半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体处理装置（１），包括连接到公用搬运室（８）上的、用于对被处理基板（Ｗ）实施处理的多个处理室（２）。附设用于向各处理室（２）供给规定气体的气体供给系统（４０）。气体供给系统（４０）具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元（２３）和流量控制单元（１３）。初级侧连接单元（２３）配置在对应的处理室（２）的下侧。流量控制单元（１３）配设到从初级侧连接单元（２３）向对应的处理室（２）内供给气体的气体管道上。流量控制单元（１３）被配置成至少一部分要重叠到初级侧连接单元（２３）的上侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体处理装置，特别涉及在公共搬运室上连接有多 个处理室的集群工具型(也称为多处理室型)处理装置。这里，所谓 半导体处理是指，为了通过以规定的图形在半导体晶片或者LCD (液 晶显示器)或者FPD (平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上形 成半导体层、绝缘层、导电层等，而在被处理基板上制造包括半导体 设备、连接到半导体设备上的配线、电极等的构造物所实施的种种处 理。
技术介绍
图14是概略地示出现有技术的集群工具型的半导体处理装置的平 面图。该处理装置1具有从载置于装料端口 4上的盒体3取出晶片W 并在大气压下进行搬运的常压搬运系统5。处理装置1还具有通过负载 锁定室11而连接到常压搬运系统5的搬运室6上的、并在规定的减压 下搬运晶片的真空搬运系统7。在真空搬运系统7的公用搬运室8的周 围，连接有逐块收纳晶片W并在规定的气体气氛下实施规定的处理(例 如CVD处理)的多个真空处理室2。为了要向处理室2供给气体，而在处理装置2的一个侧部或者背 面部分上配设连接到气体源上的气体箱50。在气体箱50内汇总配置有 已经连接到分别向处理室2供给气体的气体供给管51上的多个流量控 制单元。在该处理装置的情况下，处理室2与气体箱50之间的距离，即气 体供给管51的管道长度较长。此外，在每个处理室2中都会因气体供 给管51的管道长度不同而产生机差。为此，存在着对压力控制的控制 范围、响应性、乃至对工艺性能造成恶劣影响的隐患。此外，由于气体箱与处理装置独立地被设定在地面上，因此占地面积较大。另一方面，在日本专利特开2001-156009号公报中揭示有一种在装 置本体的侧面上配设有气体箱的分批式的纵型处理装置。该纵型处理 装置与具有多叶片式处理室的集群型的处理装置不同。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以提高工艺性能以及縮小占地面积 的半导体处理装置。本专利技术第一方面的半导体处理装置，包括 公用搬运室；连接在上述公用搬运室上的、用于对被处理基板实施处理的多个 处理室；配设在上述公用搬运室内的、用于向上述处理室搬运上述被处理 基板的搬运机构；和各个都附设在上述多个处理室上的、用于供给规定气体的多个气 体供给系统，其中，上述多个气体供给系统中的各个都包括连接在上述规定气体的气体源上的初级侧连接单元，上述初级侧 连接单元被配置在对应的处理室的下侧，配设在从上述初级侧连接单元向上述对应的处理室内供给气体的 气体管道上的、用于控制规定的气体流量的流量控制单元，上述流量 控制单元被配置成使得至少一部分重叠在上述初级侧连接单元的上 侧，和覆盖上述流量控制单元的气体箱，对于上述气体箱来说，为了对 上述流量控制单元进行操作而具有可装卸的机罩。 本专利技术第二方面的半导体处理装置，包括 公用搬运室；连接在上述公用搬运室上的、用于对被处理基板实施处理的多个 处理室；配设在上述公用搬运室内的、用于向上述处理室搬运上述被处理 基板的搬运机构；和各个都附设在上述多个处理室上的、用于供给规定气体的多个气 体供给系统，其中，上述多个气体供给系统中的各个都包括连接在上述规定气体的气体源上的初级侧连接单元，上述初级侧 连接单元配置在设置有上述装置的房间的可卸下的地板的下侧，对于上述地板来说，为了对上述初级侧连接单元进行操作而具有可装卸的芏 rm ，配设在从上述初级侧连接单元向上述对应的处理室内供给气体的 气体管道上的、用于控制规定的气体流量的流量控制单元，上述流量 控制单元被配置成使得至少一部分重叠到上述对应的处理室的下侧， 以及覆盖上述流量控制单元的气体箱，对于上述气体箱来说，为了对 上述流量控制单元进行操作而具有可装卸的机罩。附图说明图1是概略地示出本专利技术第一实施方式的半导体处理装置的立体图。图2是图1所示装置的概略平面图。图3是概略地示出在图1所示装置中所使用的气体供给系统的管 道图。图4是示出在图1所示装置中所使用的气体供给系统的侧视图。 图5的立体图概略地示出了图4所示的气体供给系统的气体箱。 图6是概略地示出图4所示气体供给系统的初级侧连接单元的立 体图。图7是概略地示出图4所示气体供给系统的中继单元的立体图。 图8是概略地示出图4所示气体供给系统的中继管道的连接构造 的立体图。图9是概略地示出本专利技术第二实施方式的半导体处理装置的立体图。图10是示出在图9所示的装置中所使用的流量控制单元的侧视图。