本发明的目的是比现有技术更迅速地进行基板处理装置的部件更换。本发明的处理装置是由多个构成部件构成、对基板进行规定处理的处理装置，对各构成部件分别附以识别标记，该处理装置具有：与识别标记对应地对在订购构成部件时所需要的各构成部件的部件信息...

边使晶片（Ｗ）大致呈水平姿态以既定转速旋转边向其表面以既定流量供给纯水，对晶片（Ｗ）进行冲洗处理，之后，减少对晶片（Ｗ）的纯水供给流量并使纯水供给点从晶片（Ｗ）的中心向外侧移动。由此，边在纯水供给点的大致外侧形成液膜边对晶片（Ｗ）进行自...

本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及含有掺杂气体的第三处理气体的处理区域内，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成含有杂质的氮化硅膜或氮氧化硅膜。该成膜方法交叉地具有第...

本发明提供一种氮化硅膜的形成方法，首先在反应容器的处理区域内通过ＣＶＤ在被处理基板上堆积氮化硅膜。这里，在第一时间内，向处理区域内供给含有硅烷类气体的第一处理气体和含有氮化气体的第二处理气体，同时，将处理区域设定为第一温度及第一压力。然...

本发明提供一种可以防止起因于形成在基板载置台上的凸部本身的蚀刻不匀等处理不匀的基板载置台及其制造方法。在基板处理装置中载置基板的基板载置台具有：载置台主体；从载置台主体的基板载置侧的基准面突出而形成的多个凸部；和围着基准面，以在基板被载...

本发明提供一种分压控制系统所使用的喷头板，由间隔部件隔开，分割成多个区域，各个区域与分压控制系统连接，对从各个区域向供给对象物排出的作用气体加以控制，其特征在于，排出作用气体的气体孔配置为正三角形，相对所述供给对象物体从中心向周围配置为...

本发明提供一种基板处理系统及其控制方法。该基板处理系统将各个使用处理液对基板进行处理的多个组件多段地叠层设置，具有向上述多个组件分配供给处理液的分配机构，上述分配机构具有：收容处理液的处理液供给源；通过对上述处理液供给源加压，压送处理液...

本发明提供一种将中空状的脚部内维持在不发生放电的压力气氛，能防止馈电线之间放电的载置台装置。载置台装置安装结构为将载置台装置安装在可抽真空的处理容器内，该载置台装置具有：设置有加热机构的载置台；支撑它的中空状的脚部；和连接加热机构的馈电...

本发明涉及一种半导体处理用成膜方法，其特征在于：首先，在反应室内装载具有形成有自然氧化膜的被处理面的被处理基板，在该工序中，将上述反应室内的温度设定为低于上述自然氧化膜转变成稳定状态的阈值温度的装载温度。然后，利用蚀刻除去上述被处理面上...

本发明的目的是在具有检查部的涂布显影处理装置中，缩短进行准备所需要的时间、降低成本，进而提高检查部的运行率。在本发明中，将涂布显影处理装置的控制程序设计成能够独立实施以下流程：将基板从晶片盒工作站送入处理工作站，在处理工作站和曝光装置中...

本发明提供一种基板处理装置，可以容易应对基板的处理片数的增减、和品种的变更。基板处理装置具备：承载块（Ｂ１），包括在和承载体载置部（２１）上的基板承载体（Ｃ）之间进行基板交接的第１运送机构（２２）；运送块（Ｂ２），邻接于该承载块（Ｂ１）...

本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氧化气体的第二处理气体和含有氮化气体的第三处理气体的处理区域内，利用ＣＶＤ在被处理基板上形成氮氧化硅膜。该成膜方法具有相互交替的第一至第六工序。在第一、第三和...

本发明提供一种基板处理装置，基板（Ｇ）利用其挠性在基板全长的一部分上形成类似输送线路（１２０）的隆起部（１２０ａ）的突筋的基板隆起部（Ｇａ），以与输送速度相等的速度使隆起部（Ｇａ）从基板的前端到后端沿与输送方向相反方向一边相对移动，一边...

本发明提供一种通过使四氯化钛与氨反应，在基板上形成氮化钛膜的方法，该方法减少底层的腐蚀。通过使四氯化钛与氨在由供给决定速率的区域中反应，一边将底层的腐蚀抑制到最小限度，一边在基板上形成第一氮化钛层。接着，通过使四氯化钛与氨在由反应决定速...

本发明提供了一种化学氧化物去除（ＣＯＲ）处理系统，其中所述ＣＯＲ系统包括第一处理室和第二处理室。所述第一处理室包括化学处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。所述第二处理室包括热处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。

本发明提供一种使用聚酰亚胺薄膜等耐热性合成树脂薄膜作为绝缘层的一部分，能够充分确保电极层的电连接的静电吸附电极。将黏合剂（１０１）涂敷在基体材料（４１）上，粘贴合成树脂薄膜（４２）和导电性薄膜（４３）的叠层体。在安装有供电杆（７０）的状...

在用于处理半导体装置制造用的基板的基板处理装置中，贯通作为冷却对象的处理容器（２）的一部分而形成雾流路（５）。设置有用于发生雾的雾发生器（６４）和供给用于搬送发生的雾的运载气体的气体供给源（６２）。利用温度传感器（４９）检测出作为冷却对...

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，其目的在于，通过把第１交接台的基板运送至能够最早进行处理的处理块中，而缩短总计的处理时间。基板处理装置，具备：第１运送机构（２２），向基板承载体（Ｃ）进行晶片（Ｗ）的交接；和第２运送机构（２３）...

本发明提供一种基板搬送装置，接近地具有支撑基板、并沿着水平方向搬送的多个搬送臂，各个搬送臂，从平面观察，配置成在相对于处理单元或者基板收容盒搬入搬出基板时的搬送路径重合，各个搬送臂能够各自独立地沿着上下方向移动，而且，能够不相互干涉地沿...

本发明提供一种半导体处理装置（１），包括连接到公用搬运室（８）上的、用于对被处理基板（Ｗ）实施处理的多个处理室（２）。附设用于向各处理室（２）供给规定气体的气体供给系统（４０）。气体供给系统（４０）具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元...