本发明提供一种真空处理装置用开闭机构，包括：连杆机构，由用于闭塞第一及第二开口部的第一及第二阀体向着相反方向而配置在前端部的阀体支撑部件、和通过旋转轴可自由旋转地安装在该阀体支撑部件的后端部的基端侧部件构成；引导机构，限制所述阀体支撑部...

本发明涉及一种半导体处理用的处理装置，具备：容纳被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给系统；对所述处理容器内进行排气的排气装置；连接所述处理容器和所述排气装置的排气管路。在排气管路上配置有开度可调阀，在所述开度可调...

本发明以改善氟化碳膜与衬底膜的粘合性为课题。为了解决该课题，本发明提供了一种在被处理基板上形成氟化碳膜的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，包括第一工序与第二工序，其中，所述第一工序通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发，通过被等离子体...

一种用于清洁表面热喷涂有预定陶瓷材料的陶瓷喷涂构件的方法，其包括：　　　　使所述陶瓷喷涂构件的表面与水彼此化学结合使水稳定的稳定化步骤；和　　　　将物理吸附在所述陶瓷喷涂构件表面上的水进行脱附的脱附步骤。

本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和...

提供具有多种配置的自适用处理元件（５０，１５０－１５６）用于处理系统。处理元件包括主要部件（１８２，２００，２０２，２３０）和至少一个可拆卸部件（１８４，２０８，２３２）。可拆卸部件可以被保留而用于一种配置和被去除而用于另一种配置。可拆...

本发明提供一种等离子体处理方法，可以使通过使用有机硅烷气体的等离子体ＣＶＤ法来进行成膜的绝缘膜的介电常数降低、以及维持机械强度。因此，在本发明中，包括：通过向被处理基板供给包含有机硅烷气体的第一处理气体来激励等离子体，而在该被处理基板上...

在传送控制表上，生成不同的Ａ组、Ｂ组的传送时间表ＳＡ及传送时间表ＳＢ，在不与先行的Ａ组的传送时间表ＳＡ产生干扰的范围内，使后续的传送时间表ＳＢ沿所述时间轴方向一直向前移动，使后续的传送时间表ＳＢ的开始时间比先行的Ａ组的传送时间表ＳＡ的结...

一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于，具有：　　　　利用清洗气体对所述成膜装置的反应室的内表面附着的以高介电常数材料为主要成分的副生成物膜进行处理的工序；在此，向所述反应室内供给所述清洗气体，并将所述反应室内设定为第一温度和...

一种增强和定位电容耦合等离子体的方法，包括：　　　　在真空处理室中围绕晶片支撑的周边形成环形磁通道，所述环形磁通道环绕被支撑在所述支撑的中心区域上的晶片的外侧边缘；　　　　电容耦合ＲＦ能量到所述通道内，并且通过该能量在所述衬底支撑的环形...

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统（１７）、浓度测定部（２７）、以及信息处理部（１０２）。清洁气体供给系统（１７）向反应室内供给...

本发明提供一种温度／厚度测量装置，减轻装置安装的麻烦程度，不在各测量对象物上形成用于通过测量光的孔就可一次测量多个测量对象物的温度或厚度。包括：照射具有透过各测量对象物并反射的波长的光的光源、将来自光源的光分离为测量光和参照光的分离器、...

本发明提供一种基板处理装置，包括：搬送机构，配置在搬送基台上、在规定的搬送部位之间搬送被处理基板；映像传感器，配置在所述搬送基台上、检测以棚架状收容多个被处理基板的被处理基板收容箱体内的被处理基板的配置状态；和设置在所述搬送部位或其附近...

在真空搬送腔室的内部配置有润滑脂供给机构，该润滑脂供给机构包括：在内部收容有润滑脂的有底筒状的润滑脂收容部；和闭塞润滑脂收容部的开口而配置的、能够与润滑脂收容部的内壁滑动移动的盖体。当按压并移动盖体时，润滑脂经过润滑脂供给口而注入到润滑...

在该等离子成膜方法和装置中，以电介质将真空室的上面开口部封堵起来并在上面设置平面天线构件。在该平面天线构件的上面设置同轴波导管，使微波发生机构连接到该波导管上。在平面天线构件上呈同心圆形状设置多个例如长度为微波波长的一半的狭缝，从这些狭...

一种检查基板处理装置的方法，其能够防止将产品基板提供到要被检查的基板处理室，并在希望的时间检查基板处理室。根据操作者选择菜单选项“ＱＣ模式”，或者响应来自主机的指令，禁止产品晶片Ｗ（产品基板）被输送到要被检查的处理单元（基板处理室）。响...

本发明提供一种涂敷、显影装置及其方法，通过层叠而设置抗蚀剂膜形成用单位块、和反射防止膜形成用单位块，在抗蚀剂膜上下形成反射防止膜时，实现空间节省化。再者，不管是不是在形成反射防止膜的情况下，都可以应对，可以实现这时软件的简易化。在处理块...

本发明提供一种涂敷.显影装置，其具备：处理块，在晶片上形成抗蚀剂膜后，将其运送至曝光装置，并对曝光后的基板进行显影处理；和设置在处理块和曝光装置之间的接口运送机构，上述处理块具有涂敷膜形成用的单位块、和显影处理用的单位块，它们以层叠的状...

本发明提供一种涂敷、显影装置及其方法，通过层叠而设置抗蚀剂膜形成用单位块、和反射防止膜形成用单位块，在抗蚀剂膜上下形成反射防止膜时，实现空间节省化。再者，不管是不是在形成反射防止膜的情况下，都可以应对，可以实现这时软件的简易化。在处理块...

在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布ＳＯＤ膜，则如图９（ａ）所示，ＳＯＤ膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管（４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ）向...