本发明提供一种能以良好的灵敏度检测平面状基板的异常状态的光学式异物检测装置和搭载有该装置的处理液涂布装置。使以水平状态被载置在载物台上的被处理基板与具有沿上述基板的宽度方向延伸的狭缝状喷出开口的处理液供给喷嘴相对移动，将从处理液供给喷嘴...

本发明公开了一种用于控制衬底温度的装置，该装置包括衬底台和布置在衬底台中并且与衬底台的热表面进行热交换的热组件。热组件包括承载传热流体的通道。该装置还包括流体热单元，流体热单元包括被构造和布置为将传热流体的温度控制在第一温度的第一流体单...

处理液供给喷嘴（１０）分别布置在处理槽（１）内半导体晶片（Ｗ）的左右两侧。每个喷嘴（１０）的排放口面对半导体晶片（Ｗ）。根据预定工序，从一个或多个选定喷嘴（１０）排放处理液。为了执行化学液体处理，例如首先从最低位置处的喷嘴（１０）排放处...

本发明提供一种在可靠地收集排气流体中的异物的同时能够增大收集量且实现装置的小型化的排气装置。排出被供给至收容作为被处理基板的半导体晶片Ｗ的密闭容器（５４）内的供处理用流体的排气装置，在经由排气管（６８）连接到所述密闭容器且上下端闭塞的外...

一种基板处理方法，包括：对基板上形成的被蚀刻膜进行蚀刻处理形成预定图案；使完成蚀刻处理后残余的物质变性为对于预定液体是可溶的；接着对形成有图案的被蚀刻膜的表面进行甲硅烷基化处理；然后提供预定液体溶解除去经过变性的物质。

一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基...

以光致抗蚀剂膜作为掩模，在光致抗蚀剂膜上，有选择地等离子体蚀刻ＳｉＯ↓［２］膜，形成通孔。在等离子体蚀刻中，使用包含用Ｃ↓［ｘ］Ｆ↓［ｙ］Ｏ（ｘ为４或５，ｙ为整数，ｙ／ｘ为１～１．５）表示的含有不饱和氧的碳氟化合物气体的蚀刻气体。作为含...

中转站（１０）的内部为基片容纳部（１０ａ），在其相对的侧壁部形成有用于支承多个半导体晶片的支承部（１１）。在中转站（１０）的两侧形成有基片处理装置侧开口部（１２）和搬运装置侧开口部（１３），在这些开口部上设有基片处理装置侧开闭机构（１４...

一种从液体原料获得处理气体的气化器，其包括：　　　　容器，其规定了所述气化器的处理空间；　　　　　喷射器，其在所述容器内具有以雾状将所述液体原料向下方喷出的喷出口；　　　　下部挡块，其在所述喷出口的下侧配置于所述容器内，在所述喷出口与所...

本发明提供一种气体喷头（气体供给装置），其用于ＣＶＤ装置等，由镍部件组合而构成，防止由于高温引起的镍部件之间相互贴合。用螺钉将形成有大量气体供给孔的由镍部件构成的喷淋板，和与该喷淋板之间形成处理气体流通空间、同时气密地安装在处理容器天井...

本发明提供一种高质量的电容器及其制造方法。电容器（１０）包括：形成在氧化膜（１２）上的下部电极（１３ａ）；形成在下部电极（１３ａ）上的电介质层（１４）；间隔电介质层（１４）而与下部电极（１３ａ）相对形成的上部电极（１５ａ）；以及覆盖上部...

提供了一种用于化学氧化物去除（ＣＯＲ）的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此相互耦合。第一处理室包括化学处理室，其提供被控温的室以及用于支持进行化学处理的衬底的被单独控温的衬底支撑物。衬底在包...

本发明提供一种半导体处理用成膜装置的使用方法，其决定成膜处理的处理条件。处理条件包括在被处理基板上形成的薄膜的设定膜厚。另外，根据处理条件，决定进行清除处理的定时。定时由成膜处理的反复次数和设定膜厚的乘积而得到的薄膜累积膜厚的阈值所规定...

本发明提供一种基板清洁装置和基板清洁方法。使刷子（３）在旋转的同时与基板Ｗ接触，并使刷子（３）的清洁位置相对基板Ｗ从基板Ｗ的中心部朝其周边部移动。通过双流体喷嘴（５）将由液滴和气体组成的处理液喷射到基板Ｗ上，使双流体喷嘴（５）的清洁位置...

对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的...

半导体处理系统，具有将水蒸气供给收容被处理基板的处理室内的气体供给系统。气体供给系统包含用于从纯水得到水蒸气的气体生成装置。气体生成装置包含第一气化部和第二气化部。第一气化部通过在利用载体气体喷雾纯水的同时进行加热，生成包含雾的一次水蒸...

高压处理室包括室外壳、工作台以及机械驱动机构。室外壳包括第一密封表面。工作台包括用于支撑半导体衬底的区域以及第二密封表面。机械驱动机构将工作台连接到室外壳。在操作中，机械驱动机构将工作台与室外壳分开，用于装载半导体衬底。在进一步的操作中...

本发明提供一种基板处理方法，预先测定被处理基板的红外线吸收率或红外线穿透率，根据该测定值，利用可相互独立控制地设置的第一区域和上述第二区域的温度调节单元，至少对被处理基板中央部的第一区域和其外侧的第二区域独立地调节温度，并对被处理基板进...

本发明提供一种被处理体的取出方法，用于将真空吸附在载置台上的上述被处理体取出，其中，上述载置台具有在其上多处开口的多个气体流路，上述被处理体的取出方法包括：（ａ）通过上述多个气体流路关闭用于真空吸附上述被处理体的真空的工序；（ｂ）利用被...

本发明提供一种在上部电极（３４）和下部电极（１６）之间生成处理气体的等离子体、对晶片（Ｗ）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极（３４）施加直流电压的可变直流电源（５０），其施加直流电压，使得上部电极（３...