一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少５％的ＮＦ↓［...

本发明的处理系统在处理时间独立的多个处理模块之间避免晶片搬入搬出的定时冲突的危险，提高系统整体的搬送效率或处理能力。在该处理系统中，在群集式工具内同时作业的多个例如处理模块（ＰＭ↓［１］、ＰＭ↓［２］、ＰＭ↓［３］、ＰＭ↓［４］）中，将...

本发明提供一种以高精度在硅基板上形成沟槽，并边使该沟槽的肩部维持为圆形边可迅速地进行处理的蚀刻方法。在第一等离子体处理中，使用含有ＣＨＦ↓［３］、ＣＨ↓［２］Ｆ↓［２］、ＣＨ↓［３］Ｆ等含氢氟代烃的气体，在沟槽部（１１０）的至少侧壁上形...

本发明提供了一种使用制程到制程（Ｒ２Ｒ）控制器来提供半导体处理系统中的晶片到晶片（Ｗ２Ｗ）控制的方法。Ｒ２Ｒ控制器包括前馈（ＦＦ）控制器、工艺模型控制器、反馈（ＦＢ）控制器以及工艺控制器。Ｒ２Ｒ控制器使用前馈数据、建模数据、反馈数据和工...

本发明提供一种包括多个单位块的集合体的涂敷.显影装置。第１单位块层叠体和第２单位块层叠体配置在前后方向的不同位置上。显影用单位块配置在最下层，备有包括进行曝光后的显影处理的显影单元在内的多个处理单元以及在这些单元之间进行基板输送的输送机...

本发明提供在硅基板（１）上形成ＳｉＯ↓［２］电容换算膜厚在１．４５ｎｍ以下的由硅酸铪类材料构成的栅极绝缘膜（４）的方法。该方法包括：洗净硅基板（１）的表面，使其成为实质上不存在氧的清洁面的工序；通过使用酰胺类有机铪化合物和含硅原料的ＣＶ...

本发明描述了一种在半导体制造过程中监视用于处理基片的系统的方法。该方法包括从处理系统的多次观测结果中获取数据。它进一步包括由该数据构建主成分分析（ＰＣＡ）模型，其中给所获取数据中的至少一个数据变量施加权重因子。该ＰＣＡ模型与附加数据的获...

本发明提供一种涂布、显像装置，在将抗蚀剂涂布在基板上、液浸曝光后的基板进行显像时，能够抑制微粒污染。该涂布、显像装置构成为具有：设置有涂布抗蚀剂的涂布单元和供给显像液并显像的显像单元的处理区；和与进行液浸曝光的曝光装置连接的接口部，上述...

本发明提供一种真空处理系统，包括用于收容被处理体并在真空状态下对其进行处理的处理腔室。所述处理腔室包括排气系统和气体供给系统。在所述处理腔室外并且与所述处理腔室内选择性地连接的空间内，配置有产生负离子的负离子发生器。在所述处理腔室内配置...

本发明提供一种基板处理装置的复原处理方法，在由至少包括对从基板收纳容器输送的晶片（Ｗ）进行处理的处理室的多个室所组成的基板处理装置中，在因该基板处理装置的工作中产生异常而工作停止时，在异常解除后复原基板处理装置的状态，包括：基板回收工序...

本发明的目的在于提供不增大膜厚，而能抑制电容器电容下降的半导体制造装置。在具有电容器的半导体装置中，电容器具有下部电极、上部电极、以及夹在下部电极与上部电极之间的绝缘膜。下部电极的绝缘层侧的表面被氮化。在下部电极是多晶硅的情况下，通过表...

本发明提供一种立式分批处理装置，为了去除多个被处理体上的半导体氧化膜，将上述半导体氧化膜变换为比上述半导体氧化膜易分散或升华的中间体膜。该装置包括：从配置于处理区域外侧的第１供给口向上述处理区域供给第１处理气体的第１处理气体供给系统；从...

本发明提供一种基板的处理方法，该基板具有含碳的低介电常数绝缘膜，该低介电常数绝缘膜具有碳浓度降低的表面损伤层，其包括：将所述表面损伤层在规定压力下暴露于含有氨和氟化氢的混合气体的气氛中的表面损伤层暴露步骤；以及将暴露于所述混合气体气氛中...

本发明提供一种容易控制绝缘膜表面上的表面损伤层和切削残留等的除去量的电子设备的制造方法。形成低介电常数层间绝缘膜（１１５），以覆盖形成晶片（Ｗ）上的配线（１１４）的绝缘膜（１１３）（Ｂ）；在该低介电常数层间绝缘膜（１１５）上加工形成通孔...

本发明的基板处理装置（１００）具备导入气体后进行规定的处理的多个处理室（２００Ａ、２００Ｂ等）；分别设置在所述各处理室中的排气系统（２２０Ａ、２２０Ｂ等）；和连接所述各处理室的排气系统中至少两个以上的处理室的排气系统的共同排气系统（３１...

本发明涉及一种可抑制因探针板（１１）的热变形引起的应力，并抑制测试探头（１１Ａ）向上下方向移动，从而提高检测可靠性的固定探针板（１１）的机构（１０），利用探针板（１１）和支承框架（１２）的轴心周围由多个第１紧固件（１６Ａ）连接。利用多个...

本发明涉及通过交互地供给成为原料的气体而进行薄膜的形成而迅速地形成高质量的薄膜的方法，是包括使作为原料气体的ＴｉＣｌ↓［４］气体附着于基板上或附着于基板的ＴｉＣｌ↓［４］分子上，把作为反应气体的ＮＨ↓［３］气体供给到处理容器内，使此ＮＨ...

本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　　Ｌａｙｅｒ　　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法，在基板上形成Ｃｕ膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Ｃｕ羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用Ｈ↓［２］作为还原气体，...

在本发明的粘合方法及装置中，将薄板体（１）及其他部件（２）高平面度地保持在第一及第二保持部件（４４、４６）上，由控制机构（４０ａ），基于位置识别机构（３３、３４）的信息来控制移动机构（４５）及调节平行度的机构（５２），从而将薄板体（１）...

本发明提供一种基板处理装置，第一和第二基板搬运部（８４Ａ、８４Ｂ）一起保持基板（Ｇ）进行搬运的区间，不是从搬入位置到搬出位置的全部搬运区间，而是从涂敷开始位置到涂敷结束位置的中间区间。第一基板搬运部（８４Ａ）当将基板（Ｇ↓［ｉ］）搬运到...