【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于在等离子体处理系统中利用电极板的方法和设备，更具体而言，涉及便于改良等离子体处理系统的维护的电极板组件。
技术介绍
在半导体工业中制造集成电路(IC)，一般采用等离子体在从衬底去除材料和将材料沉积到衬底所需要的真空处理系统中产生并辅助实现表面化学处理。通常，通过将电子加热到足以维持与所供应的处理气体电离碰撞的能量而在处于真空条件下的处理系统内形成等离子体。而且，被加热的电子可以具有足以维持离解碰撞的能量，并因此选择预定条件(例如，室压、气体流率等)下的特定的一组气体，以产生适于在系统内正在进行的具体处理(例如，从衬底移除材料的刻蚀处理或将材料增加到衬底的沉积处理)的带电物质和化学反应物质的群。虽然带电物质(离子等)和化学反应物质的群的形成是为在衬底表面处实现等离子体处理系统的功能(例如，材料刻蚀、材料沉积等)所需的，但是在处理室的内部上的其他部件表面也暴露于物理和化学活性的等离子体，并在当时可以被腐蚀。在处理系统中暴露部件的腐蚀可以导致等离子体处理性能的逐渐劣化并最终导致系统的完全失效。因此，为了最小化由于暴露于处理等离子体而承受的损害，诸如...
【技术保护点】
一种电极板组件，用于将处理气体引到等离子体处理系统中衬底之上的处理空间，所述电极板组件包括：电极，被构造为结合到所述等离子体处理系统；三个或更多安装螺钉，结合到所述电极上；电极板，其包括多个气体喷射孔和三个或更多安装 孔，所述三个或更多安装孔构造为对准并结合到所述安装螺钉，以将所述电极板结合到所述电极；多个气体喷射装置，结合到所述多个气体喷射孔，其中所述处理气体经过所述多个气体喷射装置进入所述处理空间中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-11-12 10/705,2251.一种电极板组件，用于将处理气体引到等离子体处理系统中衬底之上的处理空间，所述电极板组件包括电极，被构造为结合到所述等离子体处理系统；三个或更多安装螺钉，结合到所述电极上；电极板，其包括多个气体喷射孔和三个或更多安装孔，所述三个或更多安装孔构造为对准并结合到所述安装螺钉，以将所述电极板结合到所述电极；多个气体喷射装置，结合到所述多个气体喷射孔，其中所述处理气体经过所述多个气体喷射装置进入所述处理空间中。2.如权利要求1所述的电极板组件，其中，所述气体喷射装置的每个都包括气体喷射口。3.如权利要求2所述的电极板组件，其中，每一个所述气体喷射口的特征由直径、形状和长度来确定。4.如权利要求3所述的电极板组件，其中，对于至少一个气体喷射口来说，其所述直径、形状和长度中的至少一个参数与另外的一个所述气体喷射口相比是不同的。5.如权利要求4所述的电极板组件，其中，所述不同有助于相对流向所述处理空间边缘的处理气体流来说，增大流向所述衬底之上所述处理空间的中心的所述处理气体的流率。6.如权利要求4所述的电极板组件，其中，所述不同有助于相对流向所述处理空间边缘的处理气体流来说，减小流向所述衬底之上所述处理空间的中心的所述处理气体的流率。7.如权利要求1所述的电极板组件，其中，所述电极板由铝、带涂层的铝、硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化铝、蓝宝石、聚酰亚胺和特氟纶中的至少一种制成。8.如权利要求1所述的电极板组件，其中，所述多个气体喷射装置由铝、带涂层的铝、硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化铝、蓝宝石、聚酰亚胺和特氟纶中的至少一种制成。9.如权利要求1所述的电极板组件，其中，所述电极由铝、带涂层的铝、硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化铝、蓝宝石、聚酰亚胺和特氟纶中的至少一种制成。10.如权利要求1所述的电极板组件，其中，所述三个或更多安装螺钉的每个都包括头部区域，且所述三个或更多安装孔的每个都包括凹槽和槽唇，所述凹槽具有插入开口，所述插入开口构造为当所述电极板与所述电极对准时使所述头部区域经过，且所述槽唇构造为当将所述电极板结合到所述电极时对所述头部区域进行定位。11.如权利要求7所述的电极板组件，其中，所述电极板由所述带涂层的铝制成，且该涂层包括表面阳极电镀、使用等离子体电解氧化形成的涂层和喷涂涂层中的至少一种。12.如权利要求8所述的电极板组件，其中，所述多个气体喷射装置由所述带涂层的铝制成，且该涂层包括表面阳极电镀、使用等离子体电解氧化形成的涂层和喷涂涂层中的至少一种。13.如权利要求9所述的电极板组件，其中，所述电极由所述带涂层的铝制成，且该涂层包括表面阳极电镀、使用等离子体电解氧化形成的涂层和喷涂...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文T芬克，埃里克J施特朗，迈克尔兰蒂斯，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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