并五苯衍生物作为半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术为一种以１，２，３，４，８，９，１０，１１－八取代并五苯衍生物作为有机半导体材料的有机场效应晶体管（以下简称ＯＦＥＴ）及其制备方法。ＯＦＥＴ结构有ＴＯＰ型和Ｂｏｔｔｏｍ两种，并五苯衍生物的取代基为卤素（Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－）。有机半导体的成膜包括并五衍生物直接成膜和通过并五衍生物先驱物间接成膜两种方式。制膜技术可采用真空蒸镀、旋涂、甩膜、铸膜、ＬＢ膜、印刷、喷墨打印等。本发明专利技术制备方法的条件比较宽松，制备的ＯＦＥＴ具有理想的场效应迁移率和电流开关比，且运行稳定性好。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种采用新型有机半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法。
技术介绍
并五苯化合物作为有机半导体被广泛应用于制备有机场效应晶体管(OFET)，该OFET的性能良好，场效应迁移率高达2.0cm2/(V.s)，且器件电流开关比高达108。不过这些结果是在近乎苛刻条件下获得，很难取得实际应用。目前以并五苯化合物为有机半导体材料的OFET存在以下问题1)高迁移率和电流开关比都是通过高成本的真空蒸镀成膜或极端条件下形成并五苯单晶膜而获得的；(Lin Y.，et al.IEEE Electron Device Lett.，1997，18606～608；Schon J.，et al.Science，2000，2871022～1023；Batlogg B.，et al.Org.Electron.，2000，157～64)；2)与并五苯相比，并五苯衍生物很少作为OFET半导体材料且场效应迁移率和电流开关比下降很多(Wudl F.，et al.Adv.Mater.，2003，151090～1093)；3)采用先驱物溶液加工有机半导体成膜仅局限于并五苯本身，且制备的OFET场效应迁移率和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机场效应管，由源极、漏极、有机半导体层、介电层、基底和栅极组成，其特征在于所述的有机半导体层材料采用１，２，３，４，８，９，１０，１１－八取代并五苯衍生物。

【技术特征摘要】
1.一种有机场效应管，由源极、漏极、有机半导体层、介电层、基底和栅极组成，其特征在于所述的有机半导体层材料采用1，2，3，4，8，9，10，11-八取代并五苯衍生物。2.根据权利要求1所述的有机场效应管，其特征在于所述的并五苯衍生物取代基为卤素。3.根据权利要求1所述的有机场效应管，其特征在于其结构有两种情况(1)按从下往上依次为基底、栅极、介电层、半导体层、源极和漏极，简称Top型；(2)按从下往上依次为基底、栅极、介电层、源极和漏极、半导体层，简称Bottom型。4.根据权利要求1所述的有机场效应管，其特征在于所述的源极和漏极材料采用金、银、铜、铝，栅极材料采用高掺杂硅和金、银、铜、铝，介电层材料采用无机和有机介电材料，基底包括玻璃和柔性衬底。5.一种如权利要求1所述的有机场效应管的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄维，刘承斌，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]