本发明提供一种基片处理装置及基片处理方法，在基片的表面形成氧化膜时，能够以均匀的膜厚形成比以往薄的氧化膜。作为向基片（Ｗ）供给处理液而进行处理的基片处理装置（１２），具有对所说处理液的温度进行调整的温度调整装置（１３３）、以及对接近于所...

本发明的等离子体处理装置具有：带电介质壁的处理室；和设在所述处理室内，具有载置被处理体的载置面的载置台。经所述电介质壁，在所述处理室内激起感应等离子体。设有可装卸自由地覆盖所述载置台的至少载置面的电介质部件。

在一个气体管路（１３）上设置流体控制器（１３ｇ），而且在气体管路（１３）的流量控制器（１３ｇ）的上游设置压力控制系统区域（１４）。设置有从气体管路（１３）的上游沿着与气体管路（１３）垂直的方向延伸的延长部（１５），使不同种类的处理气体（...

本发明提供一种制造工序少而效率高的半导体装置的制造方法。在具有使用双重镶嵌法的多层配线构造的半导体装置的制造方法中，实质上以第一硬质掩模膜作为掩模，除去第二层间绝缘膜，形成开口部分。进而，除去蚀刻抑制膜，然后除去第一层间绝缘膜，在第一层...

提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室（１）内，设置有载置半导体晶片Ｗ的载置台（２），以把载置到该载置台（２）上的半导体晶片Ｗ的周...

本发明提供一个允许降低花费，也允许降低发送功率的损耗的成本低的等离子体处理装置。等离子体处理装置（１）具有一个装置主体（２）和附带设备（３）。附带设备（３）包括一个给处理室（４）供应功率的供电设备（５）和多个干泵（６）和（７）等等。供电...

提供了一种防止传热气体的放电，且可高精度进行被处理体的温度控制的处理装置。在向相对设置在密封处理容器（１０２）内的一对电极中的下部电极１１０施加高频功率，并将导入到电极间的处理气体等离子体化后，对被处理体表面进行规定处理的等离子体蚀刻装...

本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在２００ｎｍ以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如ＳｉＯ↓［２］膜的孔的条痕。使Ｃ↓［４］Ｆ↓［８］气体、Ｃ↓［４］Ｆ↓［６］气体和Ｃ↓［５］Ｆ↓［８...

一种用于处理多个半导体衬底的高压处理室，该处理室包含室外壳、匣和封闭物。匣可拆卸地连接在室外壳上。该匣构成为至少容纳两个半导体衬底。封闭物连接在室外壳上。构成封闭物使得在操作中，封闭物与室外壳密封在一起，从而为半导体衬底的高压处理提供封...

一种蚀刻方法，该蚀刻方法用于在半导体晶片等的被蚀刻体（２１２）的表面，形成具有毫米数量级的开口尺寸（Ｒ）的凹部（２２０）。在该方法中，首先在被蚀刻体（２１２）的表面上形成具有与凹部（２２０）相对应的开口部分的掩模（２１４）。接着，形成有...

本发明涉及一种阀装置和热处理装置，在热处理炉（１）的排气系统（１２）的配管（１３）上安装的主阀（１８）的阀壳（２１）上，形成两条旁路（３２、３３）。各旁路（３２、３３）由安装在阀壳（２１）上的辅助阀（３０、３１）开闭。其中一个辅助阀（３...

半导体处理用的热处理装置的供给系统具有燃烧器（１２）、加热器（１３）和气体分配部（１４）。燃烧器（１２）具有配置在处理室（２１）外面的燃烧室（５９）。燃烧器（１２）使氢气和氧气在燃烧室（５９）内反应，生成水蒸气，供给处理室（２１）。加热...

本发明所要解决的问题是使掩膜层的各图案宽度一致，且将由掩膜层作掩膜的被蚀刻层蚀刻为预定的图案宽度。在第一工序中，设定处理条件使图案形成后的掩膜层（２１２）的侧壁堆积反应生成物，变宽各图案宽度，且使初始状态（ａ）中图案宽度不同的属于第一区...

本发明提供了一种可高效率地除去用等离子体处理产生的腔内的颗粒的、实用性高的颗粒除去技术。该颗粒除去装置具有包含带电用电极（７２）、和控制带电用电极（７２）的电位和电压施加定时的带电控制部分（７４）的颗粒带电控制装置。该带电用电极（７２）...

提供在将被处理体放置在托台上时通过迅速排除被处理体的里面侧的空间的气体而可抑制被处理体的错位的发生的被处理体的升降机构。在可抽真空的处理容器（２２）内设置的托台（３８）上形成多个栓穿插孔（５０）、在前述栓穿插孔上可上下移动地穿插设置上顶...

本发明提供一种防止微粒附着装置，为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上，在利用离子发生装置使微粒带电的同时，利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且，在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间，将高频...

构成处理系统的一部分的主搬送装置具有间隔成真空环境的主搬送室（４４）的壳体（４０）。在壳体（４０）上形成用于在搬送室（４４）和外部之间移送被处理体（Ｗ）的多个移送口（５２Ａ、５２Ｂ）。在搬送室（４４）内水平设置的导轨（４８）上，滑动自由...

本发明提供了一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：检测反映使用高频功率处理被处理体时的等离子体状态的等离子体反映参数的单元；设定控制所述等离子体状态用的多个控制参数的单元；存储根据所述等离子体反映参数预测所述多个控制参数和／或多个装置...

本发明涉及一种热处理用舟式容器，其特征在于具有多根支柱；在所述各支柱上，沿高度方向以规定间隔形成的多个爪部；借助所述爪部，在所述多根支柱之间呈多层安装的、具有可装载被处理体的被处理体装载面的多个支承板；设置于所述被处理体装载面上的槽和贯...

热处理装置，用来对表面形成有涂布膜的基板（Ｗ）进行热处理；具有：将基板保持成大致水平的保持部件（３４），容纳被保持在该保持部件上的基板的腔室（３０），具有透气性的、在腔室内配置在被上述保持部件保持的基板的上方以能够对形成于基板上的涂布膜...