一种设置在高密度等离子体装置内的改进沉积用挡板（５０），该沉积用挡板用来保护介电窗不受导电沉积。该沉积用挡板具有一个中心圆形部分，该中心圆形部分具有在其内切出的槽（５１），这些槽被导电性桥部隔断。在导电性本体内且处于所述槽之间的肋部（５...

本发明涉及阳极生成装置和阳极生成方法。它将被处理基板作为阳极，向其照射光线而进行电化学处理，使得在该阳极生成装置和阳极生成方法中，可利用更小型的结构要件处理大型的被处理基板。利用多个接触部件，使接触部件与被处理基板形成电接触，或者利用接...

一种聚焦环组件，设置为耦合到等离子体处理系统中的衬底支架，该组件包括聚焦环，聚焦环具有用于确定聚焦环的寿命的一个或更多个磨损指示器，其中聚焦环耦合到衬底支架便于聚焦环在等离子体处理系统中的自动定心。例如，安装在衬底支架上的定心环可包括定...

一种挡板组件，设置为耦合到等离子为体处理系统中的衬底支架，该组件包括挡板（６４），挡板具有一个或更多个开口，以允许通过其的气体通道，其中挡板耦合到衬底支架便于等离子体处理系统中挡板的自动定心。安装在衬底支架中的定心环（１００）可包括设置...

电极板（２６）构造为结合到等离子体处理系统中的电极（２８）。该电极板（２６）包括构造为容纳气体喷射装置（１１０）的多个气体喷射孔（１００）。该电极板包括三个或更多安装孔（１４０），其中该电极板构造为通过使三个或更多安装孔与装到电极上的三...

一种电感耦合等离子体源设置由周界离子化源（３９）用于在真空室（３２）中产生高密度等离子体以用于半导体晶片涂覆或刻蚀。该源包括具有高辐射段和低辐射段的分段构造，并产生在绕室周围的等离子体中能量集中的基本环形阵列。能量从分段低电感天线（４０...

一种感应耦合等离子体源，设置有紧凑的感应元件（２０），感应元件（２０）被构造成产生特别适合于加工大规模晶片（１４）的空间分布的等离子体（１５）。一种优选实施方式的元件（２０）由片材形成，以实现紧凑并易于构造。元件（２０）位于加工室（１２...

用于ｉＰＶＤ的电容性等离子体源（２２）浸没在强的局部磁场（３１）中，并可以用于装入即可式替换ｉＰＶＤ的电感耦合等离子体（ＩＣＰ）源。该源包括环形电极（２３），环形电极（２３）具有位于其后面的磁体组（３０），磁体组（３０）包括与电极表面大...

本发明提供等离子产生方法、清洗方法以及衬底处理方法。一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述...

在上部基板（１５）的下表面的绝缘膜（１４）上设有第一布线层（１６），在下部基板（１１）上的绝缘膜（１２）上设有与第一布线层（１６）立体交差的第二布线层（１３），使悬臂（１７）的一端与第一布线层（１６）连接，使悬臂（１７）的另一端与第二布...

本发明提供一种具有可以较短的烧固时间形成且质量较高的电介体层的电容器及其制造方法。通过气体供给源（１１２）等将处理装置（１００）内的气氛调节为例如氧气氛等。使热处理装置（１０１）内的气氛为氧气氛，并使温度上升至预定程度。然后，以不会在晶...

本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了ＡＭＣ的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树...

本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了ＡＭＣ的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树...

本发明描述了用于在液体浸入光刻之后干燥衬底上的薄膜的方法和系统。干燥薄膜以从薄膜上移去浸入流体的操作是在烘烤薄膜之前执行的，从而减少了浸入流体与烘烤工艺相互作用的可能性。已经表明这种相互作用引起了在显影工艺后形成在薄膜中的图案的临界尺寸...

通过定义结构的初始模型而产生模拟衍射信号，所述模拟衍射信号用于使用光学计量对晶片上形成的结构的形状粗糙度进行测量。定义了形状粗糙度的统计函数。根据统计函数导出统计微扰并叠加在结构的初始模型上以定义结构的修改模型。根据结构的修改模型产生模...

本发明提供能够确实地抑制水分的附着和脱离的陶瓷喷镀部件的制造方法、用于执行该方法的程序、存储介质以及陶瓷喷镀部件。将具有基质材料（２１０）和由喷镀形成在基质材料（２１０）表面的喷镀膜（２２０）的陶瓷喷镀部件（２００），在含有丙酮、乙醇、...

一种用于辅助半导体处理工具（１０２）所执行的处理的方法、系统和计算机可读介质。该方法包括输入与半导体处理工具（１０２）所执行的处理有关的数据（１０４），以及输入与半导体处理工具（１０２）有关的第一原理物理模型（１０６）。使用输入数据（１...

本发明涉及在光学计量中增强测量衍射信号的权重函数。获得权重函数以使光学计量中所用的测得衍射信号增强。为了获得权重函数，获得测得衍射信号。测得衍射信号是用光计量装置从晶片上的位置测量的。根据测得衍射信号中存在的噪声来定义第一权重函数。根据...

本发明涉及用晶片均匀性控制进行动态计量采样。提出了一种用于处理晶片的方法，包括用用于晶片的测得计量数据创建预处理测量地图，该数据包括用于晶片上至少一个隔离结构的计量数据、用于晶片上至少一个嵌套结构的计量数据、双层掩膜数据和ＡＲＣ层数据。...

计算单元（４２）在第一计算的中间执行第二计算。此时，计算单元（４２）的硬件结构根据作为执行目标的计算而被切换。控制器（４６）在对第二计算进行计算时将计算单元（４２）的内部状态存储在存储器（４４）中。而且当将被计算单元（４２）执行的计算从...