图11是示出在图9所示的装置中所使用的初级侧连接单元的平面图。图12是图11所示的初级侧连接单元的侧视图。图13是示出在第一和第二实施方式的变更例的装置中，使用遥控操作使气体管道的切换阀门统一地变成为关闭状态的机构的管道图。 图14是概略地示出现有技术的集群型半导体处理装置的平面图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。其中，在以下的 说明中，对具有大致相同功能和结构的构成要素标注同一标号，并仅 在必要情况下进行重复的说明。 (第一实施方式)图1是概略地示出本专利技术第一实施方式的半导体处理装置的立体 图。图2是图1所示的装置的概略平面图。该处理装置1构成将六个 处理室2连接在公用搬运室8的周围的集群型(也称为多处理室型)。 通过这些处理室2，可以对被处理基板例如半导体晶片进行一系列处理。具体地说，该处理装置1具有从载置于装料端口 4上的盒体3取 出晶片W并在大气压下进行搬运的常压搬运系统5。处理装置1还具 有通过负载锁定室11而连接到常压搬运系统5的搬运室6上的、在规 定的减压下搬运晶片W的真空搬运系统7。在真空搬运系统7的公用 搬运室(真空搬运室)8的周围，连接有逐块收纳晶片并在规定气体气 氛下实施规定处理(例如CVD处理)的多个真空处理室2。在常压搬运室5的搬运室6内，配设有在装料端口 4与负载锁定 室11之间进行晶片W搬运用的搬运臂机构9。搬运室6形成为长方形， 将搬运臂机构9配置成可在搬运室6的长度方向上移动。在搬运室6 的一个侧部配设有多个装料端口 4，在另一个侧部，通过闸阀G而连 接在负载锁定室11的一端。此外，在搬运室6的一端配设有进行晶片 W的定位的定位器IO。在真空搬运系统7的搬运室8内，配设有在负载锁定室11与处理 室2之间进行晶片W搬运用的搬运臂机构12。搬运室8形成为长方形，将搬运臂机构12配置成可在搬运室8的长度方向上移动。负载锁定室 11的另一个端部通过闸阀G而连接在搬运室8的一个端部上。将可使 内部控制成规定压力的真空排气系统连接到负载锁定室11、搬运室8 和搬运室2上。负载锁定室ll在图示例的情况下并列设置有两个，但 是也可以是一个。图3是概略地示出在图1所示装置中所使用的气体供给系统的管 道图。图4是示出在图l所示装置中所使用的气体供给系统的侧视图。 图5是概略地示出图4所示气体供给系统的气体箱的立体图。为了向各个处理室2内供给气体，而在各处理室2的下方配设有 气体供给系统40。气体供给系统40具有覆盖流量控制单元13和初级 侧连接单元23的气体箱14。初级侧连接单元23与多个气体源进行连 接。将流量控制单元13配设在气体箱14内从初级侧连接单元23向对 应的处理室2内供给气体的气体管道上。流量控制单元13具有通过初级侧连接单元23而分别连接到多种 气体的气体源GS1、 GS2、…本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体处理装置，其特征在于，包括：　公用搬运室；　连接到所述公用搬运室上的、用于对被处理基板实施处理的多个处理室；　配设在所述公用搬运室内的、用于向所述处理室搬运所述被处理基板的搬运机构；和　各个都附设在所述多个处理室上的、用于供给规定气体的多个气体供给系统，其中，　所述多个气体供给系统中的各个都包括：　连接到所述规定气体的气体源上的初级侧连接单元，所述初级侧连接单元配置在设置有所述装置的房间的可卸下的地板的下侧，所述地板为了对所述初级侧连接单元进行操作而具有可装卸的盖，配设在从所述初级侧连接单元向所述对应的处理室内供给气体的气体管道上的、用于控制规定气体的流量的流量控制单元，所述流量控制单元被配置成使得至少一部分重叠到所述对应的处理室的下侧，以及　覆盖所述流量控制单元的气体箱，所述气体箱为了对所述流量控制单元进行操作而具有可装卸的机罩。

【技术特征摘要】
JP 2004-2-26 2004-0506251.一种半导体处理装置，其特征在于，包括公用搬运室；连接到所述公用搬运室上的、用于对被处理基板实施处理的多个处理室；配设在所述公用搬运室内的、用于向所述处理室搬运所述被处理基板的搬运机构；和各个都附设在所述多个处理室上的、用于供给规定气体的多个气体供给系统，其中，所述多个气体供给系统中的各个都包括连接到所述规定气体的气体源上的初级侧连接单元，所述初级侧连接单元配置在设置有所述装置的房间的可卸下的地板的下侧，所述地板为了对所述初级侧连接单元进行操作而具有可装卸的盖，配设在从所述初级侧连接单元向所述对应的处理室内供给气体的气体管道上的、用于控制规定气体的流量的流量控制单元，所述流量控制单元被配置成使得至少一部分重叠到所述对应的处理室的下侧，以及覆盖所述流量控制单元的气体箱，所述气体箱为了对所述流量控制单元进行操作而具有可装卸的机罩。2. 根据权利要求l所述的装置，其特征在于3. 根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于 所述中继配管，被配设于设置所述装置的房间的地板的下侧。4. 根据权利要求l所述的半导体处理装置，其特征在于 所述流量控制单元，被所述气体箱气密地覆盖起来。5. 根...

【专利技术属性】
技术研发人员：网仓纪彦，手塚一幸，实吉梨沙子，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]