基板吸附装置和基板搬送装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板吸附装置和基板搬送装置，其能够根据导体晶片等基板的大的弯曲、翘曲情况选择基板的上面和下面的任一面作为吸附面从而可靠地吸附保持并搬送基板。本发明专利技术的晶片吸附装置的镊子（１７）包括：根据伯努利原理从上面吸附保持半导体晶片（Ｗ）的第一吸附单元（１７１），和利用外部空气的吸引从下面吸附保持半导体晶片（Ｗ）的第二吸附单元（１７２）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板吸附装置和基板搬送装置，更详细地说，涉及即 使是存在弯曲、翘曲的半导体晶片等薄基板也能够可靠地吸附、保持 的基板吸附装置和基板搬送装置。
技术介绍
现有的这种基板搬送装置装配在半导体晶片等基板的处理装置 上。因此，作为处理装置以半导体晶片的检查装置为例进行说明。这种检查装置具有进行半导体晶片的电气特性检查的探测针(probe)室， 和与探测针室邻接的装载(loader)室。探测针室具备载置半导体晶 片的可移动的载置台；配置在载置台的上方的探测针卡；和对探测针 卡的多个探测针和半导体晶片的多个电极垫进行对准的对准机构，在 半导体晶片的对准后，使半导体晶片与探测针卡的探测针电连接从而 进行规定的检查。装载室以如下方式构成，即，具有以盒单位收纳多 个半导体晶片的收纳部，和具有在盒与探测针室之间搬送半导体晶片 的镊子(tweezers)的基板搬送装置(以下称为晶片搬送装置)，利 用镊子将盒内的半导体晶片一枚一枚地取出，进行对准后，向探测针 室搬送，将检査完毕的半导体晶片从探测针室向盒内的原来的地方搬 送。镊子作为吸附保持半导体晶片的吸附体而构成。作为这种吸附体， 例如已知有真空吸附半导体晶片的真空吸盘、在专利文献1中记载的 利用伯努利(Bernoulli)原理吸附保持半导体晶片的伯努利吸盘。真空 吸盘以从下面吸附半导体晶片的方式构成，伯努利吸盘以从上面吸附 半导体晶片的方式构成。但是，半导体晶片其倾向是变得越来越薄，容易发生弯曲、翘曲， 所以如果例如图5所示那样将盒1内的多枚半导体晶片在上下方向以 规定间隔收纳，则存在在半导体晶片的翘曲上下相反的状态下收纳的情况。在这种情况下，如果使用现有的镊子2，则由于在上下的半导体 晶片之间没有缝隙而无法插入镊子2，所以无法取出上下的半导体中的任意一个。此外，虽然没有图示，在敏置台上能够出没地设置有例如3根销，在多个销从载置面突出的状态下在载置台与镊子之间进行半导 体晶片的交接，因此如果在利用镊子从载置台接收半导体晶片时半导 体晶片向下方弯曲，则在镊子为真空吸盘的情况下存在不能将镊子插 入半导体晶片与载置面之间的情况。在这种情况下，必须使销变长， 确保将镊子插入半导体晶片与载置面之间的间隙。专利文献1:日本特愿平8-203984
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够 根据半导体晶片等基板的大的弯曲或翘曲的情况，选择基板的上面和 下面中的任一面作为吸附面从而可靠地吸附保持并搬送基板的基板吸 附装置和基板搬送装置。本专利技术第一方面的基板吸附装置，具有在搬送基板时吸附保持上述基板的吸附体，其特征在于，上述吸附体包括根据伯努利原理从 上面吸附保持上述基板的第一吸附单元，和从下面真空吸附上述基板 的第二吸附单元。此外，本专利技术的第二方面的基板吸附装置，其特征在于，在第一 方面的专利技术中，上述第一吸附单元具有在上述吸附体的下面形成的 多个凹陷部，和在这些凹陷部的内周面开口并且向上述凹陷部内喷出 气体而在上述凹陷部内形成旋转气流的喷出孔。此外，本专利技术的第三方面的基板吸附装置，其特征在于，在第二 方面的专利技术中，在上述吸附体的下面具有与上述基板之间形成间隙的 接触部件，在上述间隙中形成水平气流。此外，本专利技术的第四方面的基板吸附装置，其特征在于，在第一 第三方面的任何一项的专利技术中，上述吸附体构成为能够根据基板的大 小进行切换。本专利技术的第五方面的基板搬送装置，其具备具有吸附保持基板的 吸附体的基板吸附装置，使上述吸附体移动来搬送基板，其特征在于，上述吸附体包括根据伯努利原理从上面吸附保持上述基板的第一吸 附单元，和从下面真空吸附上述基板的第二吸附单元。本专利技术的第六方面的基板搬送装置，其特征在于，包括对保持 在筐体内的多个基板以及各自的中央部的向上下方向的变位进行检测 的检测装置；根据上述检测装置的检测结果对上述基板的变位的方向 进行判别的判别单元；和具有吸附保持上述基板的吸附体的基板吸附 装置，该基板搬送装置根据上述判别单元的判别结果使上述吸附体移 动从而搬送上述筐体内的基板，其中，上述吸附体具有根据伯努利 原理从上面吸附保持上述基板的第一吸附单元，和从下面真空吸附上 述基板的第二吸附单元，当利用上述吸附体搬送上述基板时，根据上 述判别单元的判别结果自动选择上述第一吸附单元或者上述第二吸附 单元。