本发明涉及一种基板保持机构，其具备：具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持所述处理基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面既定区域的方式连续形成、并具有比所述表面高的高度的上面；在所述表面上，在所述突起部围绕的区域内设置的...

本发明提供通过将形成铸型图案的模具部件（４０）按压到在作为被加工物体的基板（５０）的主面上形成的膜被上，使铸型图案复印到膜被上的刻印方法。将多块基板（５０）固定在吸盘台（２０）上，并且可以用加热器（２１）和冷却管（２２）选择地加热基板。...

半导体处理系统用闸阀（２０）包含沿第一方向形成并列的多个通路（２２Ａ～２２Ｄ）的壳体（２１），通路各自具有面对与第一方向正交的第二方向的进出口（２３Ａ～２３Ｄ），在各进出口配设的阀座（２５Ａ～２５Ｄ），越靠近第一方向的第二规定侧，越配置...

提供可对应多种晶片尺寸的半导体器件的制造生产线，在１个生产线的运送系统中，配置对１个尺寸的半导体晶片实施形成集成电路的一连串处理的多个处理装置，包括：半导体晶片搬入搬出装置，从外部搬入或搬出规定的半导体晶片；第１处理装置，进行在半导体晶...

该ＣＶＤ方法是在被处理基板（Ｗ）上形成硅氮化膜。该方法包括：将基板（Ｗ）装入处理容器（８）内，加热至处理温度的工序；对被加热至处理温度的基板（Ｗ）供给含有六乙氨基二硅烷气体和含有氨气体的处理气体，在基板（Ｗ）上堆积硅氮化膜的工序。

本发明的目的在于，防止处理气体侵入载置台下方的空间，在支柱（５６）的上端部的内周部分设置支撑载置台（５８）的下面的支撑面（６２），在支撑面（６２）的外侧的支柱（５６）的上端部的中间周向部分，形成沿着周向延伸的净化气体槽（６４）。在与净化...

从内侧支撑波纹管（１）的构造具有在波纹管内部配设的、而且沿着波纹管轴向延伸的导轨（８），沿着所述轴向，在导轨上可移动地配设移动部件（１０），移动部件和波纹管通过中间支撑部（５）连接。

被处理基板（Ｗ）的搬送装置（２０）包含可旋转的旋转基台（２４），在旋转基台上安装可伸屈的第１和第２臂机构（２６，２８），第１和第２臂机构各自具有从旋转基台侧顺序地相互可旋转连接的基端臂（２６Ａ，２８Ａ）、中间臂（２６Ｂ，２８Ｂ）和鸟嘴部...

在具有等离子体发生部和在内部收容被处理基板的腔室的等离子体处理装置中，设置在等离子体发生部和腔室之间，将处理气体导入由等离子体发生部和腔室构成的处理空间中的处理气体导入机构具有：支撑等离子发生部并且固定在腔室上，形成将处理气体导入处理空...

气体反应装置包含使液体原料气化并生成反应气体的气化器（２３０）和使反应气体反应的反应室（２２１Ａ），气化器（２３０）对用于划分成反应室（２２１Ａ）的构成部件一体地构成，在气化器（２３０）内生成的反应气体直接地导入反应室（２２１Ａ）内。气...

在处理装置中，将包含原料气体（ＴｉＣｌ↓［４］、ＮＨ↓［３］）和非活性气体（Ｎ↓［２］）的处理气体供给处理容器（２）内。利用压力计（６）检测处理容器（２）内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器（２）内的处理气体的流量。利用非活性气体...

一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含...

一种热处理装置，其特征为，包括：　　　　保持多个基板的保持器；　　　　搬入前述保持器的反应容器；　　　　把处理气体供给所述反应容器的处理气体供给机构；　　　　在供给所述处理气体时，对所述反应容器加热，在基板上施以成膜处理的加热机构；　　...

本发明提供一种蚀刻方法，其在保持通用型蚀刻优点的同时，能够避免由记忆效应造成的蚀刻特性的变动。其特征在于，进行第１蚀刻处理后，在腔室２的内壁面成为附着堆积物７０的状态，以除去该堆积物７０为目的进行清洗后，再进行第２蚀刻处理；清洗在晶片Ｗ...

一种修正装置，是用于输送机构的基准位置修正装置，所述输送机构具有：以可以在水平方向上移动的方式设置在输送容器内的移动体、以可以水平旋转以及升降的方式相对于该移动体安装的旋转基台、经由互相离开的垂直的转动轴而相对于该旋转基台安装并可以水平...

本发明提供一种不因流程工序的增大而导致生产率的下降，且可形成微小直径的孔等的图形，并生产性良好地制造高集成度的半导体装置的半导体装置制造方法。在半导体晶片（１００）上，ＳｉＣ膜（１０１）、低Ｋ（Ｌｏｗ－Ｋ）膜（１０２）、ＴＥＯＳ氧化膜（...

本发明提供一种被处理体的氧化方法，在可抽真空的处理容器（２２）内，收存表面形成有槽部（４）的被处理体（Ｗ），向上述处理容器内供给氧化性气体和还原性气体，在具有使上述两气体进行反应而产生的氧活性种和氢氧基活性种的环境气氛中，对上述被处理体...

一种基板处理容器的清洗方法，该方法用来清洗处理被处理基板用的基板处理装置的基板处理容器，该方法包括：　　　　向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；　　　　由所述远程等离子体发生部激励所述气体生成反应种的...

本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供...

一种在等离子体加工系统中，用于在基底上蚀刻有机抗反射涂料（ＡＲＣ）层的方法，包括：引入包括氨（ＮＨ↓［３］）和钝化气体的工艺过程气体；由工艺过程气体生成等离子体；以及将基底曝露于等离子体下。例如，工艺过程气体可以由ＮＨ３和烃气体如Ｃ↓［...