本发明提供一种抽真空方法和存储介质，该抽真空方法不会引起以水分为原因的问题，能够缩短抽真空的时间。在具有腔室（１１）的真空处理装置（１０）中，在对腔室（１１）内抽真空时，通过ＡＰＣ阀（１６）在一定的时间，例如数十秒的过程中，将腔室（１１...

本发明提供一种处理装置，该处理装置在实用区域内使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气。该处理装置是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，包括：在底部具有排气口（５０）的能够抽真空的...

本发明提供除去气体中的颗粒的气体净化装置，其特征在于，具有第一过滤层和第二过滤层，构成所述第一过滤层的纤维的直径比构成所述第二过滤层的纤维的直径粗。此外，本发明提供使用所述气体净化装置的半导体制造装置。

本发明提供一种基板载置台，包括：在内部埋设有加热器并且其表面成为被处理基板的加热面的基板载置台主体；以及在基板载置台主体中能够上下自由移动地插通的升降销，其中，基板载置台主体在其加热面形成有与升降销相对应并且底面比加热面低的凹部，升降销...

本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片Ｗ的处理容器（２）；配置在处理容器（２）内、用于载置半导体晶片Ｗ的载置台（５）；设置在与该载置台（５）相对的位置处，用于向处理容器（２）内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头（４０）；...

本发明涉及减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置。为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击...

本发明提供一种基板处理方法，在具有向高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置和对上述高电介质膜进行热处理的第二处理位置的单片式基板处理装置中，将多个被处理基板按顺序逐个地向上述第一和第二处理位置搬送，对上述被处理基板上的高电介质膜按顺序进行...

本发明提供一种半导体处理用成膜方法和装置。在能够选择性地供给包括硅烷气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体的处理区域内进行多个循环，在被处理基板上形成氮化硅膜。各循环包括：进行第一处理气体的供给，另一方面，维持遮断第二处理气体的...

本发明提供一种载置台，其能够不引起屏蔽环那样的屏蔽部件的破损的危险性而减少由热膨胀差所引起的屏蔽部件和基材之间的间隙。在对基板（Ｇ）实施等离子体处理的处理腔室内载置基板的载置台（３），包括：金属制的基材（５）；设置于其上的用于载置基板的...

本发明提供一种Ｔｉ膜及ＴｉＮ膜的成膜方法，其包括将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ｔｉ化合物气体的ＣＶＤ进行膜厚２ｎｍ以上、不满１０ｎｍ的Ｔｉ膜的成膜，氮化该Ｔｉ膜，再在氮化后的Ｔｉ膜上使用Ｔｉ化合物气体以及含有Ｎ及Ｈ的气体通过ＣＶＤ...

本发明提供一种基板处理装置以及基板搬送装置，该基板搬送装置包括：在支撑有玻璃基板的状态下向处理腔室（１０）内进行搬送的拾取器（５２）；和驱动拾取器（５２）的主驱动机构（６０），拾取器（５２）包括：基部（５６ｂ）；从基部（５６ｂ）呈分叉状...

本发明提供一种处理装置，对被连续搬送的柔韧性薄膜（１）依次实施多个处理，其包括：连续搬送柔韧性薄膜（１）的搬送机构（１３）；对柔韧性薄膜（１）实施第一处理的第一处理单元（１１）；对柔韧性薄膜（１）实施第二处理的第二处理单元（１２）；和根...

本发明提供一种能够迅速且同时从各气体喷射孔进行气体的供给开始和供给停止的气体导入装置（２４），其被配置在可排气的处理容器（２２）内，具备与处理容器内相对设置的气体导入头体（１１０）。在气体导入头体上设置有用于供给气体流动的供给气体流路（...

本发明是一种涂覆设备，其包括：水平地固定衬底的衬底固定部件；将化学物质供应至被衬底固定部件水平固定的衬底的中心部分的化学物质喷嘴；使衬底固定部件旋转以便通过离心力使化学物质在衬底表面散开从而使化学物质涂敷在整个表面上的旋转机构；在被衬底...

本发明提供一种半导体处理装置（１），包括连接到公用搬运室（８）上的、用于对被处理基板（Ｗ）实施处理的多个处理室（２）。附设用于向各处理室（２）供给规定气体的气体供给系统（４０）。气体供给系统（４０）具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元...

提供一种群管理系统、半导体制造装置以及信息处理方法。在现有的群管理系统等中，存在不能在短时间内正确地进行能源检查的问题。群管理系统具备：一个以上半导体制造装置、以及与该一个以上半导体制造装置连接的服务器装置，半导体制造装置具备：能源信息...

一种高电介质薄膜的改性方法，该高电介质薄膜使用有机金属化合物材料、形成在被处理体的表面，该改性方法的特征在于，包括：　准备在表面上形成有所述高电介质薄膜的所述被处理体的准备工序；和　维持所述被处理体在规定的温度，并且在非活性气体的气氛中...

本发明提供一种对形成于基板上的形状的缺陷进行检查的缺陷检查方法，对于在基板上的被分割的多个区域中分别形成的规定图案，以光学式方法依次进行一次检查，从该多个区域中选择进行二次检查的该区域。对所选择的区域，使用电子射线进行二次检查，检测出缺陷。

本发明提供一种能够以高的精度进行压力调整的真空处理装置和真空处理方法和存储介质的技术。在其内部对被处理体进行真空处理的处理容器（２０），与另一端侧连接有真空排气单元（５２）的８个排气通路（５１）连接，设置与上述８个排气通路（５１）之中的...

本发明提供一种成膜方法和基板处理装置，使得在低温下也能够高效率地形成含有优质的Ｔｉ膜的阻挡层，在该Ｔｉ膜与基底的界面区域能够形成自调整的ＴｉＳｉ↓［ｘ］膜。在形成上述ＴｉＳｉ↓［ｘ］膜（５０７）的工序中，不向处理室导入氩气地多次重复下述...