本发明的石英制品烘焙方法，在用于除去搬入热处理半导体基板的热处理装置内且至少部分与热处理装置的热处理气体接触的第一和第二石英制品所包含的金属的烘焙方法，包括下述工序：使用第一夹具要素部件与第二夹具要素部件以可装卸的方式以段状层叠构成的夹...

本发明提供一种石英制品的烘焙方法。作为半导体制造装置的热处理装置的部件、即石英制品在加工时被铜污染，当运转热处理装置时，抑制对半导体基板产生的铜污染。在半导体基板的热处理中尚未使用石英制品的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并且向该石英制...

为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路...

本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

本发明提供了一种用于在处理系统中利用低压沉积工艺在衬底上沉积含硅膜的方法。含硅膜可以通过在处理系统的处理室中提供衬底，加热衬底，并将衬底暴露于六氯乙硅烷（ＨＣＤ）处理气体来在衬底上形成。该方法可以在衬底的硅表面上选择性地沉积外延含硅膜，...

本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Ｓｉ的物质的露出部的构成部件；向所述处理容...

一种成膜装置的使用方法，具备：　　　　在所述成膜装置的反应室内，在被处理基板上形成选自氮化硅膜和氧氮化硅膜中的制品膜的工序；　　　　从所述反应室卸载所述被处理基板的工序；　　　　然后，对附着在所述反应室的内面上的副生成物膜进行氮化的工序...

本发明提供一种能够选择性地除去氮化膜的基板处理方法。在具有由ＳｉＯ↓［２］构成的热氧化膜（５１）和由ＳｉＮ膜构成的氮化硅膜（５２）的晶片（Ｗ）中，使将氧气等离子体化后的氧等离子体与氮化硅膜（５２）接触，使氮化硅膜（５２）变化为一氧化硅膜...

本发明提供一种能够容易地除去因氢氟酸产生的残留物的基板处理方法。向具有热氧化膜（６１）和ＢＰＳＧ膜（６３）的晶片（Ｗ）供给ＨＦ气体，选择性地蚀刻ＢＰＳＧ膜（６３），接着，向晶片（Ｗ）供给ＮＨ↓［３］气体，使由ＳｉＯ↓［２］与氢氟酸反应而...

本发明涉及通过控制透镜形状，增大其表面积，形成使相邻微透镜之间的间隔变窄的微透镜。对于从下方开始按照由ＳｉＮ膜构成的透镜材料层（３１）、由有机膜构成的中间层（３２）、由抗蚀剂膜构成的掩模层（３２）的顺序具备这些层的晶片Ｗ，首先使用含有Ｃ...

提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，...

本发明提供一种用于同时对多个被处理基板实施热处理的立式热处理装置，包括：立式的处理容器，用于收纳被处理基板，处理容器在下端部具有搬送口；保持具，用于在处理容器内以使被处理基板相互隔开间隔并在垂直方向重叠的状态保持被处理基板；和加热器，配...

本发明提供一种ＳｉＯＣＨ膜的成膜方法，其特征在于，具有单元成膜处理工序，并将该单元成膜处理工序反复进行多次，由此在基板上形成ＳｉＯＣＨ膜，所述单元成膜处理工序包括：以有机硅化合物为原料，利用等离子体ＣＶＤ法堆积ＳｉＯＣＨ膜要素的堆积工序...

当将从第二组件（１２）返回至第一组件（１０）的晶片（Ｗ１０１）交给通路部（ＰＡ）时，第一组件（１０）的真空搬送机械手（ＲＢ↓［１］），在使晶片（Ｗ１０１）在通路部（ＰＡ）中等待的状态下，优先进行第一组件（１０）内的串行搬送。然后，真空搬...

本发明提供一种用于被处理物体处理设备的压力控制方法，该方法包括：送入步骤，将负载锁定系统置入大气压力状态中和将未进行ＣＯＲ处理的被处理物体从装载器组件传送到负载锁定系统，同时对热处理系统排气；负载锁定系统排气步骤，终止热处理系统的排气，...

本发明提供一种为了对基板实施相互相同的处理所设计的具备多个处理模块的处理系统的运转方法。当进行各处理模块的调节作为用于实施规定处理方案的准备时，每当一个处理模块的调节完成时，在从收纳未处理基板的盒体到该处理模块的搬送路径上逐次开始未处理...

本发明的基板搬送处理装置设有：对晶圆进行处理的多个处理工位（２０～２３、４０）；搬送晶圆（Ｗ）的搬送工位（３１～３４）；与搬送工位之间交接晶圆的退避工位（３０）；以及探测在处理工位中发生的故障，基于该探测信号来集中控制各工位的ＣＰＵ（６...

本发明是以矩形基板的一对边实际上与输送方向平行而另一对边实际上与输送方向垂直的方式输送悬浮在载物台上方的矩形基板的载物台装置，载物台，具有用于喷射气体的多个气体喷射口、和用于利用吸气吸引矩形基板的多个吸气口，利用基于吸气机构的经由多个吸...

本发明涉及一种成膜装置的使用方法，通过向处理容器的处理区域内供给第一成膜气体的第一成膜处理，在处理区域内，在第一处理基板上形成第一薄膜。从处理容器卸载第一处理基板之后，进行处理容器内的清洗处理。清洗处理包括在向处理区域内供给清洗气体的同...

本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，它具备：产生等离子体的等离子体发生部；在内部收容被处理基板的腔室；设置在所述等离子体发生部和所述腔室之间，支撑所述等离子发生部并且装载在所述腔室上，将等离子体形成用的处理气体导入由所述等离子体...