本发明提供一种基板处理方法，包括：在处理容器中进行被处理基板的第一处理的第一工序；将所述被处理基板从所述处理容器中搬出的第二工序；进行所述处理容器的氧除去处理的第三工序；将所述被处理基板搬入所述处理容器的第四工序；和进行所述被处理基板的...

本发明提供一种薄膜形成装置（１）。该薄膜形成装置（１）具有反应室（２）和与反应室（２）连接的排气管（５），为了向反应室（２）或排气管（５）供给包含氟和氢的洗涤气体，使氟导入管（１７ｃ）和氢导入管（１７ｄ）连接在反应室（２）上。其中，氢导...

在软溶处理单元（ＲＥＦＬＷ）（５０）中，使辊（５１）旋转，在Ｘ方向上输送基板（Ｇ），基板（Ｇ）通过中空筒状的软溶处理器（５３）的内部时，将包含溶剂的气体从溶剂供给部（５５）的溶剂供给口（６９）朝向基板（Ｇ）的表面供给，而且，从溶剂吸入部...

一种基板处理装置，其特征在于，　　　　该基板处理装置具有基板保持部、供电电极与电力供给部件；　　　　该基板保持部以绝缘性基板的导电层朝上的状态载置表面形成有导电层的绝缘性基板；　　　　该供电电极与上述导电层连接，用于对上述导电层通电来进...

本发明提供一种基板保持机构，该基板保持机构包括：用于向载置台（３００）和保持在该载置台（３００）的基板保持面上的基板（Ｇ）之间供给气体的气体流路（３５２）；将来自气体流路的气体导向基板保持面上的多个气孔（３５４）；比被处理基板的周边向外...

本发明涉及回流处理方法以及ＴＦＴ的制造方法。以源电极用抗蚀剂掩膜（２１０）（漏电极用抗蚀剂掩膜（２１１））的单位长度Ｌ平均的体积Ｖ↓［１］相对布线用抗蚀剂掩膜（２３１）的单位长度Ｌ平均的体积Ｖ↓［２］为１．５～３倍的方式设定线宽Ｗ↓［１...

本发明提供一种在处理容器内配置基板，对基板加热，将气态的Ｔｉ原料、气态的Ｓｒ原料和气态的氧化剂导入处理容器内，从而在基板上形成ＳｒＴｉＯ↓［３］膜的ＳｒＴｉＯ↓［３］膜的成膜方法。使用Ｓｒ（Ｃ↓［５］（ＣＨ↓［３］）↓［５］）↓［２］作...

提供一种以简易方式高精确度地检查具有微小可动部的微结构体的检查装置、检查方法以及检查程序。输入测试声波，解析对测试声波的输入进行了响应的传感器输出电压振幅的频率特性。根据预先设想的使用条件等算出设备所要求的最大频率以及最小频率，判定能否...

本发明提供一种Ｗ类膜的成膜方法，其包括：在处理室内配置基板的工序；交互地反复向处理室内导入Ｗ（ＣＯ）↓［６］气体以堆积Ｗ以及导入含Ｓｉ气体以进行Ｗ的硅化或者堆积Ｓｉ，从而形成ＷＳｉ膜的工序；以及在供给Ｗ（ＣＯ）↓［６］气体和含Ｓｉ气体期...

本发明提供一种通过实现载置装置的轻量化和高刚性化并且提高载置装置的重量的对称性，能够提高高速移动性和检查的可靠性的载置装置。本发明的载置装置（１０）包括：载置半导体晶片的载置台；支承该载置台并且形成为直径比上述载置台小的筒状的升降体（１...

本发明提供一种基板处理装置，其能够充分改良聚焦环和载置台之间的热传导效率。该基板处理装置（１０）包括：收纳晶片Ｗ的腔室（１１）；配置在该腔室（１１）内的基座（１２）；配置在基座（１２）的上部并用于载置晶片Ｗ的静电卡盘（２２）；和以包围所...

本发明提供一种能在高压下控制处理室内的压力且高速排出处理室内气体的基板处理方法，基板处理系统（１０）包括：对晶片Ｗ实施化学反应处理的第二工艺模块（２８），其具有处理室（３３）和对该腔室（３３）内气体等进行排气且对腔室（３３）内压力进行控...

本发明提供一种能够减小内部腔室内的空间容量的基板处理装置。该基板处理装置（１０）包括：外部腔室（１３）、收容在该外部腔室（１３）内的空间（ＥＳ）中的内部腔室（１４）、和用于向该内部腔室（１４）内的空间（ＩＳ）中供给处理气体的处理气体供给...

提供了一种用于低介电常数（低ｋ）层中的特征刻蚀之后的衬底灰化的工艺。低ｋ层可包括超低ｋ材料或多孔低ｋ材料。该工艺可被配置为去除刻蚀副产物，同时保留特征的临界尺寸。灰化工艺包括使用含氮和含氢的化学物质以及包括氧元素的钝化化学物质，例如Ｏ↓...

本发明提供一种真空处理装置、真空处理方法以及存储介质。减轻输送臂的负荷、提高生产率，并以高对位精度向真空处理室输送晶圆。通过旋转台（５）在与第１输送臂（Ａ１）及第２输送臂（Ａ２）之间交接晶圆，对于真空处理前的晶圆（Ｗ），一边使上述旋转台...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法等，该方法当隔着在有机膜的上层形成的由含硅膜构成的掩模对有机膜进行等离子体蚀刻时，能够抑制在有机膜的侧壁部分发生弯曲、下陷情况，能够得到良好的蚀刻形状。将图形化的ＳｉＯＮ膜（１０３）作为掩模，进行有机膜（１...

本发明公开了一种防止基板的吸附不良以便提高基板处理设备的开工率的基板载置台。该基板载置台布置在基板处理设备中并具有在其上载置基板的基板载置表面。基板载置表面的算术平均粗糙度（Ｒａ）不小于第一预定值，并且基板载置表面的初期磨损高度（Ｒｐｋ...

本发明提供一种对于双舟体系统也能以简单结构防止因地震等外力导致舟体搬送机构上的舟体倒转的立式热处理装置和方法，立式热处理装置（１）包括：下部具有炉口（５ａ）的热处理炉（５）、封闭炉口的盖体（１７）、隔着保温筒（１９）载置在盖体上并多层保...

本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。该基板处理装置用部件的制造方法包括缺陷存在比降低步骤，使基板处理装置用部件的表面附近存在的空孔状缺陷的存在比降低，缺陷...

本发明提出一种衬底（Ｗ），它用处理液如去离子水进行处理。接着，从流体喷嘴（１２）向衬底（Ｗ）的上表面供给比处理液更易挥发的第一流体以形成液体膜。接下来，当晶片（Ｗ）被旋转时，从流体喷嘴（１２）向衬底（Ｗ）的上表面供给比处理液更易挥发的第...