本发明提供一种可以实现密封构件长使用寿命化的开关阀及具有该开关阀的处理装置。该开关阀（１００）设置于可将内部保持真空的腔室（１１）与排气装置（５３、５４）之间，具有连通腔室侧与排气装置侧的开口（１１１）的阀主体（１１０）、在阀主体内与开...

基板移载装置（１００）包括：具有保持基板（Ｗ）的保持臂（４１ａ～４１ｅ）和搬送基体（５）的基板搬送单元（４）；形成水平光轴（Ｌ）的光传感器（６２）；使搬送基体（５）升降的升降单元（５２）；和检测搬送基体（５）相对于光轴（Ｌ）的高度位置的...

本发明提供一种基板处理方法，是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有上述保持台的处理容器，该基板处理方法的特征在于，包括：向上述处理容器供给成膜气体，在上述被处理基板上进行成膜的成膜工...

本发明提供一种检查装置，其将晶片吸盘的移动范围抑制在最小限度内，并消减对准机构，由此能够促进装置自身的低成本化，并且能够大幅度消减印迹，使检查的生产能力（ｔｈｒｏｕｔｈ－ｐｕｔ）提高。本发明的检查装置（１０）具备能够在Ｘ、Ｙ和Ｚ方向移动...

本发明提供一种易于对搬送程序进行编程并且能够提高处理能力的技术，在第一处理块和第二处理块之间设置有交接块，利用第一直通搬送单元将基板从载体块搬送至交接块，从此处将基板分配交接至第一处理块的涂敷膜形成用单位块和第二处理块的涂敷膜形成用单位...

本发明提供一种基板载置台，能够防止设置在层叠多个板构成的载置台上的升降销的破损以及电极的破损，该基板载置台包括：升降销（２４２），其升降自由地设置在贯通配置在最上部的电极板（２１０）的销插通孔（２１４）中；和用于对升降销（２４２）的升降...

一种能够提高对晶片进行的等离子体处理的均匀性的基板处理装置。晶片容纳于基板处理装置的室中，并受到使用处理室中产生的等离子体所执行的等离子体处理。控温机构朝向面向等离子体的环形聚焦环的至少一部分喷射高温气体。

一种载置台的表面处理方法，使安装表面能够与将形成的基片相符合，节省了时间和精力。将基片安装在载置台的安装表面上，该载置台位于基片处理设备的容纳室里，在该容纳室中对基片进行等离子体处理。所安装的基片受热膨胀。

本发明提供一种能够完全除去附着在基板背面和周缘部上的异物的基板处理系统，作为基板处理系统（１０）具有的基板清洗装置的处理组件（１５）包括：收容晶片（Ｗ）的腔室（３８）；配置在该腔室（３８）内的底部上，放置晶片Ｗ的载置台（３９）；配置在腔...

本发明提供一种能够抑制堆积物向构成部件附着的涡轮分子泵（１８），用于从腔室（１１）排出堆积物附着要因气体，包括：具有沿着排气流的旋转轴（３６）的转子（３７）；收容该转子（３７）的壳体（３８）；从该转子（３７）相对于旋转轴（３６）垂直突出...

本发明提供能够容易调节晶片周缘部温度的等离子体处理装置（１），在处理室（１０）将基板（Ｗ）载置于载置台（１１）上，使供给处理室内的处理气体等离子体化对基板实施等离子体处理，载置台包括温度调节至规定温度的载置台主体（１２）和配置在载置台主...

本发明涉及被检查体的搬送装置和检查装置。本发明提供一种能够使低温检查完成的半导体晶片在短时间恢复至不结露的温度，即使缩短低温检查时间也能够供给下一个半导体晶片顺利地执行低温检查的半导体晶片的搬送装置。本发明的晶片搬送装置（１７）包括具有...

本发明提供一种在涂敷显影装置中，能够根据所要求的处理能力来容易地设计和制造装置的技术。在载体块（Ｓ１）和界面块（Ｓ６）之间，以前后相互连接的方式设置有通过层叠包括涂敷膜形成用单位块与显影处理用单位块的多个单位块所构成的相同结构的处理块（...

本发明公开了使用光子纳米喷射、利用光学计量的自动化过程控制。可使用光学计量来控制制造集群。使用制造集群在晶片上执行制造工艺。产生光子纳米喷射，它是在电介质微球体的遮蔽表面侧引起的光学强度图案。使用光子纳米喷射扫描晶片上的监测区域。随着光...

本发明的基板洗净装置具备多个洗净装置；和根据预定的驱动方案驱动控制各洗净装置的控制装置。控制装置对洗净装置设定优先顺序，根据上位洗净装置的驱动方案与下位洗净装置的驱动方案，计算出能够在洗净装置之间产生干扰的时间，并设定为计算出的待机时间...

本发明提供探针的针尖位置的检测方法、对准方法、针尖位置检测装置和探针装置。本发明的探针（１２Ａ）的尖端位置的检测方法的特征在于：在使用设置在晶片卡盘（１１）上的包括传感器部（１６２）和接触体（１６２Ｂ）的针尖位置检测装置（１６）对多个探...

本发明提供热处理装置，其中，控制部包括：规则表，使处理气氛升温到目标值时的温度特性项目的预测变化量和ＰＩＤ常数的变化率对应而生成；执行机构，反复执行根据温度检测部的温度检测值取得温度曲线，根据该温度曲线，求取温度特性项目的实测值和目标值...

本发明涉及的气体供给系统，包括：设置于向半导体制造装置供给气体的气体供给通路的气体过滤器；和设置在所述气体供给流路的比所述气体过滤器的配设位置更靠下游侧的位置，使所述气体供给流路内流通的气体所包含的挥发性金属成分液化并去除的金属成分去除...

本发明提供一种热处理装置，其具有：多层地收纳多个被处理体，并且对该被处理体实施规定的热处理的处理容器；以覆盖所述处理容器的方式设置的，可以加热所述被处理体的筒状的加热器；用以排出所述加热器和所述处理容器之间的空间内的气氛的排热系统；和向...

本发明提供一种处理装置，其包括：多层搭载被处理基板的保持具；收纳上述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；向上述处理容器内导入处理气体的气体导入部；将上述处理容器真空排气至规定的压力的排气部...