成膜和清洁方法技术

本发明专利技术涉及一种成膜和清洁方法，在成膜工序和清洁工序之间包括温度调整工序。在成膜工序中，将处理容器（１）内的第一部位（４）加热至第一温度（例如２００℃），同时，将处理容器（１）内的第二部位（侧壁）加热至比第一温度低的第二温度（例如９０℃），并且将处理气体供给处理容器（１）内，在处理容器（１）内的基板（Ｗ）上进行成膜。在温度调整工序中，使第一部位（４）的温度降低并接近第二温度。在清洁工序中，将清洁气体供给处理容器（１）内，除去在第一部位和第二部位的表面附着的堆积物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在处理容器内，在基板上进行成膜处理后，除去处理 容器内的堆积物的。另外，本专利技术还涉及在这种方法 中使用的成膜装置和程序存储介质。
技术介绍
半导体器件一方面为成膜处理。这种成膜处理通常是通过在真空 气氛下，使处理气体成为等离子体或利用热分解活化处理气体，在基 板表面上堆积活性种或反应生成物而进行的。在这种成膜处理中，伴 随着在基板表面上形成薄膜，反应生成物堆积在设在处理容器内的内 部部件和处理容器的侧壁内面上。当这种堆积物的附着厚度超过某个 基准值时，将清洁气体供给处理容器内，进行清洁(参照日本特开平11-330063 (段落0019、段落0020))。利用图11，简单地说明进行这种处理的等离子体成膜装置。如图 ll所示，在真空处理容器10内配置载置基板D的载置台11，在载置 台11的上方设有气体供给部件12。气体供给部件12设在称为内壁13 的圆筒形部件上。气体供给部件12将喷淋状的气体供给基板D，成为 使气体从上方通向下方的结构。在气体供给部件12的上方设有透过窗 14和微波放射用的平面天线15。这种成膜装置适合于在基板D上形成 例如CF膜(氟添加碳膜)。当在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜和清洁方法，其特征在于，包括：一边将处理容器内的第一部位加热至第一温度，并将所述处理容器内的第二部位加热至比所述第一温度低的第二温度，一边将处理气体供给至所述处理容器内，在所述处理容器内的基板上进行成膜的成膜工序；在 所述成膜工序后，使所述第一部位的温度降低并接近所述第二温度的温度调整工序；和在所述温度调整工序后，将清洁气体供给至所述处理容器内，除去在所述第一部位和所述第二部位的表面附着的堆积物的清洁工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-6-15 175796/20051.一种成膜和清洁方法，其特征在于，包括一边将处理容器内的第一部位加热至第一温度，并将所述处理容器内的第二部位加热至比所述第一温度低的第二温度，一边将处理气体供给至所述处理容器内，在所述处理容器内的基板上进行成膜的成膜工序；在所述成膜工序后，使所述第一部位的温度降低并接近所述第二温度的温度调整工序；和在所述温度调整工序后，将清洁气体供给至所述处理容器内，除去在所述第一部位和所述第二部位的表面附着的堆积物的清洁工序。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一部位为设置在 所述处理容器内的内部部件，所述第二部位为所述处理容器的侧壁。3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述处理容器的侧壁形 成为圆筒状，所述内部部件为由所述处理容器的侧壁包围的圆筒状部 件。4. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述处理容器内设置 有支撑所述基板的载置台和位于该载置台与所述处理容器的上部之间 的气体供给部件，所述内部部件为从所述气体供给部件向下方延伸的圆筒状部件。5. —种成膜装置，其特征在于，包括 在内部具有第一部位和第二部位、收纳基板的处理容器； 将用于在所述基板上进行成膜的处理气体供给所述处理容器内的处理气体供给系统；将用于除去所述处理容器内的堆积物的清洁气体供给所述处理容器内的清洁气体供给系统；对所述处理容器内的第一部位进行加热的第一加热器； 对所述处理容器内的第二部位进行加热的第二加热器；和 对所述处理气体供给系统、所述清洁气体供给系统以及所述第一 和第二加热器进行控制的控制器，所述控制器进行控制，执行下述工序一边利用所述第一加热器将所述处理容器内的第一部位...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫谷光太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]