一种半导体处理用的成膜方法，用于在能够选择性供给第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体的处理区域内，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成氧化膜，所述第一处理气体包括含膜源元素且不含氨基的源气体，所述第二处理气体包括氧化气体，所述第三处理气体包...

一种用于利用等离子体增强原子层沉积（ＰＥＡＬＤ）工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进ＰＥＡＬＤ工艺的工艺室中、将第一处理材料引入工艺室内以及将第二处理材料引入工艺室内。该方法还包括在第二处理材料的引入期间将电磁功率耦合到...

一种用于利用等离子体增强原子层沉积（ＰＥＡＬＤ）工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进ＰＥＡＬＤ工艺的工艺室中。向工艺室中引入第一处理材料，并且向工艺室中引入第二处理材料。在第二处理材料的引入期间高于６００Ｗ的电磁功率被耦...

本发明提供在混合硫酸和双氧水时可以充分地生成对从基板上剥离抗蚀剂等有效的卡罗酸。首先用硫酸充满内槽（１０），同时从内槽（１０）溢出的硫酸也流入到外槽（１２）中。接着向内槽（１０）供给双氧水，使双氧水流入外槽（１２）内，在该外槽（１２）内...

一种基板处理方法，其特征在于，包括：　　　　在基板处理装置的处理室内，在将被处理基板载置在载置台上的状态下，进行第一预加热的工序；　　　　使所述载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基板支撑销上的状态下，进行第二预加热的工序；和...

一种半导体处理用的氧化装置，其特征在于，包括：　　　　具有以隔开间隔堆积的状态收纳多个被处理基板的处理区域的处理容器；　　　　对所述处理区域进行加热的加热器；　　　　对所述处理区域内进行排气的排气系统；　　　　向所述处理区域供给氧化性气...

一种用于处理衬底的方法和系统，包括：在处理室中提供衬底，所述衬底包括形成在其上的氧化物层；在耦合至所述处理室的远程等离子体源中激发含氢气体；在低于约９００℃的第一衬底温度下，将所述衬底暴露于受激含氢气体流，以将所述氧化物层从所述衬底去除...

本发明提供了一种在衬底上制备用于高介电常数电介质层的界面层的方法。将所述衬底的表面暴露于氧自由基以形成氧化物膜，所述氧自由基通过第一处理气体的紫外（ＵＶ）辐射诱导解离而形成，所述第一处理气体包含至少一种包含氧的分子组合物。将氧化物膜暴露...

本发明提供了一种在衬底上制备氧氮化物膜的方法。将所述衬底的表面暴露于氧自由基以在所述衬底上形成氧化物膜，所述氧自由基通过第一处理气体的紫外（ＵＶ）辐射诱导解离而形成，所述第一处理气体包含至少一种包含氧的分子组合物。将所述氧化物膜暴露于氮...

本发明涉及半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统，可预知地震的发生，防止晶舟倒塌，将损害抑制至最小限度。其中，地震损害扩散降低系统（２７）具有，接收基于经通信线路（２６）发送的初期微动的紧急地震信息的接收部（２８），或直接检测初期...

本发明提供一种可以将在低温领域中用于吸热处理的现有的冷却液直接用于高温领域的吸热处理中并扩大吸热温度范围的高低温处理系统。本发明的高低温处理系统（１０）具备：使冷却液（Ｃ）的沸点上升并且对沸点上升后的冷却液（Ｃ）加热使其在晶片卡盘（１３...

描述了一种图案化薄膜的方法。该方法包括在衬底上形成要图案化的薄膜，在薄膜上形成抗反射涂层（ＡＲＣ）层，并在ＡＲＣ层上形成掩模层。其后，对掩模层图案化以在其中形成图案，并且利用诸如刻蚀工艺之类的转移工艺将图案部分转移到ＡＲＣ层。一旦去除了...

本发明提供一种栅极绝缘膜的制造方法，该栅极绝缘膜的制造方法包括在等离子体处理装置的处理室内、使含氧等离子体作用于被处理体表面的硅以形成硅氧化膜的氧化处理工序，氧化处理工序中的处理温度大于６００℃小于等于１０００℃，含氧等离子体是通过将至...

本发明提供一种成膜装置，其特征在于，包括：在内部保持被处理基板的处理容器；第一气体供给单元，向所述处理容器内供给由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料；和第二气体供给单元，向所述处理容器内供给由烷氧基硅原料构成的第二气相原料...

本发明涉及蚀刻方法以及半导体器件的制造方法，该蚀刻方法不仅能增大多晶硅膜对于氧化硅膜的选择比，而且能抑制硅基材中的凹处的产生。将晶片（Ｗ）搬入具备径向线缝隙天线（１９）的基板处理装置（１０）的处理容器（１１）内，在晶片（Ｗ）中，将通过开...

一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器包括具有第一温度的温度受控支撑基座、与温度受控支撑基座相对并且被配置为支撑衬底的衬底支撑、以及耦合到衬底支撑并且被配置为将衬底支撑加热到高于第一温度的第二温度的一个或多个加热元件。抗蚀性绝热体被置...

本发明提供了一种基板处理装置用的部件的保护膜形成方法，其能够防止因保护膜的缺失而引起的颗粒的产生。首先，将表面裸露有铝基材（５６）的散热板（３６）连接于直流电源的阳极，浸渍于草酸溶液中，氧化散热板（３６）的表面（步骤Ｓ６１），接着，将表...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，在能够选择地供给包括硅源气体的第一处理气体和包括氧化气体的第二处理气体的处理区域内，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成氧化膜。因此，多次重复下述循环，所述循环交替包括第一工序和第二工序。第一工序，供给第一处理...

本发明公开了一种氧化硅膜的形成方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理室内，使用含有１％以上的氧的处理气体，在１３３．３Ｐａ以下的处理压力下形成等离子体，由所述等离子体，使在形成于被处理体的硅层上的凹部中露出的硅表面氧化，形成氧化硅膜。

本发明涉及一种基板的氮化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，将含氮等离子体作用于基板表面的硅，从而进行氮化处理，使作为等离子体生成区域的等离子体电位（Ｖ↓［ｐ］）与上述基板的悬浮电位（Ｖ↓［ｆ］）的电位差（Ｖ↓［ｐ］－Ｖ↓［ｆ］）的...