液体处理装置包括：基板保持部，水平地保持基板，能够与基板一起旋转；旋转杯，围绕保持在基板保持部上的基板，能够与基板一起旋转；旋转机构，使旋转杯及基板保持部一体地旋转；液体供给机构，对基板供给处理液；排气排液部，进行旋转杯的排气及排液。排...

一种液体处理装置，包括：基板保持部，水平地保持基板，并能够与基板一同旋转；旋转杯，围绕被基板保持部保持的基板，能够与基板一同旋转；旋转机构，使旋转杯以及基板保持部一体旋转；液体供给机构，至少对基板的表面供给处理液；排气／排液部，从旋转杯...

本发明公开了一种基板处理装置，具备：设置在输送机构上、用于把持处理液供应喷嘴的把持卡盘，与把持卡盘邻接设置的定位销，设置在多个处理液喷嘴的每一个上、使设置在上述输送机构上的把持卡盘可在与供应管路和用于排出处理液的喷嘴主体连接的块状的喷头...

本发明是一种用于在能够被抽空以在其中产生真空的处理容器中，在等离子体存在的情况下在待处理物体上执行蚀刻处理的蚀刻方法，在待处理物体中，在由含硅材料制成的基底层上形成有由含钨材料制成的待蚀刻层，其中含氯气体、含氧气体和含氮气体被用作用于执...

本发明提供一种对被处理体（Ｗ）施加规定热处理的热处理装置（２），具备：能够排气的处理容器（４）；设置在所述处理容器（４）内，用于在其上面侧载置所述被处理体的载置台（１８）；设置在所述载置台（１８）上部的多个热电转换元件（２２）；气密地覆...

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：　　　　利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内，产生处理气体的等离子体，利用该等离子体在被处理基板的包含硅的层上形成氮化区域的氮化区域形成工序；和　　　　将所述氮化区域作为氧化阻挡层，利...

本发明描述了一种用于利用ＣＯ气体和稀释气体增大以羰基金属前驱体（５２、１５２）形成的金属层（４４０、４６０）的沉积速率的方法（３００）和沉积系统（１、１００）。该方法（３００）包括在处理系统（１、１００）的处理室（１０、１１０）中提供衬...

本发明提供一种检查装置，该检查装置能够不增加已有的单装载类型的检查装置的占地面积而在实现省空间化的同时将其改变成双装载类型的检查装置，而且能够与单装载类型用的自动搬送线结合而提高检查效率。本发明的检查装置包括对晶片进行检查的探针室、和沿...

本发明提供一种处理装置，该处理装置能够不增加已有的单装载类型的处理装置的占地面积，通过增设装载端口而改变成双装载类型的处理装置，而且，能够利用已有的自动搬送线实现晶片搬送的完全自动化。本发明的装载室（１１）包括：在探针室（１２）的侧面隔...

本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半 导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖 部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由 周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上...

本发明提供一种选择性等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氧等离子体对在表面上具有硅和氮化硅层的被处理体进行作用，选择性地对硅进行氧化处理，使得在氮化硅层中形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于所形成的硅氧化膜的膜厚的比率为２０％以下。

基片传递设备包括彼此之间垂直地间隔预先确定的距离的叉。当叉从第一基片包含部分取出基片时，每个叉通过从定位在将要取出的基片下方的预卸载位置向上运动预先确定的卸载行程量提升基片并且支撑基片。预先确定的距离的值设定为等于包含在第一基片包含部分...

本发明提供一种探针顶端检测方法，先于检测出探针顶端的水平方向位置进行，利用具备第一ＣＣＤ照相机（１３Ｂ）和设在载置台（１１）上的第二ＣＣＤ照相机（１３Ｃ）的校准机构（１３），在检测出设在载置台（１１）上方的多个探针（１２Ａ）的顶端高度时...

本发明提供一种信息处理装置（１００），处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行与作为设定处理条件的值的设定值相应的处理的半导体制造装置（２００）的处理时状态取得的值的取得值，包括：接受设定值的设定值接受部（１０１）、接受取得值的状态值接...

本发明提供一种成膜方法，该成膜方法利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，其内部具备保持被处理基板的保持台；和喷头部，向上述处理容器内供给用于成膜的处理气体，向该处理容器内施加用于激发等离子体的高频电力。该成膜方法的特征在于，包括：...

液体处理装置具备：基板保持部（２），水平地保持基板（Ｗ），能够与基板一起旋转；呈环状的旋转杯体（４），围绕保持在基板保持部上的基板，能够与基板一起旋转，承接被从基板甩脱的处理液；旋转机构（３），使旋转杯体及基板保持部一体地旋转；液体供给...

一种液体处理装置，具备：水平保持基板（Ｗ）并能够与基板一同旋转的基板保持部（２）；以围绕被基板保持部保持的基板的方式形成为环状，并能够与基板一同旋转的呈环状的旋转杯体（４）；使旋转杯体及基板保持部一体旋转的旋转机构（３）；向基板供给处理...

本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：收纳基板的处理室；设置在所述处理室的上方、并且分别照射所述基板的多个光源；内面形成为圆顶状的反射面，反射从所述各个光源发出的光的一部分并导向所述基板的第一反射镜；和分别设置于所述各个光源，反射...

本发明涉及一种加热装置，该用于加热被处理体（Ｗ）的加热装置（６２），包括多个加热光源，该加热光源具有向所述被处理体射出波长３６０～５２０ｎｍ范围内的加热用光的ＬＥＤ元件（７４）。由此，能够在与膜种没有关系的温度分布均一的状态下，只使半导...

本发明涉及一种使真空容器（２）和与真空容器（２）的开口部连接并封闭该开口部的部件的盖体（３）之间密封的密封结构。在存在于真空容器（２）与盖体（３）之间的弹性体制的Ｏ形环（６４）的内部形成有空腔（６６），在空腔（６６）内配置有冷却管（６５...