此外，本专利技术的第七方面的基板吸附装置，其特征在于，在第五 或第六方面的专利技术中，上述第一吸附单元具有在上述吸附体的下面 形成的多个凹陷部，和在这些凹陷部的内周面开口并且向上述凹陷部 内喷出气体，在上述凹陷部内形成旋转气流的喷出孔。此外，本专利技术的第八方面的基板吸附装置，其特征在于，在第七 方面的专利技术中，在上述吸附体的下面具有与上述基板之间形成间隙的 接触部件，在上述间隙中形成水平气流。此外，本专利技术的第九方面的基板吸附装置，其特征在于，在第五 第八方面的任何一项的专利技术中，上述吸附体构成为能够根据基板的大 小进行切换。根据本专利技术，能够提供一种能够根据半导体晶片等基板的大的弯 曲或翘曲的情况，选择基板的上面和下面中的任一面作为吸附面而可 靠地吸附保持并搬送基板的基板吸附装置和基板搬送装置。附图说明图1 (a)、 (b)是分别表示适用本专利技术的基板搬送装置的一个实施 方式的检查装置的图，(a)是其平面图，(b)是表示(a)所示的检查 装置的基板搬送装置与盒的关系的结构图。图2 (a)、 (b)是分别表示图l所示基板搬送装置的吸附体的图，(a) 是表示其下面的平面图，(b)是将(a)所示主要部分沿水平方 向切断后的截面图。图3 (a) (c)是表示图2所示吸附体的图，(a)是其长边方向 的截面图，(b)、 (c)是分别扩大表示主要部分的截面图。图4 (a)、 (b)是分别表示吸附体的其它实施方式的下面侧的平面图。图5是部分地表示收纳在盒内的半导体晶片的正面图。符号说明10检查装置10A控制装置10B判别部17镊子(吸附体、基板吸附装置)17C测量(mapping)传感器(检测装置)18晶片搬送装置(基板搬送装置)171第一吸附单元171A凹陷部171B喷出孔171D接触体(接触部件) W 半导体晶片(基板)具体实施例方式以下，根据图1 图4所示的实施方式对本专利技术进行说明。其中， 在各图中，图].的(a)、 (b)是分别表示适用本专利技术的基板搬送装置 的一个实施方式的检查装置的图，(a)是其平面图，(b)是表示(a) 所示检查装置的基板搬送装置与盒的关系的结构图，图2的(a)、 (b) 是分别表示图1所示基板搬送装置的吸附体的图，(a)是表示其下面 的平面图，(b)是将(a)所示主要部位沿水平方向切断后的截面图， 图3的(a) (c)是表示图2所示吸附体的图，(a)是其长边方向的 截面图，(b)、 (c)是分别扩大表示主要部位的截面图，图4的(a)、(b) 是分别表示吸附体的其它实施方式的下面侧的平面图。 本实施方式的检査装置10，例如如图1的(a)所示，具备进行基板(例如，半导体晶片)W的电气特性检查的探测针室11，和与探测针室11邻接并搬送半导体晶片W的装载室12，以在控制装置10A的 控制下对探测针室11和装载室12各自的各种机器进行控制的方式构 成。如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板吸附装置，其具有在搬送基板时吸附保持所述基板的吸附体，其特征在于：　　　　所述吸附体包括根据伯努利原理从上面吸附保持所述基板的第一吸附单元，和从下面真空吸附所述基板的第二吸附单元。

【技术特征摘要】
JP 2007-4-24 2007-1136681.一种基板吸附装置，其具有在搬送基板时吸附保持所述基板的吸附体，其特征在于所述吸附体包括根据伯努利原理从上面吸附保持所述基板的第一吸附单元，和从下面真空吸附所述基板的第二吸附单元。2. 如权利要求1所述的基板吸附装置，其特征在于 所述第一吸附单元具有在所述吸附体的下面形成的多个凹陷部，和在这些凹陷部的内周面开口并且向所述凹陷部内喷出气体而在所述 凹陷部内形成旋转气流的喷出孔。3. 如权利要求2所述的基板吸附装置，其特征在于 在所述吸附体的下面具有与所述基板之间形成间隙的接触部件，在所述间隙中形成水平气流。4. 如权利要求1 3的任何一项所述的基板吸附装置，其特征在于所述吸附体构成为能够根据基板的大小进行切换。5. —种基板搬送装置，其具备具有吸附保持基板的吸附体的基板吸附装置，使所述吸附体移动来搬送基板，其特征在于所述吸附体包括根据伯努利原理从上面吸附保持所述基板的第一 吸附单元，和从下面真空吸附所述基板的第二吸附单元。6. —种基板搬送装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：长坂旨俊，小笠原郁男，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]