【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用六氯乙硅烷或其它含氯硅前驱体的微构件填充工艺和装置 相关申请的交叉引用本申请与2003年9月30日提交的美国申请No. 10/673375相关，通过 引用将其全文结合于此。魷舰本专利技术涉及半导体处理，更具体地涉及使用六氯乙硅烷(HCD)处理 气体来填充半导体衬底上的微构件的工艺和处理设备。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，有时在衬底表面上形成微结构以隔离器 件和形成其它器件(例如电容器)等。然后，通常用硅烷(SiH4)将这些 微结构填充。随着电路结构縮小至越来越小的特征尺寸，衬底上的微构件 的深宽比(深度与宽度之比)增大，见图1。当在多晶硅工艺中仅使用硅 烷时，微构件内部的缺陷水平随着微构件深宽比增大而提高。此外，由于 绝对尺寸降低，会出现不依赖于微构件深宽比的产生缺陷的新机制。 一种 常见的缺陷是在微构件内部产生空隙。这些空隙形成了高电阻区域，并且 可能会干扰电路操作。几种可能形成空隙的原因是沉积气体耗尽、成核特性不同、存在气 相自由基、以及氢气从沉积膜上释放。专利技术概述本文所用术语微构件是指在衬底中和/或在形成于衬底上的一个层 或多个层中形成的构件(fe...
【技术保护点】
一种在衬底上的微构件中沉积含硅材料的方法，所述方法包括：在处理系统的处理室中提供包括微构件的衬底；将含硅处理气体暴露于所述微构件，其中所述含硅处理气体为ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ↓［４］和ＳｉＨＣｌ↓［３］中的至少一种或其组合；以及将由所述含硅气体得到的含硅材料沉积在所述微构件中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-1-18 11/035,7301.一种在衬底上的微构件中沉积含硅材料的方法，所述方法包括在处理系统的处理室中提供包括微构件的衬底；将含硅处理气体暴露于所述微构件，其中所述含硅处理气体为HCD、DCS、SiCl4和SiHCl3中的至少一种或其组合；以及将由所述含硅气体得到的含硅材料沉积在所述微构件中。2. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括使所述含硅处理气 体以约5-1000 sccm的流率流动。3. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括使所述含硅气体以 约80 sccm的流率流动。4. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括将含氢气体暴露于 所述微构件。5. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括将包含H2、 GeKU、 B2H6、 PH3和SiH4中的至少一种或其任意组合的含氢气体暴露于所 述微构件。6. 如权利要求5的方法，其中所述含硅气体与所述含氢气体之比为约 2:1-1:2之间。7. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括使含氢气体以约5-5000 sccm的流率流动。8. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括将第二含硅气体暴 露于所述微构件。9. 如权利要求8的方法，其中所述暴露操作还包括使所述第二含硅气 体以约5-1000 sccm的流率流动。10. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括将HCD、 (SiH4+HCl) 、 DCS、 SiCL 、 (HCD+SiH4)和SiHCl3中的任意两种暴露于所述微构件。11. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括将含氢气体和第 二含硅气体暴露于所述微构件。12. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括将所述含硅气体 以及含磷气体、含硼气体和含锗气体中的至少一种暴露于所述微构件。13. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括将含氢气体和含 锗气体暴露于所述微构件。14. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括将H2和GeH4暴 露于所述微构件。15. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括，首先用所述含 硅处理气体进行处理，然后在所述微构件被基本填充之前将所述处理气体 转换为另一种含硅气体。16. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括，首先用所述含 硅处理气体进行处理，然后在所述微构件被基本填充之前将所述处理气体 转换为HCD和另一种含硅气体。17. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括，首先用所述含 硅处理气体进行处理，然后大约在所述微构件被基本填充时将所述处理气 体转换为另一种含硅气体。18. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括，首先用所述含 硅处理气体进行处理，然后大约在所述微构件被基本填充时将所述处理气 体转换为HCD和另一种含硅气体。19. 如权利要求1的方法，其中所述暴露操作还包括，首先用所述含 硅处理气体进行处理，然后逐步改变所述含硅处理气体的百分比，并逐步 代之以另一种含硅气体。20. 如权利要求1的方法，还包括提...
【专利技术属性】
技术研发人员：艾伦利思，安东尼迪朴，吴昇昊，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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