一种膜处理方法，其特征在于，包括：　　　　处理工序，将电子束发射到被处理表面的膜上，以处理所述膜；　　　　电流测量工序，在所述处理工序中，在所述被处理体的附近捕捉电子束而作为电流值进行测量；　　　　检测工序，根据按时间对所述电流值积分所...

一种基板处理方法，其特征在于：包括从硅基板表面去除碳的工序、和平坦化所述去除了碳的硅基板表面的工序。

一种薄膜处理方法，包括在从多个电子束管向形成在被处理体上的膜照射电子束而调整膜厚的工序，其特征在于：在所述工序中，根据所述膜厚的分布单独控制所述多个电子束管各自的输出或照射时间。

由ＴＭＰ（２２）、干式泵（２３）构成连接到处理室（１３）的排气线路（１５）。处理室（１３）和ＴＭＰ（２２）通过第一排气管（２５）连接，而ＴＭＰ（２２）和干式泵（２３）通过第二排气管（２８）连接。测定部（２４）监视流过第二排气管（２８）的...

一种半导体处理的系统（１０）包含测定部（４０）、信息处理部（５１）以及控制部（５２）。测定部（４０）测定实施过半导体处理的被处理基板（Ｗ）上的试验对象膜的特性。信息处理部（５１）根据试验对象膜上的多个位置的由测定部（４０）测定的特性的值...

从图１（ａ）所示的状态开始，作为蚀刻气体，使用至少含有ＨＢｒ的气体，例如ＨＢｒ＋Ｃｌ↓［２］的混合气体，在第一压力下，进行主蚀刻工序。之后，如图１（ｂ）所示，在露出硅氧化膜层（１０２）之前，结束上述主蚀刻工序，使用至少含有ＨＢｒ的气体，...

一种等离子体处理容器内部件，具有基材和在其表面通过喷镀陶瓷而形成的膜，其特征在于，　　　　构成所述膜的陶瓷含有选自Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅ和Ｎｄ中的至少１种元素，其中，至少一部分由树脂进行封孔处理。

本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。在搭载半导体晶片（Ｗ）而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片（Ｗ）的周围那样设置聚焦环（６）。聚焦环（６...

在设置于蚀刻室内的一对对置电极中的一个上配置基板，对对置电极两者提供高频电功率，使用由等离子体进行蚀刻的装置，通过使用至少含有Ｃｌ↓［２］和ＨＢｒ的气体的等离子体蚀刻来进行蚀刻，通过氮化硅层（１０３）等掩膜层在附图（ａ）的硅基板（１０１...

一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶...

利用高频等离子体形成氮游离基，通过将所述氮游离基提供给包含氧的绝缘膜表面，使所述绝缘膜表面氮化。含有所述氧的绝缘膜具有０．４ｎｍ以下的膜厚，在将所述表面氮化后的绝缘膜上形成高介电体膜。所述氮游离基借助按照沿着所述绝缘膜的表面流动的方式而...

一种搬运机构，其中，具备：　　　　基座；　　　　可进退移动地配置在基座上的第１臂机构；　　　　可进退移动地配置在第１臂机构上的第２臂机构；　　　　配置在所述第１臂机构前后的一对旋转体；　　　　挂绕在该一对旋转体之间的环状带；　　　　将该...

本发明提供一种等离子体处理装置、环形部件以及等离子体处理方法，利用等离子体进行处理，当执行相互不同的多个处理时实现装置公用化，在多个装置中执行相同处理时易统一装置之间的等离子体状态，利用由绝缘材料构成的环形部件环绕处理容器内的被处理基板...

本发明的目的是比现有技术更迅速地进行基板处理装置的部件更换。本发明的处理装置是由多个构成部件构成、对基板进行规定处理的处理装置，对各构成部件分别附以识别标记，该处理装置具有：与识别标记对应地对在订购构成部件时所需要的各构成部件的部件信息...

本发明的气相生长装置具有在内部配置有基板的反应容器和第１气体导入部及第２气体导入部，其中第１气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第１气体导入管，该第１气体导入部用于将由含有机金属的气体构成的第１气体供给上述反应容器内...

在本发明中，由于相应于基板的种类进行气缸的切换，所以能够防止在基板的成品区域转印支持销的痕迹。此外，在本发明中，由于以平台为基准驱动支持销升降，所以能够使气缸的驱动量比较少，而且能够极力抑制微粒的产生。

本发明的探测器装置（２０）具有接触负荷监视装置（１０）。该接触负荷监视装置，利用配置在载置台下部空间中的位移传感器（１１），检测过度驱动时，从探测器作用载置台上的接触负荷所产生的载置台的位移量作为下沉量。将该下沉量与相关表对照。算出接触...

在使用Ｃ↓［４］Ｆ↓［８］／Ａｒ／Ｎ↓［２］系混合气体进行ＳｉＯＣ系低介电常数膜蚀刻的情况下，使Ａｒ的流量比在８０％以上。由此，可提高ＳｉＯＣ系低介电常数膜对氮化硅膜的选择比，同时，还能够减少蚀刻时产生的微沟槽。

将载置单晶片Ｗ并在内部具备加热器（２２）的加热板（２１）载置于在内部具备冷却介质室的冷却块（１６）上。在冷却块（１６）上设置贯穿其的气体导入管（３３）。气体导入管（３３）与加热板（２１）和冷却块（１６）的间隙（４１）相连，可以将作为热传...

本发明公布了切割方法、集成电路元件的检查方法、基板保持装置和粘接薄膜。将例如用紫外线减少粘接性的第一粘接薄膜（２２），展开在比晶片尺寸大的环形框架（２１）的内侧，在其上面贴附晶片（Ｗ）。将通过加热，使两面的粘接性都减小的第二粘接薄膜（４...