基板处理装置的控制装置、方法制造方法及图纸

基于有关温度的条件，判定是否为了调整处理容器内的状态实施模拟处理。ＥＣ２００包括对于产品基板（晶片（Ｗ））实施蚀刻处理的基板处理实施部（２８０）；对于模拟基板实施模拟处理的模拟处理实施部（２７５）；以及基于与温度相关的条件判定是否实施模拟处理的判定部（２７０）。判定部（２７０）取得有关调整ＰＭ４００中设置的各ＰＭ处理容器内的气氛用的温度的信息，基于取得的温度信息判定处理容器的温度状态是否已被调整。在判定部（２７０）判定处理容器的温度状态已被调整的情况下，基板处理实施部（２８０）进行控制，使得不在模拟处理实施部（２７５）实施模拟处理，而是直接对产品基板实施蚀刻处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及控制对产品基板实施规定处理的基板处理装置的控制装置、控制方法及存储有其控制程序的记录介质。特别是涉及判定为了调整处理容器内的状态是否实施模拟处理的控制装置、控制方法及存储有其控制程序的记录介质。
技术介绍
一般地，在基板处理装置中，基于预先确定的方案中所定义的顺序进行CVD(化学气相沉积)处理、蚀刻处理、灰化处理等基板处理。其中，在CVD处理中，在多个基板上形成膜时，膜也会慢慢地沉积在处理容器的内壁上。而且，在蚀刻处理中，在去除形成在基板上的膜时，反应生成物会被等离子体分解，附着于处理容器的内壁上。这些杂质会由于处理容器内的反复加热及冷却而从处理容器的内壁上剥离或脱落，作为颗粒落到基板上，由此，会引起处理后的产品的性能恶化，这种情况是不希望得到的。这里，为了避免上述颗粒的问题，在现有技术中，具有对处理容器内进行定期的清扫，并且在清扫工序后为了自动地调整处理容器内的气氛进行陈化(seasoning)的技术(例如，参照专利文献1)。在该陈化(seasoning)工序中，基于预先确定的方案中所表示的顺序，对非产品基板实施模拟处理，由此调整基板处理装置的状态。专利文献1日本特开平10-233387号公报然而，在处理容器内的状态稳定的情况下，认为没有必要进行模拟处理。而且，此时还可以认为没有必要考虑压力等温度以外的状态。其理由将于下面说明。就是说，在处理条件中，温度的响应性最差。例如，即使进行变更使设置在基板处理装置中的加热器等的设定温度与处理条件相一致，与之响应，直至处理容器内的温度稳定在与处理条件相一致的温度，也需要相当长的时间。因此，在处理容器内的状态不稳定的情况下，在产品基板的处理之前，必须首先将温度变更为与处理条件相一致的值，必须等待处理容器内的实际温度缓慢地变化到设定温度。这样，在处理容器内的状态未调整的情况下，必须从其响应性的不良出发而预先控制温度条件。从这一观点考虑，在处理容器内的状态未稳定的情况下，为了预先对处理容器内的状态(特别是温度状态)进行调整而实施的模拟处理就有很大的意义。与此相比，压力及投入功率等温度以外的处理条件，其响应性就较好。例如，即使将气体的流量、气体的排气量、及供电量变更为与处理条件相一致的值，处理容器内的状态也能够比较即时地达到目标值。因此，为了调整温度以外的处理条件而在基板处理之前预先进行模拟处理，不仅是在该处理中所花费的能源及材料等资源的浪费，而且如果实施不需要的模拟处理，则其间不能够生产产品，所以存在生产能力下降、产品的生产性下降的问题。
技术实现思路
