用于基板处理的排气装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在可靠地收集排气流体中的异物的同时能够增大收集量且实现装置的小型化的排气装置。排出被供给至收容作为被处理基板的半导体晶片Ｗ的密闭容器（５４）内的供处理用流体的排气装置，在经由排气管（６８）连接到所述密闭容器且上下端闭塞的外部排气筒（７１）内，具有：向下方引导流过该外部排气筒内的排气流体的下游导向通路（２０１）、在向上方引导在该下游导向通路中流动的排气流体的同时使排气流体中的异物等发生重力沉降的上游导向通路（２０２）和将该上游导向通路中的流动的排气流体向下方外部引导的排出通路（２０３），在排出通路中设置有作为排气单元的喷射器（１００）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于基板处理的排气装置，更具体地说，涉及例如用于对半导体晶片或LCD玻璃基板等的基板进行加热处理的基板处理的排气装置。
技术介绍
在半导体器件的制造中，为了在半导体晶片或LCD玻璃基板等(以下称为晶片等)上形成ITO(Indium Tin Oxide)(氧化铟锡)的薄膜或电极图案，通常采用光刻技术。在这种光刻技术中，向晶片等涂敷光致抗蚀剂，将由此形成的抗蚀剂膜按规定的电路图案进行曝光，通过对被曝光图案进行显影处理，在抗蚀剂膜上形成电路图案。在这样的光刻工序中，要实施抗蚀剂涂敷后的加热处理(预烘焙)、曝光后的加热处理(曝光后烘焙)以及显影处理后的加热处理(后烘焙)等的各种的加热处理。在现有的这种加热处理中，在上述的预烘焙中，向收容晶片等的处理室内供给如空气或氮气(N2)等的吹扫气体，将供处理用的流体经由与处理室连接的排气管排到外部。此时，会在加热时在晶片等的表面形成的抗蚀剂膜产生少许升华物(光致抗蚀剂膜中含有的酸发生剂，例如PAG(Photo acid grain)(光酸发生剂)或者构成抗蚀剂的低分子树脂)似的异物。在使用沸点低的非离子类酸发生剂的光致抗蚀剂中，生成的升华物尤其多。因此，在各处理室内设置上述升华物似的异物等的收集部(例如过滤器)，防止排气流体中的异物排到外部(例如参照专利文献1)。专利文献1日本特开2003-347198号公报(权利要求、图5、图6)但是，对于在每个处理室内设置收集部的结构而言，不能增大收集部相对处理室的比率，限定了收集能力。因此，存在的问题是，为了使收集部有效地发挥机能，必须交换收集部，在收集部的交换过程中，就不得不停止处理室内的处理。作为解决上述问题的方法，可以考虑增大收集部的收集容量的方法，但是若增大收集部，则带来的问题是，处理装置整体增大，并且，在具备多个处理室的处理装置中，有时无法实现省空间化。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够可靠地收集排气流体中的异物并且能够增大收集量且实现装置的小型化的排气装置。为了解决上述课题，本专利技术以排出供向收容被处理基板的处理室内的供处理用的流体的排气装置作为前提，其第一方面的特征在于排气装置在经由排气管与上述处理室连接且上下端闭塞的外部排气筒内，具有将在该外部排气筒内流动的排气流体向下方引导的下游导向通路；将在该下游导向通路中流动的排气流体向上方引导的同时，使排气流体中的异物等发生重力沉降的上游导向通路；和将在该上游导向通路中流动的排气流体向下方外部引导的排出通路，并在上述排出通路中介入设置有排气单元而构成。通过这种结构，经由排气管从处理室排出的排气流体流过外部排气筒内形成的下游导向通路，之后，流过上游导向通路，此时，排气流体中的异物等发生重力沉降，已除去异物等的排气流体经由排出通路而被排出到外部。另外，本专利技术的第二方面，其特征在于在第一方面所述的用于基板处理的排气装置中，上述下游导向通路由上述外部排气筒和一端与该外部排气筒的顶部连接且下端开放的中间排气筒形成；上述上游导向通路由上述中间排气筒和在上述中间排气筒设有间隙、并在上端开放的状态下插入的同时，贯通上述外部排气筒底部的内部排气筒形成；并且在上述内部排气筒形成排出通路。通过这种结构，能够在外部排气筒内配设中间排气筒和内部排气筒而形成上述下游导向通路、上游导向通路和排出通路。另外，本专利技术的第三方面，其特征在于在第一和第二方面所述的用于基板处理的排气装置中，上述外部排气筒连接有分别与多个处理室连接的多个排气管。通过这种结构，能够从一个排气装置中排出从多个处理室排出的排气流体。另外，本专利技术的第四方面，其特征在于在第一至第三方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，在上述外部排气筒，还具有用于检测堆积在该外部排气筒内的异物等的、对外部排气筒内的压力进行检测的压力检测装置。通过这种结构，能够通过压力检测装置测定外部排气筒内的压力来检测堆积在外部排气筒的底部的异物等的堆积状态。另外，本专利技术的第五方面，其特征在于在第一至第四方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，在上述外部排气筒的底部附近，还具有能够目测堆积在外部排气筒内的异物等的目测窗。通过这种结构，能够从目测窗通过目测确认堆积在外部排气筒内的异物等。