本发明涉及阀芯、阀、转换阀和收集装置。当使流体在阀芯（１）的第一流路（１１ａ）中流动时，通过将空气从空气导入路（３５ａ）导入气缸（３ａ）中，使动作板（５ａ）滑动，驱动轴（４ａ），使密封板（６ａ）的第二密封面（８ａ）后退至与壁（１３ａ）抵...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，即使规定的蚀刻条件是蚀刻开口性降低的条件，也能够同时获得良好的开口性以及蚀刻性。向处理容器（１０）内搬入依次形成有作为蚀刻对象的氧化膜和图案化的光致抗蚀剂膜的半导体晶片（Ｗ），载置于下部电极（１６），接着...

本发明提供一种结构紧凑、成本低廉，能以稳定固定力固定探针卡且在驱动装置中能简单改变探针卡保持力的探针卡固定机构。本发明的探针卡的固定机构（１０）包括固定于顶板（１１）的开口部的镶嵌垫环（１２）、可旋转地被支撑在该镶嵌垫环上的锁定环（１３...

本发明提供了使用电识别码和光识别码的半导体芯片，在同一处理中形成的这两种码总是彼此一一对应。与电可读识别码相关联的光可读布线图案被形成在半导体芯片的顶层上或者从顶层光可识别的层上，并被用作光识别码。因此，所提供的半导体芯片使得光可读布线...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其在氧化膜上蚀刻微小且具有高深宽比的孔洞时，能够同时获得良好的蚀刻选择性以及形状性。该方法包括：将依次形成有作为蚀刻对象的氧化膜、硬掩模层、图案化光刻胶的基板搬入到处理容器（１０）内，载置于所述下部电极的...

本发明提供一种修补方法，能够简易并且适当地对静电吸附电极的破损部位进行修补。其对裂纹（１００）的周围进行切削，形成锥状的凹部（５１）。然后使用喷镀装置（２０２）喷镀绝缘物（６０），从而埋住凹部（５１）。接着对埋入凹部（５１）中的绝缘物（...

本发明提供一种高折射率液体循环系统，不使装置以及工艺规程的构成复杂，减少由高折射率液体构成的曝光液和清洗液的使用量，且能防止在基板上产生处理斑点。高折射率液体循环系统（９）包括：回收在液浸曝光部（３０）使用的高折射率液体的第一回收部（４...

本发明提供了一种通过处理系统中的低压沉积工艺在衬底上的微构件中沉积含硅膜的方法。通过在处理系统的处理室中提供衬底，然后将六氯乙硅烷（ＨＣＤ）处理气体暴露于所述衬底，可以在微构件中形成含硅膜。本发明还提供了一种处理设备，所述处理设备包括使...

本发明提供一种电容元件的制造方法，其特征在于：（ａ）在基板上形成绝缘膜，（ｂ）在上述绝缘膜上形成下部电极层，（ｃ）包括：第一工序（ｃ１），在不供给氧化性气体的状态下，向上述下部电极层上供给一种或多种有机金属材料气体和气化的有机溶剂中的至...

一种液体处理系统，包括：液体处理部（２１ｂ），水平设置有向基板（Ｗ）供给处理液来进行液体处理的多个液体处理单元（２２）；处理液存留部（２１ｈ），对向液体处理部的多个液体处理单元供给的处理液进行存留；配管单元（２１ｆ），具有从处理液存留部...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，在包括对金属膜进行湿式蚀刻的工序和随后对该金属膜进行干式蚀刻的工序的情况下，能够减轻因在湿式蚀刻工序中在金属膜上形成的变质层的残渣引起的对后续工序带来的恶性影响以及对设备特性带来的恶性影响，从而能够稳...

为使光刻胶图案的线宽在晶圆面内均匀形成，进行热板的温度设定。ＰＥＢ装置的热板划分成多个热板区域，可对每个热板区域进行温度设定。热板的各热板区域分别设定温度校正值，用以对置于热板上的晶圆进行面内温度调整。用根据热板中热处理形成的光刻胶图案...

一种涂敷、显影装置及其方法。在一个组（Ａ）的基板与后续其它组（Ｂ）的基板之间变更第二加热单元的加热处理温度时，提高处理能力。在按调温单元（ＣＰＬ２）、涂敷单元（ＢＣＴ）、加热单元（ＬＨＰ２）、调温单元（ＣＰＬ３）、涂敷单元（ＣＯＴ）、加...

本发明提供一种能够正确并且简易地对能够搬送地支撑基板时的支撑状态有无异常进行检测的基板检测机构。本发明的基板检测机构包括在能够搬送的高度位置支撑基板（Ｇ）的升降销（１３０）、对在升降销（１３０）支撑基板（Ｇ）的高度位置有无基板进行检测的...

本发明涉及一种半导体处理用的热处理装置，包括反应管，该反应管具有对以一定间隔层叠的多个被处理基板进行容纳的处理区域。气体供给管路一体地附设在上述反应管的壁的外侧上，在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向延伸。在上述反应管的上述壁的侧部上...

本发明提供一种显影装置及显影方法，对应抗蚀剂种类或抗蚀剂图形，调整显影液的温度。利用显影液喷嘴扫描涂敷显影液，所述显影液喷嘴具有基板有效区域的宽度对应的长度的狭缝状喷出口。在显影液一定时间保持盛放在基板上的状态后，利用稀释液喷嘴扫描涂敷...

本发明提供了一种真空处理装置，其在对基板执行真空处理时，在开始使用静电卡盘前，能够诊断电介质层的绝缘状态。在吸附保持玻璃基板（Ｇ）等的喷涂型的静电卡盘（２２）中，高压电源（６７）向静电卡盘（２２）的卡盘电极（２４）施加比吸附保持玻璃基板...

本发明提供一种能够防止在基板上发生处理不良的图形形成方法，包括：在作为基板的晶片Ｗ上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜并且涂敷保护液形成保护膜的工序（步骤２）；在浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，使在晶片Ｗ上形成的抗蚀剂膜...

本发明提供一种图形形成方法和该方法所使用的图形形成装置，即便是为了浸液曝光而使基板表面为疏水性的基板，也能够均匀且稳定地形成规定的抗蚀图形。在涂布显影液形成抗蚀图形之前，向通过浸液曝光而使抗蚀膜曝光为规定图形的基板表面供给药液，使基板表...

本发明描述了一种用于通过将羰基金属前驱体（５２、１５２）的蒸汽与ＣＯ气体混合来增大以羰基金属前驱体（５２、１５２）形成的金属层的沉积速率的方法（３００）。该方法（３００）包括在沉积系统（１、１００）的处理室（１０、１１０）中提供衬底（２...