本发明提供一种抑制绝缘层发生裂纹的静电吸附电极。在静电吸盘（４０ｂ）中，将由具有与基材（４１）的线膨胀系数之差的绝对值在１４×１０↑［－６］［／℃］以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成的第１绝缘层（４２ｂ）插入在基材（４１）和氧化铝喷涂膜的...

本发明的目的在于除去在基板表面露出的氧化膜等的被处理部而不发生所谓的倾斜问题。本发明提供一种除去基板（Ｗ）表面的硅氧化膜（１００），制造电容器电极（１０３）的电容器电极（１０３）的制造方法，该方法包含：使基板（Ｗ）达到第一处理温度，供给...

本发明涉及一种处理聚硅氮烷膜的方法，在将收纳表面配设有聚硅氮烷的涂布膜的被处理基板的反应容器的处理区域设定在包含氧、并且具有６．７ｋＰａ的第一压力的第一气氛的状态下，进行使上述处理区域从预热温度变化至规定温度的升温。接着，在将上述处理区...

本发明提供一种具有处理容器的成膜装置的使用方法，该处理容器具有以选自由石英和碳化硅构成的组中的材料为主成分的内面。根据该方法，在前述处理容器内进行在制品用的被处理基板上形成硅氮　化膜的成膜处理，接着，从前述处理容器卸载上述制品用的被处理...

本发明提供一种涂敷方法和涂敷装置，其在浮起搬送中不会使被处理基板的前端部和后端部产生波动而能够正确稳定地控制基板的浮起高度，使涂敷膜的膜厚品质提高。基板搬送部（８４）包括：平行地配置在利用气体压力的力在空中使基板Ｇ浮起的浮起式台（８０）...

一种控制装置，对基板处理装置进行控制，该基板处理装置包括对基板进行规定处理的多个处理室和搬送所述基板的搬送机构，其特征在于，包括：　　　　选择部，选择接下来应该搬送到的处理室，并且根据每批次所要求的微细加工的程度，针对每个批次选择使搬送...

本发明的涂敷、显影装置通过在涂敷膜形成用单位块上设置退避组件，减少接口臂设置数，削减制造成本并缩小装置占用面积。在ＣＯＴ层（Ｂ３）上设置能够使比涂敷组件（ＣＯＴ１～ＣＯＴ３）数多１个数量的晶片（Ｗ）退避的退避组件（ＢＦ３１～３４）。在Ｃ...

本发明涉及一种成膜和清洁方法，在成膜工序和清洁工序之间包括温度调整工序。在成膜工序中，将处理容器（１）内的第一部位（４）加热至第一温度（例如２００℃），同时，将处理容器（１）内的第二部位（侧壁）加热至比第一温度低的第二温度（例如９０℃）...

本发明提供一种能够利用搬送装置高精度地将基板搬送到处理腔室内的规定位置的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置包括：容纳基板载置台并对其基板载置台上的基板实施规定处理的处理腔室、检测处理腔室的温度的温度传感器、和相对处理腔室内的所...

本发明提供一种基板清洗装置，其不需要进行基板的反转，并且能够以不给基板的周边部造成损伤的方式对基板的背面进行清洗。基板保持装置（１）具备从背面支撑保持背面朝下状态的基板的２个基板保持单元（吸附垫（２）、旋转卡盘（３）），支撑的区域不重叠...

本发明提供一种基板载置台的制造方法，能够防止在流体通道内残留喷镀残渣，而且，能够防止发生喷镀残渣所导致的污染，以及能够防止发生流体通道的孔堵塞。该基板载置台的制造方法，在作为气体喷出孔（５１１）的内侧面和槽（５１２）的内侧面等的气体供给...

本发明涉及一种立式热处理装置，该装置包括：在下部具有炉口的热处理炉；封闭该炉口的盖体；在盖体上通过保温筒对载置的多枚基板（Ｗ）以多层的方式保持的基板保持具；通过设置在盖体上的保温筒使基板保持具旋转的旋转机构；和使盖体升降后将基板保持具搬...

本发明提供一种减压干燥装置，其能够高效安全且平稳地进行被处理基板的搬入搬出并防止转印痕迹附着在基板上的涂敷膜上。该减压干燥单元（ＶＤ）（４６）通过搬入侧滚轴搬送路（１０４）的滚轴搬送和台（１２２）上的浮起式辊搬送，将应接受减压干燥处理的...

一种金属类膜形成方法，其特征在于，包括：　　　　通过交替地反复供给所述金属类原料气体和氢化物气体，形成包含非晶质的第一金属类膜的第一金属类膜成膜步骤；　　　　在所述第一金属类膜上，通过同时供给所述金属类原料气体和还原性气体，形成第二金属...

本发明提供形成比现有技术中电阻率更小，在与基底的阻挡层的临界部分氟浓度更低，与阻挡层的密接性更高的钨膜的方法。具有向处理容器１４内的晶片Ｍ供给含硅气体的工序、在该工序之后，通过交替重复进行供给含钨气体的含钨气体供给步骤与供给不含硅的氢化...

本发明提供一种浮起搬送式的基板处理装置。从搬送方向（Ｘ方向）看，在台（８０）的左右两侧沿搬送方向分别以成一列的方式以一定间距配置有多个滚轮或侧面滚轮（１１０）。在台（８０）上，基板（Ｇ）利用从正下方（台上面）的喷出口（１００）获得的气体...

本发明是金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金...

本发明的目的是提供一种能够根据产品处理灵活地对基板处理装置进行控制的控制装置。第一存储部（２５５ａ）中存储四个处理方案（ＰＭ１～ＰＭ４），第二存储部（２５５ｂ）中存储与各处理方案对应的高温用、中温用、低温用预定方案。处理方案特定部（２６...

本发明涉及气体处理装置。成膜装置（１００）包括：收容晶片的腔室（１）；配置在腔室（１）内，载置晶片的载置台；设置在与载置台上相对的位置，向腔室（１）内喷出处理气体的喷头（４）；和对腔室（１）内进行排气的排气机构。喷头（４）包括：形成有大...

本发明提供一种基板处理装置，在被处理基板的洗净处理中，防止异物向洗净处理后的基板再附着，有效地进行洗净处理，同时实现提高生产量和低成本化。在使用洗净液进行被处理基板的洗净处理的基板处理装置中，具有：形成有以仰面朝上的姿势搬送被处理基板的...