另外，本专利技术的第六方面，其特征在于在第一至第五方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，上述中间排气筒形成的上游导向通路的外周内壁形成为向下扩大的锥体状。通过这样的结构，能够使流过上游导向通路内的排气流体的流速在中间排气筒的下部侧变慢。另外，本专利技术的第七方面，其特征在于在第二至第六方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，在上述外部排气筒的内壁面、上述中间排气筒的内外壁面和上述内部排气筒的外壁面中至少在中间排气筒的内壁面和内部排气筒的外壁面，形成有促进排气流体中的异物等的附着的粗面部。通过这样的结构，能够使排气流体中的异物等容易附着于粗面部。另外，本专利技术的第八方面，其特征在于在第二至第七方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，上述外部排气筒能够分割形成为连接中间排气筒的上半体和嵌插有内部排气筒的下半体。通过这样的结构，能够将外部排气筒分割为上半体和下半体来对其进行洗净。再者，本专利技术的第九方面，其特征在于在第一至第八方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，对上述排气管实施有防止带电处理。通过这样的结构，能够防止静电将在排气管中流动的排气流体中的异物等附着在排气管内。因为本专利技术的排气装置是如上所述的结构，因此，可以得到下述效果。(1)根据第一方面所述的专利技术，经由排气管从处理室排出的排气流体在流过外部排气筒内形成的下游导向通路后流过上游导向通路，这时，排气流体中的异物等发生重力沉降，已除去异物等的排气流体经由排出通路而被排出到外部，因此，在能够可靠地收集排气流体中的异物的同时，能够实现收集量的增大。(2)根据第二方面所述的专利技术，能够在外部排气筒内配设中间排气筒和内部排气筒而形成上述下游导向通路、上游导向通路和排出通路，因此，除上述(1)的效果之外还可以实现装置的小型化。(3)根据第三方面所述的专利技术，能够从一个排气装置中排出从多个处理室排出的排气流体，因此，除上述(1)、(2)的效果之外，能够进一步实现装置整体的小型化，同时，能够使各排气管的排气流量均匀化。(4)根据第四方面所述的专利技术，因为由压力检测装置测定外部排气筒内的压力，所以，能够检测堆积在外部排气筒的底部的异物等的堆积状态，所以，除上述(1)～(3)的效果之外，还能够从外部监视除去的异物等的状况。(5)根据第五方面所述的专利技术，因为能够从目测窗通过目测确认堆积在外部排气筒内的异物等，所以，除上述(1)～(4)的效果之外，还能够由目测确认除去的异物等。(6)根据第六方面所述的专利技术，因为能够使流过上游导向通路内的排气流体的流速在中间排气筒的下部侧变慢，所以，除上述(1)～(5)的效果之外，还能够提高排气流体中的异物等发生重力沉降，从而进一步可靠地除去异物等。(7)根据第七方面所述的专利技术，因为能够使排气流体中的异物等易于附着在粗面部上，所以，除上述(1)～(6)的效果之外，能够更加可靠地除去排气流体中的异物等。(8)根据第八方面所述的专利技术，因为能够将外部排气筒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于基板处理的排气装置，其排出供向收容被处理基板的处理室内的供处理用的流体，其特征在于：所述排气装置在经由排气管与所述处理室连接且上下端闭塞的外部排气筒内，具有：将在该外部排气筒内流动的排气流体向下方引导的下游导向通路；将在该下 游导向通路中流动的排气流体向上方引导的同时，使排气流体中的异物等发生重力沉降的上游导向通路；和将在该上游导向通路中流动的排气流体向下方外部引导的排出通路，并在所述排出通路中介入设置有排气单元而构成。

【技术特征摘要】
JP 2005-10-4 2005-2910461.一种用于基板处理的排气装置，其排出供向收容被处理基板的处理室内的供处理用的流体，其特征在于所述排气装置在经由排气管与所述处理室连接且上下端闭塞的外部排气筒内，具有将在该外部排气筒内流动的排气流体向下方引导的下游导向通路；将在该下游导向通路中流动的排气流体向上方引导的同时，使排气流体中的异物等发生重力沉降的上游导向通路；和将在该上游导向通路中流动的排气流体向下方外部引导的排出通路，并在所述排出通路中介入设置有排气单元而构成。2.如权利要求1所述的用于基板处理的排气装置，其特征在于所述下游导向通路由所述外部排气筒和一端与该外部排气筒的顶部连接且下端开放的中间排气筒形成；所述上游导向通路由所述中间排气筒和在所述中间排气筒设有间隙、并在上端开放的状态下插入的同时，贯通所述外部排气筒底部的内部排气筒形成；并且在所述内部排气筒形成排出通路。3.如权利要求1或2所述的用于基板处理的排气装置，其特征在于所述外部排气筒连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村义雄，金川耕三，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]