【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具备对在半导体晶片或液晶基板等的基板处理中被排出的排气进行除害的除害装置的基板处理装置、基板处理装置的控制方法、程序。
技术介绍
作为基板处理装置,有等离子体处理装置,对处理室内的被处理基板、例如半导体晶片(以下也简称为“晶片”)使用规定的气体,进行成膜处理或蚀刻处理或使用规定的气体进行处理室内的清洁等。由于有时从这种基板处理装置的处理室排出的排气中包含有害气体或对环境造成负担的气体,所以从保护环境的观点看,保持原样地排放到大气中是不适当的。因此,经过由热处理等除去(无害化)来自处理室的排气的除害装置排气。作为具备上述除害装置的基板处理装置,例如图24所示,在基板处理装置的每个处理室10A、10B中设置除害装置20A、20B,在这些除害装置20A、20B上分别连接各处理室10A、10B的排气系统12A、12B,使来自各处理室10A、10B的排出气体无害化。但是,其中需要处理室个数的除害装置,所以也必需这么多的设置面积,存在制造成本也增加的问题。为解决这些问题,例如还有如下技术如图25所示,将各处理室10A、10B的排气系统12A、12B连接于共同排气系统31,通过在该共同排气系统31中在各处理室10A、10B上连接共同的除害装置30,从而由一个除害装置30进行除去来自各处理室10A、10B的排出气体的处理。(例如参照专利文献1、2)。日本专利特开平11-8200号公报[专利文献2]日本专利特开平2004-95643号公报但是,在各处理室进行的处理中,例如在处理室内处理晶片之前,如从大气压状态粗抽出至规定压力的粗抽出排气处理那样,在高的 ...
【技术保护点】
一种基板处理装置,其特征在于,具备: 导入气体并进行规定的处理的多个处理室; 分别设置在所述各处理室中的排气系统; 连接所述各处理室的排气系统中至少两个以上的处理室的排气系统的共同排气系统,其中,所述共同排气系统构成为可切换除害共同排气系统和非除害共同排气系统,除害共同排气系统通过除害部件对来自所述各处理室的排气系统的排气进行除害并排出,非除害共同排气系统不经过除害部件排出来自所述各处理室的排气系统的排气, 还具有根据所述各处理室进行的处理的种类,进行所述除害共同排气系统与所述非除害共同排气系统的切换控制的控制部件。
【技术特征摘要】
JP 2005-2-8 2005-032340;JP 2005-7-15 2005-2063761.一种基板处理装置,其特征在于,具备导入气体并进行规定的处理的多个处理室;分别设置在所述各处理室中的排气系统;连接所述各处理室的排气系统中至少两个以上的处理室的排气系统的共同排气系统,其中,所述共同排气系统构成为可切换除害共同排气系统和非除害共同排气系统,除害共同排气系统通过除害部件对来自所述各处理室的排气系统的排气进行除害并排出,非除害共同排气系统不经过除害部件排出来自所述各处理室的排气系统的排气,还具有根据所述各处理室进行的处理的种类,进行所述除害共同排气系统与所述非除害共同排气系统的切换控制的控制部件。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于当连接于所述共同排气系统的所述多个处理室并行进行处理时,所述控制部件进行规定的排他控制,使得将所述共同排气系统切换为所述非除害共同排气系统后进行处理所构成的第一处理和将所述共同排气系统切换为所述除害共同排气系统后进行处理所构成的第二处理之中的一个处理在所述多个处理室中的一个处理室进行处理的期间,所述多个处理室中的其它处理室不进行另一个处理。3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于具备使用权预约信息存储部件,存储所述各处理室中的共同排气系统的使用权的预约信息,所述各处理室中的排他控制在连接于所述共同排气系统上的所述多个处理室中的一个处理室进行所述第一处理与所述第二处理中的一个的情况下,判断一个处理是否在连接于所述共同排气系统上的所述多个处理室中的其它处理室中进行,在判断为其它处理室不进行所述一个处理的情况下进行另一个处理,在判断为其它处理室进行所述一个处理的情况下,将另一个处理作为等待处理状态,并将所述共同排气系统的使用权预约信息存储在所述使用权预约信息存储部件中,之后,进行根据使用权预约信息存储部件的预约信息进行另一个处理的预约处理。4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于在所述其它处理室中的一个处理结束之后,所述预约处理进行所述处理等待状态的处理室的所述另一个处理。5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于在对多个处理室将所述共同排气系统的使用权预约信息存储在所述使用权预约信息存储部件中的情况下,所述预约处理按照所述预约信息的存储顺序进行所述另一个处理。6.根据权利要求1~5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于所述第一处理是不需要排气除害的并且至少包含伴随所述处理室在规定压力以上的排气处理的处理,所述第二处理是至少包含伴随需要排气除害的排气处理的处理。7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于所述第一处理是所述处理室的粗抽出排气处理或包含所述粗抽出排气处理的处理,所述第二处理是伴随所述处理室的排气的处理气体导入处理或包含所述处理气体导入处理的处理。8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于所述第一处理是包含所述处理室的粗抽出排气处理的所述处理室的自动检查处理或维护处理。9.根据权利要求7或8所述的基板处理装置,其特征在于所述第二处理是包含所述处理室的处理气体导入处理的所述处理室的自动检查处理或维护处理。10.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于所述第一处理和所述第二处理均是所述处理室的粗抽出排气处理或包含所述粗抽出排气处理的处理。11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于通过导入处理气体的处理气体导入系统和导入惰性气体的惰性气体导入系统构成向所述处理室内导入气体的气体导入系统,所述惰性气体导入系统具备可以规定流量导入所述惰性气体的第一导入系统;和可以比所述第一导入系统大的流量导入所述惰性气体的第二导入系统。12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于在进行所述处理室的粒子降低处理时,至少通过所述第二导入系统导入所述惰性气体。13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于在进行所述处理室的粒子降低处理时,首先至少通过所述第二导入系统仅在规定时间内导入所述惰性气体,之后,仅通过所述第一导入系统供给所述惰性气体。14.一种基板处理装置的控制方法,具备导入气体并进行规定的处理的多个处理室;分别设置在所述各处理室中的排气系统;和连接所述各处理室的排气系统中至少两个以上的处理室的排气系统的共同排气系统,所述共同排气系统构成为可切换除害共同排气系统和非除害共同排气系统,除害共同排气系统通过除害部件对来自所述各处理室的排气系统的排气进行除害并排出,非除害共同排气系统不经过除害部件排出来自所述各处理室的排气系统的排气,根据所述各处理室进行的处理的种类,进行所述除害共同排...
【专利技术属性】
技术研发人员:中村博,小林俊之,早坂伸一郎,贝瀬精一,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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