本发明提供一种能够防止基板缺陷的中间搬送室。基板处理系统（１）包括：对晶片（Ｗ）实施等离子体处理的处理模块（２）、从前开式统集盒（５）中取出晶片（Ｗ）的大气系搬送装置（３）、和作为搬入搬出晶片（Ｗ）的中间搬送室的负载锁定模块（４）。负载...

一种基板处理方法，所述基板上带有绝缘膜和金属层，该方法包括向基板提供羧酸酐、和在向基板提供羧酸酐的过程中加热基板的步骤。

本发明涉及一种成膜方法，具备向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体的第一气体供给工序；向上述处理容器内供给包括含氮气体、含硅气体或含碳气体中的任一种或多种气体的第二气体供给工序，在载置于上述处理容器内的被处理体表面，形成由高...

本发明涉及一种挤压件，其具备接触器、晶片固定装置以及存放在该晶片固定装置上的半导体晶片（Ｗ），该接触器具有耐热片基以及在该耐热片基上形成的导体电路，被用来在不低于１６０℃的温度下执行可靠性评估测试，该耐热片基的热膨胀系数为１～５０ｐｐｍ...

本发明提供一种立式热处理装置，实现装载时反应管的内壁的温度稳定化，抑制例如附着在内壁上的膜剥落，减少颗粒污染。使用该热处理装置的热处理方法，预先在反应管的内壁上安装内壁温度传感器，求得内壁温度传感器的检测值和向加热单元供给的电力的指令值...

本发明提供一种工作台装置，具有在上方进行基板的输送的工作台、以及、使基板在该工作台上上浮的上浮机构，工作台具有用来喷射使基板（Ｇ）上浮的气体的多个气体喷射口（１６ａ）、以及、对从气体喷射口（１６ａ）喷射的气体进行吸引的多个吸气口（１６ｂ...

一种用于在半导体器件的制作中处理栅叠层的方法包括：提供包含栅叠层的衬底，所述栅叠层具有形成在衬底上的介电层和形成在介电层上的含金属栅电极层；在等离子体中利用处理气体形成低能激发掺杂剂物质；以及将栅叠层暴露于激发掺杂剂物质以将掺杂剂结合到...

本发明提供一种即便被支承部件支承的基板的挠曲量发生变化也能可靠并且容易地检测有无基板的基板检测机构。在收纳基板（Ｇ）的容器主体（１０２）内设置支承基板（Ｇ）的支承部件（５４）、和检测被支承部件（５４）支承着的基板的有无的基板检测机构。基...

本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器（１８）内，去除形成在被处理体（Ｗ）表面的硅氧化膜，使用ＨＦ气体与ＮＨ↓［３］气体的混合气体去除...

本发明涉及一种在处理容器内生成处理气体的等离子体，对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，该等离子体处理装置具有设置于处理容器内的等离子体生成部和基座（２）之间的气体通过板（６０）。该气体通过板（６０）的贯通孔形成区域（６１）包含与基...

本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成绝缘膜...

本发明提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置，该装置包括：气化容器，规定上述气化装置的气化空间；喷射器，安装在上述气化容器中，使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出；和加热器，安装在上述气化容器中，对喷出至上述气化空间内的上述液...

本发明涉及一种半导体处理用的氧化方法，其在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板，从处理区域的一侧将氧化性气体和还原性气体供给至处理区域，从另一侧进行排气。在此，将氧化性气体和还原性气体中的一种或两种活化。由此使氧化...

本发明提供一种真空处理装置和真空处理方法，在加热由容器主体和盖体构成的角筒形处理容器时，缩小处理容器升温时容器主体和盖体间形成的缝隙。角筒形处理容器（４０）由容器主体（４１）、装卸自如地设在容器主体上的盖体（４２）构成。在盖体顶部设有为...

本发明涉及基板载置机构及基板交接方法。该基板载置机构，即便被处理基板是大型基板，也能用升降销可靠地支承被处理基板，并有效地抑制被处理基板的变形。其包括：作为对具有可挠性的基板（Ｇ）进行载置的载置台的基座（４）；相对于基座（４）的载置面可...

本发明提供一种基板处理装置、气体供给装置、基板处理方法和存储介质，其中基板处理装置的形成有向基板供给气体的气体吐出孔的喷淋头的内部被分割为向基板中央区域供给气体的中央区域和向基板周缘区域供给气体的周缘区域，从各区域向基板供给已调整流量的...

本发明涉及一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，其特征在于，该基板处理装置具有：处理容器，其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间...

即使在执行处理条件不同的多个种类的处理时，也可以不管各个处理的种类的执行比率的变动而准确的预测消耗部件的消耗量。本发明包括：计数器，测量在处理室（１０２）执行的每种处理种类消耗部件（例如聚焦环１３２）的ＲＦ放电时间；存储单元，存储具有每...

一种形成钌金属层（５６０）的方法（３００），包括：在沉积系统（１，１００）的处理室（１０，１１０）中提供图案化衬底（２５，１２５，５００），其中所述图案化衬底（２５，１２５，５００）包含一个或更多个过孔或沟槽或其组合；在原子层沉积工艺中...

本发明的处理装置具有：收纳多个被处理体（ｗ）且前面具有取出被处理体（ｗ）的取出口（３ａ）和密闭取出口（３ａ）的盖（３ｂ）的收纳容器（３）；搬入收纳容器（３）的搬入区域（Ｓａ）；维持在与搬入区域（Ｓａ）不同的气氛下的移载区域（Ｓｂ）；将搬...