处理容器的大气开放方法技术

本发明专利技术提供一种处理容器的大气开放方法，能够使在其中进行规定处理而附着有金属氟化物的处理容器向大气开放，该方法为，在反复多次进行第一操作后，反复多次进行第二操作，其中，所述第一操作为：向处理容器内导入大气，并保持充分的时间以使金属氟化物与大气中的水分反应，之后进行排气；所述第二操作为：向处理容器内导入大气并进行排气，将主要在第一操作中生成的反应生成物排出。利用该方法，当在处理容器内形成有由金属氟化物构成的副生成物时，能够几乎不产生ＨＦ等有毒气体而使处理容器向大气开放。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及当成膜装置等气体处理装置中的处理容器内附着有氟类副生成物时的处理容器的大气开放方法(atmosphere opening method)以及存储有用于实施该方法的程序的存储介质。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，为了形成W膜等金属膜而使用CVD 成膜装置。在W膜的CVD成膜中，使用作为成膜气体的WF6气体和 作为还原气体的H2气体，通过使它们在被加热的半导体晶片(以下简 称为晶片)上反应而形成W膜。在这种CVD成膜装置中，在成膜处理时，有可能在处理容器的壁 部附着有副生成物，放任该副生成物不管以及剥离该副反应生成物是 产生微粒粉尘的主要原因，因此，在进行完规定个数的晶片的成膜处 理后，需要向处理容器内导入作为清洁气体的C1F3气体进行清洁，之后，实施利用N2气体对处理容器内进行多次吹扫的循环吹扫并向大气开放。然而，当被处理晶片形成有Ti膜或者TiN膜时，处理容器内的F (氟素)和Ti反应，从而导致大量的TiFx等副反应生成物附着在处理 容器的壁部，即使经过C1F3清洁处理也会有所残留。若在这样附着有TiFx等副反应生成物的状态下使处理容器向大气 开放，则TiF有可能和空气中的水分反应而生成有毒的HF气体。为了使附着有氟类反应生成物或者存在有残留气体的处理容器向 大气开放并且不产生有毒的HF而提出有专利文献1中所述的方案，即， 在开放处理容器之前向处理容器内导入与腔室内的副反应生成物、残 留气体反应的气体，例如含有水分的气体、空气、水等。然而，在专利文献l中，是除去干式蚀刻时所产生的反应生成物， 对于在CVD成膜时作为副反应生成物而产生有TiFx的腔室时，即便如专利文献1所述那样仅仅导入空气等，也不能够充分地除去副反应 生成物。专利文献l:日本特开2004-111811号公报
技术实现思路
因此，本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种处 理容器的大气开放方法，当处理容器内形成有由金属氟化物构成的副反应生成物时，能够使处理容器向大气开放并且几乎不产生HF等有毒 气体。此外，本专利技术的目的在于提供一种存储有用于执行该方法的程序 的存储介质。为了解决上述问题，根据本专利技术第一方面，提供一种处理容器的 大气开放方法，用于使在其中进行规定处理而附着有金属氟化物的处理容器向大气开放，该大气开放方法的特征在于在反复进行多次第 一操作后，反复进行多次第二操作，其中，所述第一操作为向所述 处理容器内导入大气，并保持充分的时间以使金属氟化物与大气中的 水分反应，之后进行排气；所述第二操作为向所述处理容器内导入 大气并进行排气，主要将在第一操作中生成的反应生成物排出。在上述第一方面中，所述第一操作的所述保持时间优选为5分钟 以上，更优选为5 20分钟。此外，所述第一操作优选反复进行2 10、 所述第二操作在导入大气的状态下保持的时间优选为1 5分钟， 此外，所述第二操作优选反复进行20次以上。在所述第一方面的大气开放方法中，适于所述处理为CVD成膜处 理，所述金属氟化物为TiFx的情况。根据本专利技术第二方面，提供一种处理容器的大气开放方法，用于 使在其中进行CVD处理而附着有TiFx的处理容器向大气开放，该大 气开放方法的特征在于在反复进行5次以上第一操作之后，反复进 行25次以上第二操作，其中，所述第一操作为向所述处理容器内导 入大气，并保持充分的时间以使TiFx与大气中的水分反应生成HF， 之后进行排气；所述第二操作为向所述处理容器内导入大气并进行排气，主要将在第一操作中生成的HF排出。在本专利技术第二方面中，所述第一操作的所述保持时间优选为5分 钟以上，所述第二操作在导入大气的状态下保持的时间优选为1 5分钟。在本专利技术第一和第二方面中，在所述第一操作之前，优选利用不 活泼气体对所述处理容器进行吹扫。本专利技术第三方面提供一种存储介质，其存储有在计算机上运行并用于控制处理装置的程序，该存储介质的特征在于当所述控制程序 运行时，使所述计算机控制所述处理装置，进行所述第一和第二方面 中任一方面所述的方法。