半导体处理装置具备检查半导体装置的测试器、显示部（２５）、控制部（２１）、ＩＣ标签读出器（２９）及存储赋予各操作员的权限的辅助存储部（２３）。控制部（２１）用ＩＣ标签读出器（２９）从已接近的操作员所持的ＩＣ标签中读取ＩＤ。然后，控制部（...

本发明提供一种在硅基板上形成高介电体膜的方法，该方法包括：对所述硅基板表面进行稀氟酸处理的工序；在所述稀氟酸处理工序之后，向所述硅基板表面供给含有Ｈｆ和氮的有机金属原料，进行ＨｆＮ的核形成的工序；以及在所述核形成工序之后，向所述硅基板表...

本发明公开了利用支持向量机控制制造工具。获得结构的轮廓模型。该轮廓模型由表征结构的几何形状的轮廓参数定义。获得一组轮廓参数值。利用该组轮廓参数值生成一组仿真衍射信号，每个仿真衍射信号表征从所述结构衍射的光的行为。利用该组仿真衍射信号作为...

本发明提供一种立式热处理装置（１），包括具有炉口（４）的热处理炉（３）；密闭炉口的盖体（６）；通过环状支撑板（１５）沿上下以规定间隔保持多个被处理基板的保持件（９）；和将保持件搬入搬出热处理炉的升降机构（１１）。移载机构（２１）具有以规...

本发明提供一种基板吸附装置和基板搬送装置，其能够根据导体晶片等基板的大的弯曲、翘曲情况选择基板的上面和下面的任一面作为吸附面从而可靠地吸附保持并搬送基板。本发明的晶片吸附装置的镊子（１７）包括：根据伯努利原理从上面吸附保持半导体晶片（Ｗ...

本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其具有：准备成膜装置的工序，该成膜装置具有处理容器、气体供给部、排气部、载置台、和激励机构；向处理容器内提供第一处理气体，通过等离子体ＣＶＤ进行第一处理的工序，第一处理气体是通过电离主要产生第一极性...

本发明提供蚀刻方法以及蚀刻装置，该蚀刻方法用于蚀刻形成在被处理体表面的被加工层，其特征在于，该蚀刻方法具有：保护膜形成工序，在上述被处理体表面均匀形成保护层；掩膜形成工序，通过在上述保护层上形成规定的蚀刻用凹部来形成图案化的蚀刻掩膜；抗...

本发明使用设置在半导体晶片上的传感器作为过程监控器，并采用电容器作为其电源。电容器可以由多晶硅和氮化硅在晶片上层积形成。此外，安装定时器，使得可以对过程监控器的操作时间或操作时刻进行指定。进而，通过将关键字存储在过程监控器的ＲＯＭ中，防...

本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片Ｗ被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介...

本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片Ｗ被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介...

本发明提供一种形成金属氧化膜的成膜方法，其包括：将被处理体搬入能够保持真空的处理容器内的工序；向上述处理容器内供给成膜原料的工序；向上述处理容器内供给氧化剂的工序；和通过使上述成膜原料与上述氧化剂发生反应而在上述被处理体上形成金属氧化膜...

一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：　　　　用来容纳被处理基板，在内部产生等离子体并对所述被处理基板进行等离子体处理的处理腔室；　　　　设置在所述处理腔室内，用来载置所述被处理基板的载置台；　　　　设置在所述载置台上，具有配置在绝缘...

本发明涉及真空处理装置和真空处理方法。排气机构（２４）以一定的排气量或排气速度对真空搬送室（１０）内进行真空排气。平常时间排气阀（３６）被保持为打开状态，吹扫气体（Ｎ↓［２］气）由吹扫气体供给源（３０）通过ＭＦＣ（３４）和开关阀（３６）...

本发明涉及等离子体蚀刻方法，该方法使用处理气体的等离子体实施蚀刻。该蚀刻处理对包括基板（１０１）、在该基板上形成的基底膜（１０２、１０３）、以及在该基底膜上形成的蚀刻对象膜（１０４）的被处理体（Ｗ）实行处理。使用由含氯气体以及含氧气体构...

本发明提供一种多孔质膜的成膜方法和一种计算机可读的记录介质。对通过使用有机硅化合物原料的等离子体ＣＶＤ法形成的ＳｉＯＣＨ膜的表面进行氧等离子体处理，形成表面致密化层，进一步通过氢等离子体处理，将ＣＨｘ基、ＯＨ基以被控制的速率从表面致密化...

本发明提供一种真空处理装置的搬送定位方法，在真空搬送腔室（１０）内设置有检测半导体晶片（Ｗ）位置的位置检测机构（３３），通过真空搬送机构（３０），将配置在负载锁定腔室（１７）、真空处理腔室（１１～１６）的规定位置上的半导体晶片（Ｗ）搬送...

本发明提供一种能够减低喷镀膜的修复频率的载置台和使用这种载置台的等离子体处理装置。该载置台（３）在对基板（Ｇ）实施等离子体处理的处理腔室内载置基板，包括基材（５）和形成于基材上并且在其上载置有基板的载置部（６），载置部（６）包括构成角部...

本发明对具有硅层和含有高熔点金属的层的构造体进行等离子体氧化处理，形成硅氧化膜，该等离子体氧化处理包括：使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在１．３３～６６．６７Ｐａ的处理压力下，进行第一等离子体氧化处理的工序；和在第一等离子体氧化处理之...

本发明涉及基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置。根据本发明，无需研磨基板端部，无需发生等离子体，通过简单的控制即能一次清洗基板端部全周。其中，设置用来载置晶片（Ｗ）的载置台（２０４）；加热晶片端部的加热模块（２１０）；朝着晶片端部照...

本发明提供一种基板检查装置，该基板检查装置检查在基板上的由在第一层上叠层与该第一层的组成不同的第二层而形成的叠层结构上，以该第二层的一部分露出的方式而形成的图案的缺陷，其具有：向上述基板上照射１次电子的电子发射单元；检测由上述１次电子的...