流体控制装置和热处理装置制造方法及图纸

在一个气体管路（１３）上设置流体控制器（１３ｇ），而且在气体管路（１３）的流量控制器（１３ｇ）的上游设置压力控制系统区域（１４）。设置有从气体管路（１３）的上游沿着与气体管路（１３）垂直的方向延伸的延长部（１５），使不同种类的处理气体（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）的供给源与延长部（１５）连接。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及流体控制装置和具有该流体控制装置的热处理装置。
技术介绍
在半导体制造工序的成膜工序中，要组合使用多种气体，在半导体晶片上进行成膜。在成膜工序中，经常要切换使用多种气体(例如，H2、O2、SiH4、N2等)，或者经常要以不同的流量使用同一种气体。图10为向半导体制造装置的反应处理炉内供给多种气体的现有的气体供给系统的系统图。气体供给系统由分别供给不同气体的多个处理气体管路a～d和供给清洗气体的清洗气体管路p构成。在各个处理气体管路a～d中安装着质量流量控制器等流量控制器1。在流量控制器1的上游设置换向阀2、过滤器3、压力调整器4、压力传感器5和控制阀2a。而且，从清洗气体管路p分支出来的分支管路p’与流量控制器1的初始侧连接。在图10所示的气体供给系统中，对一种气体设置一个气体管路，而且在一个气体管路上设置一个流量控制器。即，为了供给多种气体，要使用与气体种类数目对应的数目的气体管路和流量控制器。这样，会产生气体供给系统的成本提高及占地面积增大等问题。在日本国特许公报特开2000-323464号中，公开了一种在多个气体管路a、b、c中共用一个流量控制器1的气体供给系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种流体控制装置，其特征在于：包括：　　　　气体管路，该气体管路具有配置了流量控制机构的第一区域、和位于所述第一区域的上游并且配置有压力调整机构和压力监视机构中至少之一的第二个区域；和　　　　多个连接机构，该多个连接机构设置在所述气体管路的所述第二区域的上游，可分别地连接流体供给源。

【技术特征摘要】
1.一种流体控制装置，其特征在于包括气体管路，该气体管路具有配置了流量控制机构的第一区域、和位于所述第一区域的上游并且配置有压力调整机构和压力监视机构中至少之一的第二个区域；和多个连接机构，该多个连接机构设置在所述气体管路的所述第二区域的上游，可分别地连接流体供给源。2.如权利要求1所述的流体控制装置，其特征在于所述流量控制机构是质量流量控制器或压力式流量控制器。3.如权利要求1所述的流体控制装置，其特征在于所述压力控制机构是压力调整器，所述压力监视机构为压力传感器。4.如权利要求1所述的流体控制装置，其特征在于所述气体管路具有包含所述第一和第二区域的第一部分、和从所述第一部分的上游沿着与所述第一部分垂直的方向延伸的第二部分，所述多个连接机构设置于所述第二部分。5.如权利要求1所述的流体控制装置，其特征在于所述连接机构由设置于所述气体管路上的多个三通阀构成；所述各三通阀分别具有第一、第二和第三孔；所述各三通阀的第一孔分别与流体供给源连接；相互邻接的三通阀中的上游的三通阀的第二孔，与处于下游的三通阀的第三孔连接；处于最下游的三通阀的第三孔，与所述气体管路的第二区域连接；将清洗气体供给至处于最上游的三通阀的第二孔。6.如权利要求1所述的流体控制装置，其特征在于该流体控制装置是作为集成结构部件形成的。7.一种流体控制装置，其特征在于包括多个气体管路，该多个气体管路至少在第一平面上相互平行地沿第一方向延伸，这些多个气体管路各自具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部庸之，大仓成幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]