本发明一种真空处理室的盖体开闭机构，在具有基体部以及以可自由装卸的方式设置在该基体部上的盖体的真空处理室，开闭所述盖体，其特征在于，该盖体开闭机构包括：可移动的台车；和设置在所述台车上的支撑所述盖体的支撑部。由此，可节省装置整体的空间，...

本发明提供半导体处理用的成膜装置的使用方法，包含通过清洗气体除去在所述成膜装置的反应室内面附着的副产物膜的工序，和通过平坦化气体对所述反应室的所述内面进行化学平坦化的工序。所述反应室的所述内面以选自石英、碳化硅的材料为主要成分。除去工序...

本发明的基板处理方法，向在表面具有凹凸的基板供给涂敷液而在基板表面上形成涂敷膜，向旋转的基板供给涂敷液，在基板的表面上形成涂敷膜，对形成有涂敷膜的基板加热，调整涂敷膜的蚀刻条件。接着，对旋转的基板供给蚀刻液，对涂敷膜进行蚀刻后，对基板供...

本发明公开了用于化学处理衬底上的ＴＥＲＡ层的处理系统和方法。衬底的化学处理在化学上改性了衬底上的暴露表面。在一个实施例中，用于处理ＴＥＲＡ层的系统包括用于在衬底上沉积ＴＥＲＡ层的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）系统、用于在ＴＥＲＡ...

一种探针卡移载辅助装置，能够辅助电气检查装置中使用的探针卡的移载作业，其特征在于，包括：　　　　挂住或者吊下以保持所述探针卡的一对把手的保持部；　　　　可移动地支承所述保持部的支承部；和　　　　升降所述支承部的装置。

本发明提供能够制造电气特性和可靠性优良的半导体装置的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：在形成于半导体基板上的被蚀刻膜的表面，形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模的工序（步骤２）；经由所述蚀刻掩模蚀刻所述被蚀刻膜，在所述蚀刻膜上...

本发明提供一种涂布、显影装置，在基板上涂布抗蚀剂液形成抗蚀剂膜，对于在其表面上形成液层、液浸曝光后的基板进行显影处理，抑制由抗蚀剂膜的变质引起的晶片间的差异。在上述装置中，设有洗净形成有抗蚀剂膜的基板的表面的洗净部；和从上述洗净部取出基...

本发明的目的在于，即使在探针卡的接触器与探测装置内的被检体之间的平行被破坏时也能够将两者调整为平行状态并进行高可靠性的检测。本发明的探针卡通过固定件而被安装在探测装置上，该探针卡包括：接触器；电路基板，与该接触器电连接；加强部件，对该电...

本发明的托架支承装置（１０）支承在垂直方向上设置间隔、以水平姿势容纳有多个接近平板状的被处理体（Ｄ）的托架（Ｃ）。托架具有在垂直方向上设置间隔的多个组的支承层（槽（１Ａ）的下面），各个支承层的组分别支承一个被处理体（Ｄ）的底面边缘。托架...

本发明涉及一种半导体器件的制造方法，在被处理体上配设的被蚀刻膜（７４）上，形成具有规定开口图案的蚀刻掩模（７５ｂ）。然后，在第一处理室内，通过蚀刻掩模（７５ｂ）的开口图案，对被蚀刻膜（７４）实施蚀刻处理，在被蚀刻膜上形成槽或孔（７８ａ）...

本发明的目的在于提供以下技术：在基板上形成抗蚀剂膜并对液浸曝光后的基板进行显影处理的装置中，可抑制液浸曝光残留在基板上的水滴对抗蚀剂图案的显像带来的不良影响。若附着在基板上的液滴经过一段时间，则其尺寸急剧减小，这时，着眼于在基板的抗蚀剂...

本发明提供一种加热处理装置，使用该加热处理装置，即使是大型的基板，也能够可靠地防止基板发生破损，同时还能够提高总处理能力。该加热处理装置（２８）具备：作为把基板Ｇ朝着一个方向搬送的搬送通路的滚子搬送机构（５）、和对在搬送通路上搬送的基板...

本发明是一种具备输送基板的输送臂、和从输送臂获取由输送臂输送的基板的载置机构的基板输送装置，具备：载置部检测装置，设在输送臂上，检测载置部；移动机构，使输送臂沿升降及水平方向移动；控制机构，根据来自载置部检测装置的检测信号控制移动机构。...

本发明提供了一种处理衬底的方法，包括：接收处理前数据，所述处理前数据包括所述衬底的期望处理结果和实际测量数据；确定所需处理结果，所述所需处理结果包括所述期望处理结果和所述实际测量数据之间的差别；通过使用静态配方和公式模型中的至少一个修改...

一种基板加热装置用于在曝光后和显影前的时期内加热涂覆有化学增强型抗蚀剂的基板，该装置具有：安装台，用于在抗蚀剂涂覆薄膜朝上的情况下基本水平地安装基板；流体供给机构，用于向基板供给甘油；以及加热机构，用于在甘油与抗蚀剂涂覆薄膜接触的状态下...

一种批次形成装置，能够通过组合从以层叠状态分别容纳多片基板的多个载体中取出的多片基板来形成基板的批次。批次形成装置包括：从各个载体中取出并搬送容纳在各载体中的多片基板的基板搬送机构；对于由此基板搬送机构搬送的多片基板，通过使基板一片片地...

本发明提供一种成膜装置（２０），具备处理容器（２２）；向该容器内供给含有成膜气体的处理气体的气体供给系统；和对容器内的气氛进行排气的排气系统。在处理容器内，设置有具有载置平板状被处理体（Ｗ）的载置面的载置台（４６）。以加热器（８０）加热...

一种显影装置包括基底保持部，其以这样一种方式水平地保持基底使得抗蚀剂涂层置于上面；向该基底保持元件保持的基底上表面供给显影剂的显影喷嘴；其尺寸在二维的平面视场上等于或大于基底的液体流动抑制元件，该液体流动抑制元件具有包括多个开口以及相对...

在对静止状态的基板的表面供给处理液进行处理时，抑制处理液迂回到基板的背面侧而良好地进行清洗。在对被基板保持部水平地保持的基板供给处理液而进行既定的处理时，例如在供给处理液前从遍及整周地与基板的背面对置的排出口排出清洗液，并且将供给到该基...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室（１０）内支承晶片用的下部电极１６上从第一高频电源（８８）施加相对高频率的第一高频电，从第二高频...