处理装置、气体放电抑制部件制造方法及图纸

提供了一种防止传热气体的放电，且可高精度进行被处理体的温度控制的处理装置。在向相对设置在密封处理容器（１０２）内的一对电极中的下部电极１１０施加高频功率，并将导入到电极间的处理气体等离子体化后，对被处理体表面进行规定处理的等离子体蚀刻装置（１００）中，该等离子体装置由传热气体供给管（１６２）和传热气体供给管用阻挡件（１６４）构成，传热气体供给管（１６２）和传热气体供给管用阻挡件（１６４）使将被处理体控制为规定温度用的传热气体供给吸附保持被处理体的静电卡盘（１１２）和被处理体间的微小空间Ｓ内的传热气体供给部（１２０）相对由供给电极的高频功率所产生的电场方向倾斜。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及处理装置，尤其涉及可抑制在被处理体背面供给用于温度控制的传热气体的传热气体供给管中的传热气体的放电的处理装置、气体放电抑制部件。
技术介绍
在半导体制造工序中，在密封处理容器内，使用了边将被处理体控制为规定温度，边在其表面进行规定处理的处理装置。图20是表示现有的处理装置的处理容器内部的示意截面图；图21是传热气体供给炉用阻挡件的示意图。如图20所示，在现有的处理装置的处理容器内，包括兼为载置作为被处理体的半导体晶片W的载置台的下部电极10。在下部电极10的上部设置吸附保持半导体晶片W的静电卡盘12。下部电极10的下部经绝缘体4与接地的部件7(例如处理容器的外壁等)相连。在静电卡盘12和半导体晶片W之间设置可供给将半导体晶片W控制为规定温度用的传热气体的微小空间(图中未示)，并从传热气体压力控制部68供给为传热气体的例如He气体。在进行处理时，向下部电极10供给高频功率，使得在半导体晶片W的上方生成等离子体50。这时，在下部电极10和部件7之间通过高频功率，产生与下部电极10和等离子体间所产生的电压相同的电压，例如电压V。通过该电压V，在传热气体供给管内加速传热气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理装置，将高频功率施加给设置在密封处理容器内的电极，并将导入到所述处理容器内的处理气体等离子体化，对被处理体的表面进行规定的处理，其特征在于：将用于控制所述被处理体为规定温度的传热气体供给到位于吸附保持所述被处理体的保持单元和 所述被处理体之间的微小空间内的传热气体供给路径相对所述保持单元保持面的法线方向至少一部分倾斜。

【技术特征摘要】
JP 2001-11-30 366370/20011.一种处理装置，将高频功率施加给设置在密封处理容器内的电极，并将导入到所述处理容器内的处理气体等离子体化，对被处理体的表面进行规定的处理，其特征在于将用于控制所述被处理体为规定温度的传热气体供给到位于吸附保持所述被处理体的保持单元和所述被处理体之间的微小空间内的传热气体供给路径相对所述保持单元保持面的法线方向至少一部分倾斜。2.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于所述传热气体供给路径通过设置在所述传热气体供给路径内的部件，实质上相对所述保持单元的保持面的法线方向至少一部分倾斜。3.根据权利要求2所述的处理装置，其特征在于所述部件是多孔性陶瓷。4.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于所述传热气体供给路径形成为锯齿状。5.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于所述传热气体供给路径形成为螺旋状。6.根据权利要求5所述的处理装置，其特征在于所述传热气体供给路径的截面为电场方向的厚度比宽度还小的形状。7.根据权利要求6所述的处理装置，其特征在于所述传热气体供给路径的截面中电场方向的厚度为1mm以下。8.根据权利要求7所述的处理装置，其特征在于在介电常数为4以下的部件内构成所述传热气体供给路径。9.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于所述传热气体供给路径有多条。10.一种处理装置，将高频功率施加给设置在密封处...

【专利技术属性】
技术研发人员：桧森慎司，远藤升佐，永关一也，窪田知也，林大辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]