为了消除上述问题，在本专利技术中，提供基于有关温度的条件，判定是否为了调整处理容器内的状态，而实施模拟处理的基板处理装置的控制装置、其控制方法及其控制程序。就是说，为了解决上述问题，根据本专利技术的一个观点，提供一种控制基板处理装置的控制装置，是通过设置对于产品基板实施规定的处理的基板处理实施部与对非产品基板实施模拟处理的模拟处理实施部而对基板处理装置进行控制的控制装置。该控制装置包括判定部，该判定部取得有关调整上述基板处理装置中设置的处理容器内的气氛用的温度的信息，基于所取得的温度信息判定上述处理容器内的温度状态是否已被调整。在由上述判定部判定了上述处理容器内的温度状态已被调整的情况下，不在上述模拟处理实施部中实施上述模拟处理，上述基板处理实施部对于产品基板实施规定的处理。在对产品基板实施蚀刻处理等规定的处理的情况下，必须预先将处理容器内的气氛调整为与处理条件相一致的状态。特别是对于温度的来说，如上所述，使处理容器内的实际温度移动达到目标值，需要相当长的时间，所以为了预先对处理容器内的温度状态进行调整而实施的模拟处理就有很大的意义。但是，压力或投放功率等温度以外的处理条件，其响应性就较好。例如，在欲将气体的流量及气体的排气量、供电量变更为与处理条件相一致的值时，处理容器内的状态能够比较瞬时地达到目标值。这样，为了预先调整处理容器内的温度以外的处理条件而花费多的费用与时间进行模拟处理，是很不合算的。因此，根据本专利技术，在判定上述处理容器的温度状态已被调整的情况下，不实施上述模拟处理，对于产品基板实施蚀刻处理等规定的处理。由此，能够抑制实施模拟处理时消耗的气体及电力等能源及材料等资源的浪费。进而，能够在产品的生产中有效地使用实施模拟处理所花费的时间。其结果，在节省能源的同时，还能够提高产品率，使产品的生产性飞跃上升。进而，还可以包括存储产品基板的处理中所使用的一个或两个以上的方案的存储部，上述判定部将上述存储部中存储的方案中前一产品基板的处理中使用的方案的设定温度，与随后产品基板的处理中使用的方案的设定温度进行比较，作为第一判定条件，由此判定上述处理容器的温度状态是否已经被调整。而且，上述判定部也可以在上述第一条件的基础上，将从以前的产品基板的处理中使用的方案的设定电力所计算出的值，与随后产品基板的处理中使用的方案的设定电力进行比较，作为第二判定条件，由此判定上述处理容器的温度状态是否已被调整。这里，所谓从以前的产品基板的处理中使用的方案的设定电力所计算出的值，可以是属于前一处理过的批量的多个基板所使用的多个方案设定电力的平均值，也可以是最近处理过的基板所使用的方案的设定电力。上述基板处理装置包括检测上述处理容器内的温度的温度传感器，上述判定部也可以取得由上述温度传感器所检测的处理容器内的温度，将取得的容器内的温度与随后产品基板的处理中使用的方案的设定温度进行比较，作为第三判定条件，由此判定上述处理容器的温度状态是否已被调整。由此，通过处理容器内的实际温度与方案设定温度的差异，判定处理容器的温度状态是否已被调整。通过这样将实际的温度与随后工序中使用的方案设定温度进行比较，能够根据处理容器的实际状态来可靠地判定处理容器的温度状态是否已被调整。其结果，能够更可靠地判定是否有必要进行模拟处理。此外，作为传感器检测的处理容器内的温度，优选是上部电极附近的温度，但是，例如也可以是下部电极附近的温度、载置基板的载置台的温度、处理容器侧壁的温度、加热器的设定温度等，只要是表示处理容器内的温度状态的值，什么的检测值都可以。再者，还包括批量连续投入指示部，其指示批量的连续投入，使得在由包含处理中的产品基板的产品基板组所构成的第一批量之后，连续地处理由其它产品基板组所构成的第二批量。上述判定部仅在由上述批量连续投入指示部指示了批量连续投入的情况下，基于第二判定条件或包含第二判定条件的条件进行判定。再者，还包括批量非连续投入指示部，其指示批量的非连续投入，使得在不存在由包含处理中的产品基板的产品基板组所构成的批量的状态下，非连续地实施对于一个批量的处理，上述模拟处理实施部，在由上述批量非连续投入指示部指示了批量的非连续投入的情况下，在上述判定部中不实施上述判定，在对上述非连续投入的批量的产品基板实施上述规定的处理之前，对非产品基板实施模拟处理。在非连续地实施批量处理的情况下，从前一处理过的批量(产品基板)的处理时刻开始到随后将要处理的批量的处理时刻为止，可以认为经过了较长的时间。例如，在基板处理装置的检修后投入批量(晶片)的一类情况。在这样的情况下，处理容器内的状态崩溃、不稳定。