本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ＡｒＦ光刻胶或Ｆ２光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导...

本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；...

本发明提供一种基板处理方法以及存储程序的存储介质，当对晶片进行连续地搬送处理时，在不降低生产能力的状态下，可以防止对晶片的无效搬送。在测定处理前的表面外形轮廓时，首先进行第一次前馈计算，从其结果得到的处理参数的值判断出在容许范围内的处理...

本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：处理容器，其下部具有炉口，并且具有用于收容被处理体且能够在减压状态下对该被处理体进行规定热处理的石英制容器主体；金属制盖体，其用于载置搭载有多个被处理体的保持件并相对于处理容器对该保持件进行搬...

提供了一种用于沉积低电阻率钌金属层（４４０、４６０）的低温化学气相沉积工艺，这种低电阻率钌金属层（４４０、４６０）可以在Ｃｕ金属化方案中用作阻挡／晶种层。该方法（３００）包括在沉积系统（１、１００）的处理室（１０、１１０）中提供衬底（２...

本发明提供了一种即使在实施预涂敷的情况下，也能够使其上的晶片的温度均匀的基座和具备该基座的基板处理装置。在基座（１２）的晶片支撑面的中央部和周边部之间的中间部，形成有环状的凹部（１２ａ）。通过设置凹部，在该中间部抑制因来自基座的热辐射而...

本发明提供将作为前馈控制时的控制值的目标值优化的基板处理装置的控制装置和控制方法。ＴＬ（８００）对ＰＭ（４００）进行前馈控制和反馈控制。存储部（８５０）存储有表示不同的处理顺序的多个工艺方案和作为蚀刻处理时的控制值的目标值。通信部（８５...

本发明涉及半导体处理装置及其使用方法，该半导体处理装置的使用方法包括：将氧化性气体和还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理装置的处理容器内的工序；在所述处理容器内，在所述氧化性气体和所述还原性气体活化的第一环境下，使所述氧化性...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括下述工序：形成绝缘层的工序，在该绝缘层的一面侧具有槽，并且具有从所述槽的底部贯穿到另一面侧的孔，该绝缘层以硅为主成分而构成；屏障层形成工序，即，将所述槽和所述孔的内壁的表面曝露于...

本发明提供一种基板处理系统的处理方案最佳化方法，该基板处理系统通过网络连接有根据处理方案执行被处理基板的成膜处理的基板处理装置、进行处理方案最佳化计算的数据处理装置和主计算机。本发明包括：测量由基板处理装置进行成膜处理的被处理基板的膜厚...

一种半导体处理用的氧化装置，包括从位于处理容器的处理区域的一侧上的接近被处理基板的气体供给口向处理区域供给氧化性气体和还原性气体的供给系统。气体供给口包括沿着与处理区域相对应的上下方向的整个长度设置的多个气体喷射孔。在处理容器的周围设置...

本发明提供一种静电卡盘的诊断方法，其利用简单的方法对静电卡盘的寿命进行预测。在利用设置在载置台上部的静电卡盘对基板进行静电吸附、并且对该基板进行等离子体处理时，定期地对基板进行作为相同的等离子体处理的诊断用方案，对向静电卡盘的表面与基板...

能够防止由基板制造半导体器件的生产率降低的基板处理方法。向具有热氧化膜、ＢＰＳＧ膜和沉积膜的晶片供应ＨＦ气体，由此使用氟化酸选择性蚀刻ＢＰＳＧ膜和沉积膜。蚀刻时生成的Ｈ↓［２］ＳｉＦ↓［６］残留物质受热分解成ＨＦ和ＳｉＦ↓［４］。

本发明涉及对被处理基板（Ｗ）进行半导体处理的装置，包含配置在载置台（３８）上的，辅助进行被处理基板的运送的升降机构（４８）。升降机构包含支承和使被处理基板升降的升降机销子（５１）和引导升降机销子的升降动作的导向孔（４９）。导向孔具有贯通...

本发明提供一种喷淋板，其处理气体的喷出孔结构简单且能容易地加工形成，而且喷出孔尺寸精度高，不发生处理气体的喷出偏差和不均，具有一定品质和互换性。压制成型低介电率陶瓷材料用粉末，将外形尺寸成形为留有烧结收缩余料和精加工余料的圆板状，在该圆...

本发明提供能够正确地检知收容室内的状态的基板处理装置的分析方法。在处理模块（２）中，测定在腔室内零件即将更换前的导入腔室前的处理气体的发光强度（４２）和通过腔室内后的处理气体的发光强度（４３），在腔室内零件刚更换后，导入腔室前的处理气体...

本发明提供能够计算基底膜的正确的光学常数，从而能够正确地对晶片的表面构造进行确定的光学常数计算方法。在晶片（Ｗ）上将各膜叠层后，对在下方成膜有有机绝缘膜（３２）的氧化膜（３３）的反射率进行测定，并对通过等离子体将氧化膜（３３）除去后露出...

本发明描述了一种用于改善表面波等离子体（ＳＷＰ）源和等离子体空间之间的耦合的方法和系统。表面波等离子体源包括电磁波发射器，例如具有谐振片的缝隙天线，其中在谐振片和等离子体之间的等离子体表面处，利用扰模器来改善到等离子体的耦合。

本发明提供一种减压干燥装置，其能够高效安全且平稳地进行被处理基板的搬入搬出并最小限度抑制附着在基板的涂敷膜上的基板接触部的转印痕迹。该减压干燥单元（ＶＤ）（４６）通过在搬入侧滚动搬送通路（１０４ａ）和内部滚动搬送通路（１０４ｂ）上进行的...

本发明提供一种等离子体处理装置，等离子体处理装置（１００）具有构成为气密并接地的大致圆筒状的腔室（１），在腔室（１）的上部配设有天线部件（３０）。该腔室（１）由大致圆筒形的壳体（２），和从上方与壳体（２）接合、围绕处理空间的圆筒形的腔壁...