磁控等离子体处理装置具有介入处理空间（Ｓ）和排气口（１１）之间的挡板（１０），以便在处理室（１）内把等离子体封闭在处理空间（Ｓ）内，挡板（１０）具有连通处理空间（Ｓ）和排气口（１１）的多个贯通孔（１０ｂ）。挡板（１０）沿着挡板（１０）存...

一种半导体装置的制造方法，其包括：在硅基板上形成含有Ｓｉ和氧的绝缘膜的工序；利用使用了有机金属原料的化学气相堆积法、在上述绝缘膜上堆积金属氧化物膜的工序，其中：进行上述堆积金属氧化膜的工序，使得上述金属氧化膜在堆积后不久的状态下成为结晶质。

本发明的装载台的装载台驱动装置，包括使装载晶片的装载台（１）沿水平方向移动的水平驱动机构（１７）和使装载台沿上下方向移动的升降驱动机构（１４）。升降驱动机构具有支撑水平驱动机构（１７），且升降水平驱动机构的第一升降机构（１８）与在水平驱...

一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射Ｈ↓［２］的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。

基板处理装置（１００、４０）备有由高频等离子体形成氮自由基和氧自由基的自由基形成部（２６）、保持被处理基板（Ｗ）的处理容器（２１）、和与自由基形成部连接并控制包含氮的第一原料气体和包含氧的第二原料气体的混合比，将所要混合比的混合气体供给...

等离子体处理装置具有收容基板（１１）的腔室（１）、产生微波的高频电源（５）、和将微波放射至腔室（１）内的天线部（３）。在高频电源（５）中产生的微波，由导波管（６）送至天线部（３）。构成腔室（１）的隔壁的一部分的顶板部（４）配置在腔室（１...

作为基板处理装置的蚀刻处理装置（１００），设置有搬送批次中包含的基板的旋转型臂（１０３）；与对基板实施作为制品处理的蚀刻处理的处理室（１０６、１０７），由注册有搬送处方、制品处理用处方、模拟处理用处方的主机（２００）所控制。主机（２００...

本发明涉及热处理方法，该热处理方法具有：利用多个加热单元分别加热反应容器内的热处理气氛的多个区域的加热工序；和将处理气体导入反应容器内而在多个基板的表面形成薄膜的工序，该热处理工序组包括；使用处理气体的消耗量比制品基板少的多个第一基板的...

本发明涉及具有包含对被处理体进行易产生污染的特定处理室的多个处理室，和具有２个拾取器的输送机构的处理装置中的被处理体的输送方法，本发明的方法具有在所述多个处理室之间穿行地顺序输送被处理体的多个输送工序，在把所述被处理体搬入所述特定处理室...

本发明提供一种可以将在材料贮存槽内产生的原料气体几乎不产生压力损失地供给至处理装置的处理系统。该处理系统具有，为了对被处理体Ｗ实施预定处理，设置有向处理容器２６内喷射由低蒸汽压的金属化合物Ｍ所形成的预定原料气体的气体喷射装置４２的处理装...

一种真空处理设备，包括具有多个抽气口的处理室，以及与多个抽气口的相应抽气口连接的多个抽气单元。多个抽气口优选地位于处理室下壁靠近处理室空间。还提供一种处理室，它包括下壁和侧壁，其中侧壁的高度约为４英寸。真空处理设备还包括室内衬，其设计用...

通过在基板（１）上集成例如电阻（１０）、电容（２０）、线圈（３０）那样的多个元件和连接各元件的开关（４１～４４），可以任意地连接各元件，形成ＭＥＭＳ阵列。开关（４１～４４）能够用晶体管开关或机械开关。能够用配线的短路／开路代替该ＭＥＭＳ...

本发明涉及一种等离子体处理方法，所述方法向真空室（１）内供给Ａｒ气，并在该情况下，首先从高频电源（１１）向载置台（２）（下部电极）供给诸如３００Ｗ等的较低的高频电力，从而产生弱等离子体，并作用在半导体晶片（Ｗ）上，调整积蓄在半导体晶片内...

本发明的目的在于更安全地对涂敷显影处理装置进行远程操作并进行维修。本发明是基板处理装置的维修系统，具备：远程操作装置，通过通信网络将远程操作信息发送给基板处理装置一边，对基板处理装置提供远程操作信息，由此从远距离的地方来操作基板处理装置...

本发明提供可以抑制颗粒附着而防止晶片污染的等离子体处理装置以及方法。等离子体处理装置具备对晶片进行等离子体处理的处理室（１００）。处理室（１００）具备腔室侧壁（１１０）、上部电极（１１１）、为了用静电将晶片吸附在ＥＳＣ台（１２０）而被埋...

通过使保持于基板保持部上的基板和板的间隔接近，从处理液喷出部喷出处理液，可以对基板进行无电解镀。由于处理液流过基板和板之间的间隙，所以在基板上产生处理液流，可以向基板上供给新鲜的处理液。其结果，即使在处理液为少量的情况下，也能在基板上形...

本发明提供一种等离子体处理装置及处理方法，在等离子体处理中，以简易且低成本而使高频放电容易开始，稳定维持放电，其特征为，从片段磁铁（Ｍ↓［０］）下面（Ｎ极）出发的磁力线的一部分（Ｂ↓［Ｍ］）降落到正下方周边等离子体区域（ＰＳ↓［Ｂ］），...

提供一种在短时间内获得能够从ＬＣＤ用ＴＦＴ获得并具有大绝缘耐电压和小界面能级密度的绝缘膜的方法。对硅基体（１０１）进行等离子体氧化处理以形成第一绝缘膜（１０２），并且通过用等离子体ＣＶＤ在第一绝缘膜（１０２）上沉积第二绝缘膜（１０３）来...

热处理装置包括具有上下方向上分割成三个区的反应容器、支撑基板的基板保持具、和针对每个区设在反应容器的侧方的加热器和控制部。在各控制部上连接着检测各自负责的区的温度的温度检测部。中段区的温度检测部还连接到对应于上下段区的控制部。上下段区的...

在扩散限制层（例如，阻挡层）上形成由对于无电解镀膜中包含的还原剂具有催化剂活性的催化剂活性材料构成的催化剂活性核后，用无电解镀液进行无电解镀。由催化剂活性核促进无电解镀膜中包含的还原剂的反应，能够在阻挡层上形成无电解镀膜。