本发明提供一种能够减少部件的个数的基板处理装置。基板处理系统（１０），具有对晶片（Ｗ）实施化学反应处理的第二处理模块（２８），第二处理模块（２８）具有收容晶片（Ｗ）的处理容器（３３），和通过与处理容器（３３）的上部接合而构成晶片（Ｗ）的...

本发明提供一种立式热处理装置，其特征在于，具备：具有炉口的热处理炉；封闭上述热处理炉的炉口的盖体；通过保温筒载置在上述盖体上的，用于多层保持多个基板的第一和第二基板保持件；使上述盖体升降，将任何一个基板保持件搬入和搬出热处理炉内的升降机...

本发明提供一种成膜方法，在处理区域内多次重复以下的循环从而在被处理基板上形成ＳｉＣＮ膜。各循环包括：供给包括硅烷类气体的第一处理气体的第一工序；供给包括氮化气体的第二处理气体的第二工序；供给包括烃气体的第三处理气体的第三工序；和隔断第一...

本发明提供一种处理容器的大气开放方法，能够使在其中进行规定处理而附着有金属氟化物的处理容器向大气开放，该方法为，在反复多次进行第一操作后，反复多次进行第二操作，其中，所述第一操作为：向处理容器内导入大气，并保持充分的时间以使金属氟化物与...

本发明是一种成膜方法，该方法包括向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体和含氮气体，在载置于该处理容器内的被处理体表面形成高熔点金属的金属化合物膜的薄膜的成膜工序。为了提高薄膜中所含碳的浓度，在成膜工序中的含氮气体的分压为１７...

本发明的成膜方法包括：第一阶段，该第一阶段包括向被加热至成膜温度的被处理基板供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过ＣＶＤ使金属氮化膜直接堆积在被处理基板上的期间；和第二阶段，该第二阶段同样地供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过ＣＶＤ在...

本发明提供一种半导体制造装置的气体供给系统和气体供给集成单元。气体供给系统用于从气体供给源向半导体制造装置的处理部供给规定的气体。该气体供给系统具有与气体供给源和处理部连接的气体供给流路。气体供给流路包括多个流体控制设备（手动阀、减压阀...

本发明提供一种半导体处理用的热处理方法，在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板。被处理基板在表面具有处理对象层。接着，对上述处理区域供给氧化性气体和还原性气体，同时将处理区域进行加热，由此使氧化性气体和上述还原性气...

本发明提供了一种互连导电层及互连导电层的制造方法，在本发明的互连导电层的制造方法中，在基板（１０）的背面（１２）一侧的贯通孔（１３）的开口部形成籽晶层（１４），并在该籽晶层（１４）的基础上形成电镀用电极层（１５），然后在基板（１０）的表...

本发明提供一种基板处理装置的设定操作支援装置及其方法。该基板处理装置的设定操作支援装置中设置有：基板处理装置的结构物中能够进行动作的设定的动作对象物；执行该动作的模拟的模拟器；触摸屏式的运行操作显示部和模拟操作显示部；以及功能设定按钮，...

本发明提供能够用散射测量法非破坏地正确评价预定处理后的被处理体的表面构造的处理方法和处理系统。处理系统（１）备有减压处理装置（１０）、液体处理装置（２０）、构造判别装置（３０）和系统控制装置（４０）。减压处理装置（１０）将抗蚀剂图案作为...

本发明提供一种被处理体的热处理装置、被处理体的热处理方法和存储计算机可读取程序的存储介质，该被处理体的热处理装置能够精度良好且准确地检测被处理体的温度，并能够进行精度高的温度控制。热处理装置包括：能够收容包括具有弹性波元件的温测用被处理...

本发明提供一种能够容易地调整气体流量的处理系统、处理方法和程序。在立式热处理装置（１）中设有多个向收容半导体晶片（Ｗ）的反应管（２）内供给处理气体的气体供给管（１６～２０）。流量调整部（２１～２５）控制气体供给管（１６～２０）的流量。控...

本发明描述了一种用于各向异性干法刻透掺杂硅层的工艺和系统。该工艺的化学物质包括ＳＦ↓［６］和氟碳化合物气体。例如，氟碳化合物气体可包括Ｃ↓［ｘ］Ｆ↓［ｙ］，其中ｘ和ｙ是大于或等于１的整数，例如Ｃ↓［４］Ｆ↓［８］。

本发明提供一种基板载置台以及基板处理装置，其能够在载置基板时防止划伤基板的背面，该基板载置台包括：基材（１１０）；形成在所述基材上的、用于载置基板（Ｇ）的介电性材料层（１２０）；以及在介电性材料层上形成的多个凸部（１４２），其中，作为所...

本发明提供一种基板处理装置，其在同一处理室内能够迅速加热、冷却基板。该基板处理装置为通过化学处理和热处理除去基板（Ｗ）表面的氧化膜的基板处理装置（２２ａ），其包括：向处理室（４１）内供给包含卤元素的气体与碱性气体的气体供给机构（１００）...

本发明提供一种能够容易地调整处理温度的热处理系统、热处理方法和程序。热处理系统的温度计算用计算机（４）具有装置ＤＢ（４２）。在装置ＤＢ（４２）中，针对各热处理装置，按该热处理装置内部的每一温度（处理温度）存储有表示附着在装置内部的附着物...

本发明提供一种等离子体处理装置和基板处理方法，该基板处理方法的特征在于：氮化在基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，该方法包括：氮化处理工序，通过等离子体激励稀有气体和氮气，生成氮原子团或者氮离子，利用所述氮原子团或者氮离子来氮化所述氧...

本发明提供一种能够在同一处理室内急速地加热、冷却基板的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置（２２）用于在处理室（４１）内对基板Ｗ进行处理，其包括：在处理室（４１）内支撑基板Ｗ的支撑部件（４７）；与支撑部件（４７）热接触的第一温度...

本发明提供即使在被检查体和探针卡一并接触的情况下也能够直接把握载置台是否达到过激励量的检查装置。本发明的检查装置（１０）具有载置台（１１）、探针卡（１２）和控制装置（１４），在控制装置（１４）的控制下，使载置台（１１）过激励，使晶片（Ｗ...