本发明提供一种检查方法和用于执行检查方法的程序记录介质，无论是高温检查还是低温检查均能够在载置台上装载晶片之后，在短时间内稳定载置台的温度，而且能够提高检查的处理量。本发明的检查方法是，使用探针装置（１０）进行晶片（Ｗ）的检查的工序包括...

本发明提供一种基板交接装置、基板处理装置、基板交接方法。不使用搬运臂、而仅用基板交接装置来校正基板的水平方向位置偏移。该基板交接装置具有：多个支承销（１３２Ａ～１３２Ｃ），它们绕载置台（１１２）的支承轴（１１４）分离开地配置，在基板下表...

本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法，在作为半导体基板的Ｓｉ基板（１）上形成栅极绝缘膜（２），接着在栅极绝缘膜（２）上通过使用包含Ｗ（ＣＯ）↓［６］气体的成膜气体的ＣＶＤ形成Ｗ类膜（３ａ）。然后，在存在有...

本发明提供一种处理装置，在能够抽真空的处理容器内对被处理体进行规定的处理，特别是进行ＨｆＯ、ＨｆＳｉＯ、ＺｒＯ、ＺｒＳｉＯ、ＰＺＴ、ＢＳＴ等的ｈｉｇｈ－ｋ电介质膜的成膜，在暴露于处理容器内的处理气氛中的处理容器的构成部件的表面、例如在处...

一种半导体装置，其特征在于，其具有　基板、　形成在所述基板上的由氟添加碳膜所构成的绝缘膜、　形成在所述绝缘膜上的由氮化硅膜和含有硅和碳及氮的膜所构成的阻挡层、　形成在所述阻挡层上的具有含有硅和氧的膜的硬掩模层，　所述阻挡层为自下按顺序层...

本发明提供一种膜位置调整方法、存储介质和基板处理系统，该膜位置调整方法能够容易地消除在基板处理系统内的成膜位置的偏移。基板处理系统包括处理腔室、和进行应该搬入处理腔室的晶片Ｗ的定心的定向器。定向器上设置有用于测定晶片Ｗ的中心位置的偏移的...

本发明提供等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和存储介质，该等离子体蚀刻方法在使光致抗蚀图案小径化同时进行蚀刻时，能够以高速率进行小径化，使此时的光致抗蚀膜的表面状态良好，能够修复裂缝。将具有蚀刻对象膜和形成有作为蚀刻图案的开口的光致抗蚀...

本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法在垂直方向以一定间隔将多个被处理体收纳在成膜装置的处理容器内。接着，将处理容器内设定为第一减压状态，并向处理容器内供给包含碳化氢气体的第一成膜气体，通过ＣＶＤ在被处理体上形成碳膜。接...

本发明提供一种气密模块以及该气密模块的排气方法，能够不降低生产效率地防止在基板的主面形成的图案发生倾倒。基板处理系统的负载锁定模块（５）具有移载臂（３１）、腔室（３２）以及负载锁定模块排气系统（３４），在腔室（３２）内以与搬入到腔室（３...

本发明提供一种探针卡用台车和使用该台车的探针卡的操作方法，在检查装置上安装探针卡之后，不需要预热，能够缩短对应于预热时间的检查时间。本发明的探针卡用台车（２０）在搬送进行高温检查或低温检查的检查装置中使用的探针卡（６′）时使用，包括：装...

本发明提供一种基板搬送模块和基板处理系统，装载模块（１４）通过负载锁定模块（１２）与对晶片Ｗ实施蚀刻处理的处理模块（１１）连接并且具有搬送晶片Ｗ的基板搬送装置（１６）和收容该基板搬送装置（１６）的搬送室（１５），该搬送室（１５）内与外部...

本发明提供一种基板移载装置、基板处理装置、基板移载用臂、基板移载方法，能够与晶片保持舟中的任意的保持板之间进行基板的交换，并使保持板的间距比现有技术更窄。基板移载装置（３００）包括：以能够旋转和升降的方式构成的基台（３１０）；在基台上以...

本发明提供一种基板处理装置和方法及存储介质，防止来自处理室的气体泄漏且不密闭处理室，并抑制对基板背面侧气体的迂回。通过由盖体覆盖容器本体上部侧开口形成处理室，从处理室中央上部对载置台上的晶片Ｗ供给处理气体，另外，从晶片Ｗ外侧对处理室内部...

本发明提供一种基板处理装置（１），不受设置搬送室内搬送装置场所高度的限制而将其搬出基板处理装置外面，其包括：真空中对基板Ｓ实施规定处理的处理室（１０ａ～１０ｃ）；与处理室相连接，保持在真空中并具有搬送基板Ｓ的搬送装置（５０）的搬送室（２...

对光学计量系统的选定变量进行优化的系统包括第一制造集群、计量集群、光学计量模型优化器和实时轮廓评估器。第一制造集群处理具有第一图案结构的晶片。第一图案结构具有下覆膜厚度、临界尺寸和轮廓。计量集群包括连接到第一制造集群的光学计量设备。光学...

管理和使用用于处理和设备控制的计量数据的装置包括制造系统和计量处理器。制造系统包括制造集群、计量集群、计量模型优化器和实时轮廓评估器。制造集群对具有图案结构和不带图案结构的晶片进行处理。计量集群测量离开图案结构和不带图案结构的衍射信号。...

本发明描述了一种用于在干法等离子体刻蚀系统中相对于硅和多晶硅选择性、均匀地刻蚀介电层的方法和系统。刻蚀化学物质包括氟烃的使用，例如ＣＨ↓［２］Ｆ↓［２］和ＣＨＦ↓［３］。高刻蚀选择性和可接受的均匀性可以通过以下方式来实现：选择包括ＣＨ↓...

本发明提供一种成膜装置，其特征在于，包括：腔室，其区分用于对基板实施成膜处理的处理空间；平台，其设置于上述腔室内，用于载置上述基板；基板用加热单元，其设置于上述平台上，用于对上述基板进行加热；喷头，其与上述平台相对设置，且具有多个气体喷...

基板处理装置的控制部以进行包括以下步骤的处理的方式实施控制，所述步骤包括：在腔室内实施先行的第一加工工艺的步骤；在实施第一加工工艺之后实施后继的第二加工工艺的步骤；在第一加工工艺结束后直至第二加工工艺开始前的期间，基于所述第一加工工艺的...

本发明提供一种半导体装置的制造方法以及存储介质，能够每次在对基板上形成的有机膜进行蚀刻时得到良好的蚀刻形状。该半导体装置的制造方法包括：利用等离子体对含硅膜进行蚀刻，转印该含硅膜上的图案掩模的图案的工序；除去所述图案掩模使所述含硅膜的表...