本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在对防反射膜进行蚀刻时，能够在宽范围控制等离子体，由此可控制蚀刻特性的分布，因此在之后的蚀刻对象膜的蚀刻中能够控制ＣＤ分布。本发明的等离子体蚀刻方法用于对在被处理体（Ｗ）上形成的防反射膜进行等离子体蚀刻，...

本发明提供一种基板处理装置，能够不从处理室内取出已中止处理的基板，对已中止处理的基板再进行最佳处理，在基板处理装置（１０）中，系统控制器的ＥＣ（８９），如果检测到在第一工序单元（２５）中对应于晶片Ｗ的制法的ＲＩＥ处理途中发生错误（步骤Ｓ...

本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为６０×１０↑［－９］体积比以下的Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］气体，形成添加氟的碳膜，得到热稳定性优异的添加氟的碳膜。在Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］气体的供给源（１）、与对于晶片（Ｗ）使Ｃ↓［５］Ｆ↓［８...

一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室，第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体，第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体，第二气体具有处理化学剂以处理衬底。衬底夹持器耦合到处理室的...

本发明公开了一种用于在半导体应用中形成薄的完整高ｋ层（１０６、２０７）的方法。该方法包括在处理室（１０、４０２）中提供衬底（２５、１０２、２０２、４０６），在衬底（２５、１０２、２０２、４０６）上沉积厚的完整高ｋ层（２０６），并使所沉积...

提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布，得到优异电气特性（写入、消去特性）的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法，是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法，包...

本发明提供一种能够防止对基板的背面造成伤害的基板处理系统。基板处理系统（１０）包括作为真空系基板搬送装置的传送模块（１１）和在该传送模块（１１）的周围呈放射状配置的四个加工模块（１２～１５），加工模块（１２）利用ＣＶＤ处理在晶片Ｗ的背面...

本发明提供一种在基板处理条件的研究中不耗费时间的基板处理装置。在基板处理装置（１０）中，当在对一批量晶片（Ｗ）实施ＲＩＥ处理期间进行方案的研究时，系统控制器的ＥＣ（８９）作为对一批量晶片（Ｗ）实施的ＲＩＥ处理的方案设定方案Ａ，且使第一处...

本发明提供一种控制基板处理装置的控制装置，可以整理状态，并降低能量消耗。数据库（２５０）将从普通模式向节能模式（节约模式、休眠模式、冬眠模式）的转移时间Ａ、从节能模式向普通模式的恢复时间Ｂ，预先存储到在ＰＭ（４００）中设置的每个单元中。...

本发明提供一种可防止颗粒附着在基板表面上的基板处理装置。基板处理装置（１０）具有在腔室（１１）内载置晶片（Ｗ）的基座（１２）。该基座（１２）与下部高频电源（２０）连接，在该基座（１２）的上部配置内部有电极板（２３）的静电卡盘（４２）。电...

本发明提供一种即使基板大型其安全性也高并可避免颗粒物飞散而生产率高且能以想要顺序使退避的多个基板再进出搬送线的基板缓冲装置（３６），包括：具有多级能进出搬送线（Ａ）且上下放置搬送线（Ａ）上搬送的基板（Ｇ）的载置台（５ａ～５ｆ）的搁板部（...

本发明提供一种基板处理方法，能够在腔室内溶解光致抗蚀剂图形而形成所希望抗蚀剂图形的回流处理中，抑制随腔室内溶剂气氛的置换抗蚀剂图形的变形，防止图形不合格的发生。包括：将腔室（１０）内的气压从基准压力减压到比该基准压力低的第一目标压力Ｐ１...

本发明提供一种被处理件的处理方法及其处理装置，在设置于减压环境的处理室内的载置台上载置了被处理件的状态下，在对前述被处理件实施设定的处理的处理方法中，在前述载置台上未载置被处理件时，从所述处理室内与所述载置台对置的上部电极供给惰性气体，...

本发明提供一种通过使静电卡盘的表面平滑从而能够提高其与基板的传热效率的表面处理方法。基板处理装置（１０）具有收容晶片（Ｗ）的腔室（１１），该腔室（１１）内配置有作为载置晶片（Ｗ）的载置台的基座（１２），该基座（１２）的上部配置有静电卡盘...

本发明涉及半导体处理用的立式等离子体处理装置，其包括一体地附设在处理容器上并由具有绝缘性内面的壳体形成的气密的附属室。附属室横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而具有等离子体发生区域。在处理区域与等离子体发生区域之间配设具有绝缘性表...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，该方法在确保充分的对掩模的选择比和蚀刻率的同时，能够以抗蚀剂膜作为掩模来蚀刻层积膜中的硅层。在等离子体处理装置（１００）的处理室内，对于具有以硅为主要成分的硅层、和在该硅层的上层至少层积形成有氧化硅膜、氮...

一种能够防止给基板的背面造成伤痕的基板处理方法。涂布／显影机（１１）利用涂布单元（２２ｃ）将光硬化性树脂涂布在晶片（Ｗ）的背面上，利用硬化单元（８２ａ）硬化光硬化性树脂，形成树脂保护膜，利用涂布单元（２２ａ）在晶片的表面上涂布正型抗蚀剂...

本发明提供一种能够防止向试验对象物施加过电压的试验对象物的保护电路。测试电路（５）包括：直流电源（１３）；集电极通过测试电路保护用ＩＧＢＴ（１６）与直流电源（１３）的正极连接的负载线圈（１７）；连接该负载线圈（１７）的另一端和具有多个Ｉ...

本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片（Ｓ）的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器（１４）内溅射金属靶（５６）而产生金属离子，同时，对载置台（２０）施加偏置电力，其...

本发明提供一种利用等离子体使金属靶（５６）离子化，产生金属离子，利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台（２０）上载置的被处理体（Ｓ），使金属膜（７４）沉积在形成有凹部（２）的被处理体上以填充凹部的方法。设定偏置电力，使得在被处...