【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于在半导体晶片等被处理基板上形成膜的半导 体处理用的成膜装置及该装置的使用方法。在此，半导体处理是指，通过在半导体晶片或LCD (液晶显示器Liquid Crystal Display)这样 的FPD (平板显示器，Flat Panel Display)用的玻璃基板等被处理基板 上以规定的图形形成半导体层、绝缘层、导电层等、为了在该被处理 基板上制造出包含半导体器件、与半导体器件连接的配线、电极等的 结构体而实施的各种处理。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，通过CVD(化学气相淀积，Chemical Vapor Deposition)等的处理，进行在被处理基板、例如半导体晶片上 形成硅氮化膜、硅氧化膜等薄膜的处理。在这样的成膜处理中，例如 按如下所述，在半导体晶片上形成薄膜。首先，利用加热器将热处理装置的反应管(反应室)内加热到规 定的装载温度，并将收纳多片半导体晶片的晶舟装入其中。接着，利 用加热器将反应管内加热到规定的处理温度，并从排气端口排出反应 管内的气体，将反应管内减压到规定的压力。接着， 一面将反应管内维持在规定的温度及压力(...
【技术保护点】
一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于，包括：利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。
【技术特征摘要】
JP 2006-10-4 2006-272575;JP 2007-8-31 2007-2254791.一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述污染物质为金属污染物质。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属污染物质包括选自铁、铝、镍、钴、钠和钙中的1种以 上的金属。4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于， 所述含氯气体包括选自氯、氯化氢、二氯硅烷、四氯硅烷、六氯乙硅垸、三氯硅垸和三氯化硼中l种以上的气体。5. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于， 所述反应室的所述内面以选自石英、碳化硅中的材料为主要成分。6. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于， 将所述第二温度设定为200 700°C。7. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于， 将所述第二压力设定为13.3 53332Pa。8. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述副生成物膜包含选自硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的物质作为主要成分，所述第一清洁气体包括卤元素和氢元素。9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一清洁气体是不含氯的气体，包括选自卤酸性气体、卤元 素气体和氢气的混合气体中的1种以上的气体。10. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于， 将所述第一温度设定为250 380°C。11. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于， 将所述第一压力设定为3.3kPa 59.85kPa。12. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 在停止所述第一和第二清洁气体的供给的状态下，隔着向所述反应室内供给不活泼气体的期间，将所述第一清洁气体的供给转换成所 述第二清洁气体的供给。13. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 在所述第一和第二清洁处理之前和之后，进一步包括在所述反应室内，利用CVD在被处理基板上形成选自硅氮化物、硅氧化物和硅氮 氧化物中的物质的膜的成膜处理，在此，向所述反应室内供给包括含 硅气体的第一成膜气体和包括选自氮化气体、氧化气体和氮氧化气体 中的气体的第二成膜气体。14. 根据权利要求13所述的方法，其特征在于， 所述第一成膜气体包括含有硅和氯的...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈田充弘，水永觉，户根川大和，西村俊治，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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