根据本专利技术，在进行完规定的处理后，对附着有作为副生成物的 金属氟化物的处理容器，通过反复实施导入大气，使金属氟化物与大 气中的水分保持充分的时间，之后进行排气的第一操作，使金属氟化 物与水分充分地产生反应，之后，通过反复实施进行大气导入与排气 使生成的反应生成物排出的第二操作，能够在处理容器内使金属氟化物与水分基本完全反应，之后，当向大气开放时，能够几乎不产生HF 等的有毒气体附图说明图1是表示在本专利技术的一个实施方式所涉及的大气开放方法的实 施中所使用的CVD成膜装置的简要截面图。图2是用于说明在图1的装置中进行处理容器的大气开放的顺序 的流程图。图3是用于说明处理容器内外的气体浓度测定位置的立体图。 图4是表示进行本专利技术范围内的大气吹扫时的处理容器内的HF 气体浓度的示意图。 标号说明h本体；2:处理容器；3:盖(lid); 18:吹扫气体供给机构； 41:大气导入配管；50:气体箱；70:排气机构；71:工序控制器； 73:存储部；100: CVD成膜装置。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行具体说明。图1是表示在本专利技术的一个实施方式所涉及的大气开放方法的实施中所使用的CVD成膜装置的简要截面图。该CVD成膜装置100利 用H2气体以及WF6气体在作为被处理基板的半导体晶片W (以下简 称为晶片W)上形成钨膜(W膜tungsten膜)。CVD成膜装置100具有本体1，在该本体1的下部设置有灯单元(lamp unit) 85。在本体1的上部以能够开闭的方式设置有用于支撑后 述喷淋头22的盖3。本体1具有例如由铝等构成并且形成为有底圆筒状的处理容器2。 在处理容器2内，从处理容器2的底部竖立设置有圆筒状的屏蔽基体(shieldbase) 8。在屏蔽基体8上部的开口配置有环状的基体环(base ring) 7，在基体环7的内周侧支撑有环状的附件(attachment) 6，并 设置有由向着附件6的内周侧边缘部突出的突起部(图未示出)所支 撑且用于载置晶片W的载置台5。在屏蔽基体8的外侧设置有隔板(baffle plate) 9。此外，上述盖3被设置在处理容器2上部的开口部 分，在该盖3上的与载置于载置台5上的晶片W相对的位置设置有喷 淋头22。盖3与处理容器2通过铰链部25连接，通过该铰链部25能 够使盖3进行开闭。此外，当使处理容器2向大气开放时，盖3处于 打开状态。在由载置台5、附件6、基体环7以及屏蔽基体8所围绕的空间内， 从处理容器2的底部竖立设置有圆筒状的反射体(reflector) 4，在该 反射体4上，例如在3处设置有槽部(在图1中仅图示出其中的1处)， 在与该槽部对应的位置分别可升降地设置有用于使晶片W从载置台5 升起的升降销12。升降销12通过设置在反射体4外侧的圆环状的保持 部件13以及接头(joint) 14而被支撑在推动棒15上，推动棒15与制 动器16连接。该升降销12由能够使热射线透过的材料例如石英构成。 此外，与升降销12—体地设置有支撑部件11，该支撑部件ll贯通附 件6并支撑向其上方设置的圆环状的锁紧环(clampring) 10。锁紧环 10由易于吸收热射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理容器的大气开放方法，用于使在其中进行规定处理而附着有金属氟化物的处理容器向大气开放，该大气开放方法的特征在于：在反复进行多次第一操作后，反复进行多次第二操作，其中，所述第一操作为：向所述处理容器内导入大气，并保持充分的时间以使金属氟化物与大气中的水分反应，之后进行排气；所述第二操作为：向所述处理容器内导入大气并进行排气，主要将在第一操作中生成的反应生成物排出。

【技术特征摘要】
JP 2007-2-23 2007-0436031.一种处理容器的大气开放方法，用于使在其中进行规定处理而附着有金属氟化物的处理容器向大气开放，该大气开放方法的特征在于在反复进行多次第一操作后，反复进行多次第二操作，其中，所述第一操作为向所述处理容器内导入大气，并保持充分的时间以使金属氟化物与大气中的水分反应，之后进行排气；所述第二操作为向所述处理容器内导入大气并进行排气，主要将在第一操作中生成的反应生成物排出。2. 如权利要求1所述的处理容器的大气开放方法，其特征在于 所述第一操作的所述保持时间为5分钟以上。3. 如权利要求2所述的处理容器的大气开放方法，其特征在于所述第一操作的所述保持时间为5 20分钟。4. 如权利要求3所述的处理容器的大气开放方法，其特征在于 所述第一操作反复进行2 10次。5. 如权利要求1 4中任一项所述的处理容器的大气开放方法，其特征在于所述第二操作在导入大气的状态下保持的时间为1 5分钟。6. 如权利要求1 5中任一项所述的处理容器的大气开放方法，其特征在于所述第二操作反复进行20次以上。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：窪田光真，田中雅之，小泉雅人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]