【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了一种基片处理装置，其进行向处理容器的内部供给超临界流体来使基片干燥的基片处理。超临界流体使形成于基片的液膜以从不存在气体与液体的界面的超临界状态直接转变为气相的方式(即，以表面张力不作用于基片的凹凸图案的方式)干燥。这种基片处理装置通过适当地控制反复多次的每次基片处理的温度，来促进每次基片处理的工艺性能的均匀性。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2013-26348号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供一种能够进一步促进每次基片处理的温度的均匀化的技术。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、根据本专利技术的一个方式，提供一种基片处理装置，其使用超临界流体使具有液膜的基片干燥，该基片处理装置包括：收纳上述基片的处理容器；流体供给部，其向上述处理容器的内部供给上述超临界流体；加热机构，其对上...
【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
9.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基片处理装置，其特征在于：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：福井祥吾，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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