SiCN膜形成方法及形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种成膜方法，在处理区域内多次重复以下的循环从而在被处理基板上形成ＳｉＣＮ膜。各循环包括：供给包括硅烷类气体的第一处理气体的第一工序；供给包括氮化气体的第二处理气体的第二工序；供给包括烃气体的第三处理气体的第三工序；和隔断第一处理气体的供给的第四工序。在处理区域外不对第一、第二以及第三处理气体等离子体化而将它们供给处理区域，并且将处理区域加热至硅烷类气体与氮化气体以及烃气体相互反应的第一温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在半导体晶片等的被处理基板上形成SiCN膜的 成膜方法及其装置，特别是涉及一种半导体处理用的成膜方法及其装 置。此处，半导体处理是指，为了在晶片或者LCD (液晶显示器)类 的FPD (平面平板显示器)用的玻璃基板等的被处理基板上利用规定 的图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，在该被处理基板上制造包 括半导体器件以及与半导体器件连接的配线、电极等构件而实施的各 种处理。
技术介绍
在构成半导体集成电路的半导体器件的制造过程中，在被处理基 板上，例如半导体晶片上实施成膜、蚀刻、氧化、扩散、改性、退火、 自然氧化膜去除等各种处理。在美国专利US2006/0286817A1中公开有 -种立式(所谓批量式)热处理装置中的这种半导体处理方法。在该 方法中，首先，半导体晶片从晶片盒被移载至立式的晶舟上，并以多 层方式被支承。在晶片盒中能够收容例如25个晶片，在晶舟中能够载 放30 150个晶片。接着，晶舟从处理容器的下方被载入其内部，同 时，处理容器被气密式(气体密封方式)密封。然后，在处理气体的 流量、处理压力、处理温度等各种处理条件得到控制的状态下，实施 规定的热处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳｉＣＮ膜形成方法，其特征在于：　　　　该方法是在能够有选择地供给包括硅烷类气体的第一处理气体、包括氮化气体的第二处理气体以及包括烃气体的第三处理气体的处理区域内，通过多次重复以下循环并层积在所述每个循环中所形成的薄膜，从而在被处理基板上形成具有规定厚度的ＳｉＣＮ膜的方法，此处，所述各个循环包括：　　　　向所述处理区域供给所述第一处理气体的第一工序；　　　　向所述处理区域供给所述第二处理气体的第二工序；　　　　向所述处理区域供给所述第三处理气体的第三工序；以及　　　　断开向所述处理区域供给所述第一处理气体的第四工序，　　　　在所述处理区域外不对第一、第二以及第三处理气体进行等离子体化而将其...

【技术特征摘要】
JP 2007-2-16 2007-037112;JP 2008-1-8 2008-0016891.一种SiCN膜形成方法，其特征在于该方法是在能够有选择地供给包括硅烷类气体的第一处理气体、包括氮化气体的第二处理气体以及包括烃气体的第三处理气体的处理区域内，通过多次重复以下循环并层积在所述每个循环中所形成的薄膜，从而在被处理基板上形成具有规定厚度的SiCN膜的方法，此处，所述各个循环包括向所述处理区域供给所述第一处理气体的第一工序；向所述处理区域供给所述第二处理气体的第二工序；向所述处理区域供给所述第三处理气体的第三工序；以及断开向所述处理区域供给所述第一处理气体的第四工序，在所述处理区域外不对第一、第二以及第三处理气体进行等离子体化而将其供给所述处理区域，并且在整个所述第一、第二、第三以及第四工序中，将所述处理区域加热至所述硅烷类气体与所述氮化气体以及所述烃气体相互反应的第一温度。2. 如权利要求1所述的SiCN膜形成方法，其特征在于 所述各个循环还包括断开向所述处理区域供给所述第二处理气体的第五工序。3. 如权利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于 所述各个循环还包括断开向所述处理区域供给所述第三理气体的第六工序。4. 如权利要求2所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第二工序包括被所述第五工序分割而成的两个部分。5. 如权利要求3所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第三工序包括被所述第六工序分割而成的两个部分。6. 如权利要求2所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第二工序比所述第一工序长。7. 如权利要求3所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第三工序比所述第一工序长。8. 如权利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各个循环不包括断开向所述处理区域供给所述第二处理气体 的工序。9. 如权利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各个循环不包括断开向所述处理区域供给所述第三处理气体 的工序。10. 如权利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第二工序不与所述第一工序重叠。11. 如权利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第二工序与所述第一工序重叠。12. 如权利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第三工序不与所述第一工序重叠。13. 如权利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第三工序与所述第一工序重叠。14. 如权利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各个循环包括断开向所述处理区域供给第一、第二以及第三 处理气体，并对所述处理区域内进行排气的工序。15. 如权利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各个循环包括在所述第四工序中，将接下来供给所述处理区域的量的所述第一处理气体储存在配设于流量控制器与所述处理区域之间的储存罐内的工序。16. 如权利要求3所述的SiCN膜形成方法，其特征在于 所述各个循环包括在所述第六工序中，将接下来供给所述处理区域的量的所述第三处理气体储存在配设于流量控制器与所述处理区 域之间的储存罐内的工序。17. 如权利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于将所述第一温度设定为300°C 700°C。18. 如权利要求l所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周保华，长谷部一秀，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]