系统可以在半导体制造装置的控制系统中立即确定具有不正常情况的控制器，其中控制器通过网络连接。控制系统包括至少一个装置控制器和操纵装置控制器的设备控制器，该装置控制器控制含有至少一个进行半导体制造工艺的处理室的处理系统和将待处理物...

本发明提供一种彻底清洗等离子加工装置中待清洗元件表面上的沉积物的方法，不会有任何已经在待清洗元件表面上形成的阳极涂层或喷雾涂层的损伤。这种清洗方法包括浸入有机溶剂（例如丙酮）的化学清洗步骤（ａ）；接着吹入压缩空气，以便去除已经由化学处理...

一种基片处理装置，具有处理容器、在所述处理容器中设置为夹着被处理基片而对置的第１及第２处理气体供给口、设置为与第１及第２处理气体流大略正交的切口状的第１及第２排气口。所述的第１及第２排气口在所述第１及第２处理气体供给口处，夹着所述被处理...

一种形成氮化硅膜的方法包括用具有有机硅氮烷键的有机Ｓｉ化合物作为气体源的ＣＶＤ工艺。该ＣＶＤ工艺是在有机Ｓｉ源中的有机硅氮烷键保持在氮化硅膜中的条件下进行的。

从共用的溶剂蒸汽（水蒸汽）供应源４１和处理气体（臭氧气体）供应源４２中向多个处理容器３０Ａ、３０Ｂ供应臭氧气体和水蒸汽。通过调节分别设置在与各处理容器连接的排出管路８０Ａ、８０Ｂ中的可调节流阀５０Ａ、５０Ｂ的开启度，控制处理容器内的压力。

清洗处理装置１具备：装载以一定间距（半间距）收容多个晶片Ｗ的环箍Ｆ的环箍搬入搬出部、以正常间距的一半间距（半间距）可大致平行保持多个晶片Ｗ的转动器３４、在环箍与转动器３４之间搬送晶片Ｗ的晶片搬送装置１１和晶片姿势变换装置２０ａ.２０ｂ以...

本发明的运转监视方法，对预先成为基准的多个晶片（Ｗ）用检测器分别检测多个运转数据，用这些运转数据通过控制装置（１０）进行主因素分析。而且，用由运转数据产生的主因素分析结果，评价等离子体处理装置（１）的运转状态。

还没有常规方法可以不用打开处理室而预测消耗品的消耗程度和沉积膜的厚度。本发明提供一种用于预测等离子体处理装置（１０）中的消耗品的消耗程度和沉积膜厚度的方法，该处理装置（１０）利用等离子体对晶片Ｗ进行规定的处理，等离子体是通过施加高频电源...

公开了从半导体基底上去除光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物的一种方法。将表面上有光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物的半导体基底放到压力室内。然后给压力室加压。将超临界二氧化碳和剥离剂化学药品导入压力室。超临界二氧化碳和剥离剂化学药品保持与光致抗蚀剂...

处理方法以及处理装置，本发明提供一种处理方法和处理装置，准备设定成先处理的基板（Ｇ）的处理条件的作为第１处理部的热处理单元（７０ａ～７０ｃ），和设定成后处理的基板（Ｇ）的处理条件的至少一个作为第２处理部的辅助热处理单元（７０ｓ），在将先...

一种基板处理方法，通过交付机构以每个既定循环时间的定时将基板一个一个地从盒子部交付给处理部，上述盒子部具有容纳构成批量的多个基板的盒子，上述处理部包含多个液体处理部件和基板传送机构，通过上述基板传送机构沿上述处理部的循环路径顺序地（ｉｎ...

本发明提供一种硅高速腐蚀方法，与可保持真空的处理室内的处理空间接触，来设置具有硅区域的被处理对象Ｗ，在该处理空间内导入腐蚀气体，产生气压为１３～１３３３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ～１０Ｔｏｒｒ）的气体环境，通过施加高频电力产生等离子。在该等...

本发明可以得到具有耐等离子体性高、可抑制异常放电的排气环的等离子体处理装置。处理室（１００）包含配置上部电极（１１２）的顶板部（１１０），和配置可载置与上部电极（１１２）对置配置的下部电极（１２２）的容器部（１２０）。在下部电极（１２２...

一种基板处理装置，具有转动以适当间隔平行排列的多个基板的转子，一边通过上述转子转动基板，一边处理基板，其特征在于： 上述转子具有至少１个保持上述平行排列的多个基板边缘的保持部件和至少１个对上述基板的边缘提供并保持按压力的按压部件，...

一种基板搬运装置，具有夹着水平搬运路径大体对称地对向配置的一对基板搬运部，借助于这一对基板搬运部大体水平地保持矩形基板并沿着所述水平搬运路径搬运，其特征是， 所述基板搬运部具备： 具有形状与矩形基板的周缘形状对应的２根搬运臂...

使装置的维修更加容易，能够延长维修周期，提高产出率。处理室（２）和预真空室（３）由在壁上形成的搬送口（２０）连接。在搬送口（２０）的内壁，设置有由多个部件构成的、自由装卸的闸门衬套（１００）。在进行搬送口内壁的维修时，能够只把闸门衬套（...

一种基板处理装置，它装备有具有保持基板周边的保持构件的转子，使用该转子转动处理上述基板，其特征在于， 上述保持构件中的任何一个上具有给上述基板的周边施加挤压力的挤压装置， 上述挤压装置具有抵接基板周边的抵接部分并使该抵接部分...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在上部电极２１和下部电极５之间产生蚀刻气体和稀释气体的等离子体，通过该等离子体中的离子和中性粒子的电荷交换反应，使中性粒子电离化，入射至半导体晶片Ｗ，对该晶片进行蚀刻。此时，为了提高等离子体的均匀性，根据...

一种基片处理装置，它具有：处理空间，设有用于支承被处理基片的支承台；氢催化部件，与所述被处理基片正对着设置在所述处理空间中，用于将氢分子分解成氢基Ｈ＃＋［＊］；气体供给口，设置在所述处理空间内、相对于所述氢催化部件与所述被处理基片正对的...

一种感应耦合等离子处理装置，其特征为，包含以下部件： 保持为气密的、对被处理基板施以等离子体处理的处理室； 向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统； 对所述处理室内进行排气的、使所述处理室内形成减压状态的排气系统...