一种材料处理系统，包括：　　　　处理设备，其中该处理设备包括至少一个处理室；　　　　耦接到所述处理设备的多个ＲＦ响应电气传感器，ＲＦ响应电气传感器被配置为对所述处理设备生成电气数据，并发射所述电气数据；以及　　　　传感器接口组件（ＳＩＡ...

一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：可设定成有真空气氛的处理容器；与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向地配置的上部电极；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；输出第一高频的第一高频电 ...

一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：　　　　可以设置成有真空气氛的处理容器；　　　　与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向而环状地配置的第一上部电极；　　　　在所述第一上部电极的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置的第二上部...

一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：　　　　将被处理基板暴露于规定的处理气体等离子体中的工序；和　　　　由所述等离子体对所述基板进行规定的等离子体处理的工序，　　　　对于所述基板独立地控制所述等离子体的密度空间分布与所述等离子体中的...

一种材料处理系统，包括：　　　　处理设备，其中该处理设备包括至少一个处理室；　　　　耦接到所述处理设备的多个ＲＦ响应零件标识器，ＲＦ响应零件标识器被配置为对所述处理设备生成零件ＩＤ数据，并发射所述零件ＩＤ数据；以及　　　　传感器接口组件...

本发明提供的基板处理装置具有：多个处理室（２０），用于对容纳在其内部的基板实施处理；运送箱（２４），用于将容纳的基板运送至处理室（２０）；移动机构，用于使运送箱（２４）沿着移动线路进行移动。运送箱（２４）在被从外部气氛隔离开的状态下容纳...

本发明涉及一种捕集装置，设置在具有对处理装置１０进行真空排气的真空泵３６的真空排气系统６之中，用于除去在所述真空排气系统６内流动的排气气体中所含有的气体状杂质，其中，在处理装置１０内对半导体晶片实施规定的处理，其特征在于，具备：杂质捕集...

一种处理方法，包括：　　　　处理工序，对被处理体进行连续处理；　　　　检查工序，针对在所述处理工序中被处理的被处理体，检查其处理状态；　　　　处理状态判定工序，基于所述检查工序中的检查结果，判定处理状态的合格、不合格；　　　　连续性判定...

一种涂布处理装置，在被处理基板上形成涂布膜，该涂布处理装置具有：　　　　以大致水平姿势保持被处理基板的保持机构；　　　　把规定的涂布液供给到由所述保持机构所保持的被处理基板的表面的涂布液供给机构；　　　　使由所述保持机构所保持的被处理基...

一种使用平行平板型等离子体蚀刻装置对基板上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻的方法，其特征在于：　　　　使用于形成等离子体的高频电力的频率在４０ＭＨｚ以上，使用处理气体对上述有机类材料膜进行等离子体蚀刻，该处理气体含有来自基态的电离能量或来...

一种成膜方法，在能够选择性地供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体的处理区域之内，利用ＣＶＤ在具有金属表面的被处理基板之上形成氧化硅膜。该成膜方法交互具有第一至第四工艺。在第一工艺中，向处理区域供给含硅气体，而停止向处理区域供给氧化性气...

本发明提供一种通过组合蚀刻处理，能够将结晶质的半球状粒子控制在小尺寸的成膜方法。在被处理体Ｗ的表面形成薄膜的成膜方法中，具有由成膜气体在所述被处理体的表面形成结晶核，使该结晶核成长，从而形成结晶质的半球状粒子形成在表面的ＨＳＧ薄膜的ＨＳ...

本发明提供一种对晶片状基板（Ｗ）上形成的被检查体的电特性进行检查的、具备控制位置测量机构的探针装置（１００），该探针装置包括：探测器室（２９）；在该探测器室内配置、用于载置被检查体的载置台（６）；使该载置台在Ｘ、Ｙ、Ｚ以及θ方向移动的移...

本发明提供一种显像装置和显像方法，使在表面上涂布抗蚀剂、曝光后的基板旋转，并供给显像液，控制显像液的液体流动，在基板上形成面内均匀性高的图形。在使在作为基板保持部的旋转夹头（２）上保持水平的基板例如晶片（Ｗ），围绕垂直轴正转，使与该基板...

提供一种在不降低基板处理系统实际作业率的情况下能充分清除堆积粒子的基板输送装置。基板输送装置（１０）由箱状的腔室（１１）及腔室（１１）内配有的输送臂（１２）、负责该腔室（１１）内排气的排气管线（１５）、使Ｎ↓［２］气体进入腔室（１１）内...

本申请公开一种基板处理装置，其具有：包含供收容有多片基板的载体输入输出的载体输入输出部、以及相对于载置于该载体输入输出部上的载体进行基板的传递的第１传递部的载体工作站，在所说载体工作站的第１方向上与所说载体工作站相邻接地设置的、包含在基...

本发明的真空处理装置具有以下部件：具有底部且可真空排气的处理容器；设置在所述处理容器内的载置台；对载置台上的基板进行加热的加热部；向处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；包围载置台和处理容器底部之间的空间，使该空间与处理容器内的处理空...

一种基板处理方法，其特征在于，具有：　　　　将包含超临界状态介质的第一处理介质供给被处理基板，然后对被处理基板表面上包含金属的膜进行清洗的第一工序；　　　　和将包含所述超临界状态介质的第二处理介质供给所述被处理基板，进行Ｃｕ膜成膜的第二...

本发明对于半导体基板的表面通过利用了微波的等离子体，同时进行等离子体氧化处理和氮化处理，还根据需要，在基于所述那种等离子体氧氮化处理而形成绝缘膜之后，再对该绝缘膜进一步进行等离子体氮化处理。由此，可以形成电气性能良好的绝缘膜（硅氧化膜）。

本发明提供一种在蚀刻处理时，能够将硬质掩模层的膜厚控制在一定厚度的蚀刻方法。通过使用包含例如四氟化碳（ＣＦ↓［４］）和氩气（Ａｒ）的气体而作为蚀刻气体的等离子体蚀刻，一边监视氮化硅薄膜１０２的膜厚，一边进行蚀刻处理，以氮化硅薄膜１０２的...