因此，在处理产品基板前必须调整处理容器内的状态。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置的控制装置，其特征在于：通过设置对于产品基板实施规定处理的基板处理实施部与对非产品基板实施模拟处理的模拟处理实施部，控制基板处理装置，包括判定部，取得有关调整所述基板处理装置中设置的处理容器内的气氛用的温度的信息，基于所取得的温度信息，判定所述处理容器内的温度状态是否已被调整，在由所述判定部判定过所述处理容器内的温度状态已被调整的情况下，不在所述模拟处理实施部中实施所述模拟处理，所述基板处理实施部对于产品基板实施规定处理。

【技术特征摘要】
JP 2006-3-29 2006-0911021.一种基板处理装置的控制装置，其特征在于通过设置对于产品基板实施规定处理的基板处理实施部与对非产品基板实施模拟处理的模拟处理实施部，控制基板处理装置，包括判定部，取得有关调整所述基板处理装置中设置的处理容器内的气氛用的温度的信息，基于所取得的温度信息，判定所述处理容器内的温度状态是否已被调整，在由所述判定部判定过所述处理容器内的温度状态已被调整的情况下，不在所述模拟处理实施部中实施所述模拟处理，所述基板处理实施部对于产品基板实施规定处理。2.根据权利要求1所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于还包括存储基板的处理中所使用的一个或两个以上的方案的存储部，所述判定部，将所述存储部中存储的方案中前一产品基板的处理中使用的方案设定温度与随后产品基板的处理中使用的方案设定温度进行比较，作为第一判定条件，由此判定所述处理容器的温度状态是否已被调整。3.根据权利要求2所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于所述判定部，在所述第一判定条件的基础上，将从以前的产品基板的处理中使用的方案设定电力所计算出的值，与随后产品基板的处理中使用的方案设定电力进行比较，作为第二判定条件，由此判定所述处理容器的温度状态是否已被调整。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于所述基板处理装置包括检测所述处理容器内的温度的温度传感器，所述判定部取得由所述温度传感器所检测出的处理容器内的温度，将取得的处理容器内的温度与随后产品基板的处理中使用的方案设定温度进行比较，作为第三判定条件，由此判定所述处理容器的温度状态是否已被调整。5.根据权利要求3所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于还包括批量连续投入指示部，其指示批量的连续投入，使得在由包含处理中的产品基板的产品基板组所构成的第一批量之后，连续地处理由其它产品基板组所构成的第二批量，所述判定部仅在由所述批量连续投入指示部指示了批量的连续投入的情况下，基于所述第二判定条件或包含第二判定条件的条件进行判定。6.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于还包括批量非连续投入指示部，其指示批量的非连续投入，使得在不存在由包含处理中的产品基板的产品基板组所构成的批量的状态下，非连续地实施对于一个批量的处理，所述模拟处理实施部，在由所述批量非连续投入指示部指示了批量的非连续投入的情况下，在所述判定部不实施所述判定，在对所述非连续投入的批量的产品基板实施所述规定的处理之前，对非产品基板实施模拟处理。7.根据权利要求4～6中任一项所述的基板处理装置的控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：横内健，八木文子，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]