在晶盒站台（１０）中将多个半导体晶片（Ｗ）收容在盒（ＣＲ）中。在处理部（１８）中，将多个处理室（５４）设置为多段。在晶盒站台（１０）和处理部（１８）之间，设置用于将多个半导体晶片以多段配置的状态暂时保留放置的基板多段配置部（１４）。装载...

使用ＣＦ↓［４］＋Ｏ↓［２］气体作为蚀刻气体，通过形成由光刻胶构成的预定形状图案的掩模层１０５，利用等离子体蚀刻，对有机类防反射膜１０４进行蚀刻，据此，与以往相比，可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态。

本发明提供一种电子束处理方法，它是使用电子束来处理形成在晶片表面上的ＳＯＤ膜的方法，其中，经由甲烷气体将电子束照射在ＳＯＤ膜上。在专利文献１、２中提出的固化方法的情况下，都可以利用电子束使有机材料膜的表面层部固化来改善机械强度，但会使有...

使用Ｃｌ↓［２］＋Ｏ↓［２］气体作为蚀刻气体，通过等离子体蚀刻，对硅化钨层（１０４）进行蚀刻。在硅化钨层（１０４）的蚀刻几乎结束时，将蚀刻气体改变为Ｃｌ↓［２］＋Ｏ↓［２］＋ＮＦ↓［３］，通过等离子体蚀刻，进行过蚀刻，将在硅化钨层（１０...

蚀刻处理装置（１）具备传送腔（２），多个处理腔（３、４），多个盒腔（７、８），在传送腔（２）内设置传送机构（１４）。在传送机构（１４）的动作停止了预定时间及预定时间以上之际，控制装置（１７）关闭对设置有该传送机构的传送腔（２）进行真空排...

热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到３００℃的加热工序、和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到３００℃的反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。

通过蚀刻，形成穿过由多孔硅氧化膜构成的第二绝缘层（１３）和第三绝缘层（１４）而成为连接孔（２１）的一部分的孔。另外，采用第二阻挡膜（２０），通过蚀刻，在第三绝缘层（１４）上形成第二槽（２３）。另外，在连接孔（２１）和第二槽（２３）的侧壁...

本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片Ｗ被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介...

本发明提供一种等离子体装置，在处理容器（１１）内设置有发射高频波的平板型天线（１０３０）。平板型天线（１０３０）具有构成谐振器的导体板（１０３２）和地板（１０３１）。对平板型天线（１０３０）的导体板（１０３２）供电使被发射的高频波成为圆...

用于在设置于真空处理容器（１０２）内的平行平板电极间导入处理气体、同时施加高频电力、形成处理气体的等离子体、描画形成于被处理体（１５０）上的抗蚀剂的干式显影，被蚀刻层（１５２）上部的抗蚀剂包括已经显影的含有硅的上层抗蚀剂（１５６）和连接...

一种对被处理体进行规定热处理的热处理装置，其特征为，包括：可排气的处理容器；放置被处理体的载放台；向所述处理容器内供给气体的气体供给部件；加热所述被处理体的加热部件；根据规定的参数对所述加热部件的温度进行控制 ...

将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室（１２）内。另一方面，利用激发器（３４）激发氩等激发用气体，并导入至处理室（１２）内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板（１９）上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电...

半导体处理用的成膜方法包括：在将被处理基板（Ｗ）搬入处理室中之前，利用预涂敷被覆载置台（３２）的预涂敷工序；在预涂敷工序后，将被处理基板（Ｗ）搬入处理室（２１）中，在被处理基板（Ｗ）上形成主膜的成膜工序。预涂敷工序通过多次重复第１和第２...

以在装载锁定室（ＬＬ１、ＬＬ２）和装载器组件（ＬＭ）之间的晶片（Ｗ）的交换计时作为基准、在将晶片（Ｗ）搬入任何一个装载锁定室（ＬＬ１、ＬＬ２）中的时刻（Ｔｐ），计算直到可以将下一个晶片（Ｗ）搬入该装载锁定室（ＬＬ１、ＬＬ２）的时间（ＰＳ...

一种ｉＰＶＤ设备（２０）通过在真空室（３０）内循环执行沉积和蚀刻模式，将材料（１０）沉积到半导体基片（２１）上高形状比的亚微米结构（１１）中。这些模式工作在不同的功率和压力参数下。例如大于５０ｍＴｏｒｒ的压力用于从靶上溅射材料，而小于几...

预先对与制品用基板相同的基板以喷嘴边进行扫描边供给涂布液以形成涂布液的线，对其例如以ＣＣＤ摄像头进行摄像以求取涂布液的接触角，依据该接触角利用几何模型求取进行实际涂布时的扫描速度下的涂布液喷嘴的喷吐流量与间距容许范围二者的关系数据。并且...

处理有机硅氧烷膜的方法，包含将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板（Ｗ）搬入反应容器（１）内的工序。药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合。此外，本方法含有在反应容器（１）内对基板（Ｗ）进行热处理而烧结涂布膜的工序。热处...

本发明提供一种等离子体处理装置及其控制方法，它能够原样维持运转状态从处理室中除去附着物。在即将开始对晶片的等离子体处理之前，对下部电极施加过冲电压。通过该过冲电压，除去在下部电极的周边部附着堆积的附着物，所以可防止在等离子体刚点火后在处...

本发明提供了一种可抑制更换部件的成本增加，可降低运转成本，与先前比较，可提高温度控制性能，可以进行高精度的等离子体处理的上部电极和等离子体处理装置。设在真空腔室（１）上的上部电极（３）由电极基体（３０）、冷却块体（３１）和电极板（３２）...

本发明提供一种表面处理装置，它可降低电子束能量，同时，可使结构简单化。表面处理装置１，包括在真空室２内部大致水平地放置半导体晶片Ｗ的载置台３、设置在真空室２顶部并且对半导体晶片Ｗ照射电子束的电子束照射机构６、和设置在载置台３和电子束照射...