在本发明中，在形成ＤＲＡＭ中的栅极绝缘膜的情况下，对成为栅极绝缘膜的基底的氧化膜实施等离子体氮化处理。通过使用着形成有多个通孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。由等离子体氮化处理所形成的栅极绝缘膜中的氮浓度为５～２０％原子浓...

本发明提供了一种方法和系统，用于对衬底固定器上表面的温度分布进行迅速控制，以在该表面上得到具体的均匀温度分布或具体的非均匀温度分布。衬底固定器包括位于第一热区域中的第一流体通道，该通道采用具体流速和具体温度下的传热流体来控制衬底固定器表...

本发明涉及一种立式热处理装置，包括：热处理炉；保持件，能够在上下方向以规定间隔多层保持多片被处理体，并且能够将其搬入搬出所述热处理炉内；移载机构，具有可以升降及旋转的基台和可以在该基台上沿水平方向进退的基板支承件；以及控制所述移载机构的...

一种衬底处理系统，配置有通过对含氧气体放电而产生含臭氧气体的臭氧发生器，以及多个都能够在其中容纳衬底以通过供应的含臭氧气体处理衬底的处理容器。流量调节器控制供给臭氧发生器的含氧气体。控制器控制流量调节器，从而通过控制供给臭氧发生器的含氧...

本发明涉及一种立式热处理装置，其特征在于，包括：热处理炉；保持件，能够在上下方向以规定间隔多层保持多片被处理体，并且该保持件能够搬入搬出所述热处理炉内；移载机构，具有可以升降及旋转的基台和可以在该基台上沿水平方向进退的基板支承件；以及控...

本发明提供一种在半导体制造工序中，能够简化晶片盒的运用，降低运用成本的晶片盒的搬送方法，晶片盒的运用方法及晶片盒搬送用保持部件。本发明的晶片盒的运用方法的特征在于，在该晶片盒（１０）的两个侧面（１１Ａ）分别可装卸地设置有手柄，在自动搬送...

提供一种在溶解光致抗蚀剂形成期望抗蚀剂图形的回流处理中，能够形成具有充分膜厚均匀性的抗蚀剂图形，并能抑制效率下降的基板处理装置以及基板处理方法。其包括：温度调节板（１１），载置基板（Ｇ），并用于将基板载置面的温度作为规定温度对基板温度进...

一种能够限制颗粒产生的基板传送装置。该基板传送装置（１）包括容纳晶片（Ｗ）的处理腔（１２）、用于将晶片传送到处理腔中的传送臂（１７），和置于处理腔中并安装传送晶片的基座（４５）。带有多个突起（５５ａ）的静电夹盘（５５）置于基座的上部内。...

在本发明中，搬运系统（１）铺设了通过被设置在各处理装置（１０）、（１００）、（２００）前面侧的载置台（１１）等的下方、由覆盖体（５）覆盖的搬运路径。由于将搬运路径的位置设在下方，载置台（１１）等的占有区域和搬运路径所涉及的区域的一部分被...

在叠层有例如ＳｉＯＣＨ膜的绝缘膜的基板中，对由等离子体进行蚀刻和灰化而脱离了Ｃ元素的损伤层进行修复，该绝缘膜由含有硅、碳、氧和氢的低介电常数膜构成。使Ｃ↓［８］Ｈ↓［１８］Ｏ↓［２］气体热分解，其结构式为（ＣＨ↓［３］）↓［３］ＣＯＯＣ...

本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器（５１）内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在６６７Ｐａ以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行５秒～４５秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成...

基于有关温度的条件，判定是否为了调整处理容器内的状态实施模拟处理。ＥＣ２００包括对于产品基板（晶片（Ｗ））实施蚀刻处理的基板处理实施部（２８０）；对于模拟基板实施模拟处理的模拟处理实施部（２７５）；以及基于与温度相关的条件判定是否实施模...

本发明提供一种在抗蚀剂的回流处理中，能够高精度地控制软化的抗蚀剂的流动方向和流动面积，因而可以应用于图形形成以及液晶显示装置用ＴＦＴ元件的制造中的技术。在回流处理的抗蚀剂（１０３）的表面上设置有高低差，具有厚膜部（１０３ａ）以及膜厚相对...

本发明的半导体装置的制造方法，进行以下工序：在半导体基板上形成栅极绝缘膜的工序；在该栅极绝缘膜上至少形成包括多晶硅层和含有高熔点金属的金属层的叠层体的工序；对该叠层体进行蚀刻处理，形成栅极电极的工序；和利用由具有多个狭缝的平面天线向处理...

本发明涉及一种基板处理方法，是在基板的基底材料的表面上形成Ｃｕ膜前对该基板实施的基板处理方法，其特征在于，包括：准备形成有Ｃｕ膜的基板的准备工序；对该基板进行规定的处理，使所述基板的基底材料表面的结晶性显示出与该Ｃｕ膜的晶格不匹配小的取...

本发明提供一种能够防止陶瓷制的载置台的破裂和该载置台与支撑该载置台的支柱之间的接合部的破裂的载置台结构。该载置台结构包括：用于在处理容器（４）内对被处理体（Ｗ）进行规定的热处理而载置上述被处理体的陶瓷制的载置台（３２）；和支撑上述载置台...

一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，包括处理容器，该处理容器具有收纳隔开间隔而层积的多个被处理基板的处理区域和偏离上述处理区域的边缘空间。当处理被处理基板时，通过同时从处理气体供给系统将处理气体供给处理区域、和从阻挡气体供给系统将阻...

在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形。然后，对被刻蚀膜进行刻蚀，剥离抗蚀剂图形，通过散射测量技术测定上述多个部位...

在本发明的涂敷、显影装置中，将检测站设置在盒站与处理站之间，减少基板在检测模块中浪费的滞留时间。检测站内的基板搬送单元，使盒站与处理站之间的基板交接优先，在处理站内的基板搬送装置的周期时间内的残留时间内，对于检测模块进行基板的交接，对于...

本发明提供一种尽可能缩小基板收纳部的基板的收纳空间，以实现装置的小型化、增大基板的收纳数量，并且提高生产率的基板搬送处理装置。该基板搬送处理装置包括：配置收容晶片的载体的载体块；具有晶片的处理单元的处理块；将晶片交接至处理单元的主臂；配...