【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及检查形成在基板上的图案的基板检査方法和实施该基 板检查方法的基板检查装置。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，关于检査形成在基板上的图案的基 板检査方法，提案有很多种方法。例如，提案有将电子射线照射在形成在基板上的图案，通过检查2 次iU子来检测该图案的缺陷即所谓ili子射线检査。与光学检查相比， Hi子射线检查能够检测更细微的缺陷，因此近年来，作为细微化的半 导体装置的图案的缺陷的检测方法被利用。但是，就电子射线检査而言，将实际上并非缺陷的部分当作缺陷 检测的所谓疑似缺陷检测的现象可能会发生。尤其是，检查叠层有组 成不同的层的叠层结构上形成的图案缺陷时，发生疑似缺陷检测，导 致缺陷检测的精度低下。专利文献1:日本特开2002-216698号公报
技术实现思路
本专利技术的课题是为了解决以上的问题提供一种实用的新型基板检 査装置和基板检查方法。本专利技术的具体课题在于，提供能以良好的精度检测基板上的叠层 结构上的图案缺陷的基板检查装置和基板检査方法。在本专利技术的第一观点中，通过具有以下特征的基板检査装置来解 决以上课题，该基板检査装置检查在基板上的...
【技术保护点】
一种基板检查装置，其特征在于，该基板检查装置检查在基板上的由在第一层上叠层与该第一层的组成不同的第二层而形成的叠层结构上，以该第二层的一部分露出的方式而形成的图案的缺陷，其具有：向所述基板上照射１次电子的电子发射单元；检测由所述１次电子的照射而生成的２次电子的电子检测单元；对由所述电子检测单元检测出的２次电子的检测数据进行处理的数据处理单元；和控制所述１次电子的加速电压的电压控制单元，其中，所述电压控制单元控制加速电压，使照射在露出的所述第二层的所述１次电子到达所述第一层与所述第二层的界面附近以外的所述第一层或所述第二层中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-2-15 038521/20061. 一种基板检查装置，其特征在于，该基板检查装置检査在基板上的由在第一层上叠层与该第一层的 组成不同的第二层而形成的叠层结构上，以该第二层的一部分露出的 方式而形成的图案的缺陷，其具有向所述基板上照射1次电子的电子发射单元；检测由所述1次电子的照射而生成的2次电子的电子检测单元； 对由所述电子检测单元检测出的2次电子的检测数据进行处理的数据处理单元；和控制所述1次电子的加速电压的电压控制单元，其中， 所述电压控制单元控制加速电压，使照射在露出的所述第二层的所述1次电子到达所述第一层与所述第二层的界面附近以外的所述第一层或所述第二层中。2. 如权利要求1所述的基板检査装置，其特征在于 还具有利用模拟算出所述1次电子的加速电压的电压算出单元。3. 如权利要求l所述的基板检査装置，其特征在于 所述第一层为无机层，所述第二层为有机层。4. 如权利要求l所述的基板检査装置，其特征在于 所述第一层的表面具有颗粒状的凹凸形状。5. 如权利要求4所述的基板检查装置，其特征在于 所述第一层由多晶硅构成。6. 如权利要求l所述的基板检...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤美佐子，林辉幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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