具有抗蚀性绝热层的温度受控衬底夹持器制造技术

一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器包括具有第一温度的温度受控支撑基座、与温度受控支撑基座相对并且被配置为支撑衬底的衬底支撑、以及耦合到衬底支撑并且被配置为将衬底支撑加热到高于第一温度的第二温度的一个或多个加热元件。抗蚀性绝热体被置于温度受控支撑基座和衬底支撑之间，其中抗蚀性绝热体包括被配置为抗含卤素气体腐蚀的材料组分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于衬底的温度控制的系统，更具体而言涉及用于衬底的 温度控制的衬底夹持器。
技术介绍
在半导体制造和处理中已知的是，各种工艺(例如包括刻蚀和沉积工 艺)明显依赖于衬底的温度。由此，控制衬底温度并且可控地调节衬底温 度的能力就变成半导体处理系统的基本要求。衬底的温度由许多工艺确 定，包括但不限于衬底与等离子体的相互作用、化学工艺等，以及与周围 环境的辐射性和/或传导性热交换。向衬底夹持器的上表面提供适当的温度 可用于控制衬底的温度。
技术实现思路
本专利技术涉及用于控制衬底温度的系统。根据本专利技术的一个方面， 一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持 器包括具有第一温度的温度受控支撑基座、与温度受控支撑基座相对并且 被配置为支撑衬底的衬底支撑、以及耦合到衬底支撑并且被配置为将衬底 支撑加热到高于第一温度的第二温度的一个或多个加热元件。抗蚀性绝热 体被置于温度受控支撑基座和衬底支撑之间，其中抗蚀性绝热体包括被配 置为抗含齒素气体腐蚀的材料组分。本专利技术的另一方面涉及一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持 器，包括具有第一温度的温度受控支撑基座、与温度受控支撑基座相对并 且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器，包括：　　　　具有第一温度的温度受控支撑基座；　　　　与所述温度受控支撑基座相对并且被配置为支撑所述衬底的衬底支撑；　　　　耦合到所述衬底支撑并且被配置为将所述衬底支撑加热到高于所述第一温度的第二温度的一个或多个加热元件；以及　　　　置于所述温度受控支撑基座和所述衬底支撑之间的抗蚀性绝热体，其中所述抗蚀性绝热体包括被配置为抗含卤素气体腐蚀的材料组分。

【技术特征摘要】
US 2006-9-25 11/525,8181.一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器，包括具有第一温度的温度受控支撑基座；与所述温度受控支撑基座相对并且被配置为支撑所述衬底的衬底支撑；耦合到所述衬底支撑并且被配置为将所述衬底支撑加热到高于所述第一温度的第二温度的一个或多个加热元件；以及置于所述温度受控支撑基座和所述衬底支撑之间的抗蚀性绝热体，其中所述抗蚀性绝热体包括被配置为抗含卤素气体腐蚀的材料组分。2. 如权利要求1所述的衬底夹持器，其中所述绝热体包括由聚合物、 塑料或陶瓷制成的胶粘剂。3. 如权利要求1所述的衬底夹持器，其中所述绝热体的所述材料组分 包括丙烯酰基材料。4. 如权利要求1所述的衬底夹持器，其中所述绝热体包括丙烯酸材料 或丙烯酸脂材料。5. 如权利要求1所述的衬底夹持器，其中所述抗蚀性绝热体被配置为 耐具有SF6的清洁化学物质或具有SF6和02的清洁化学物质或以上两者。6. 如权利要求1所述的衬底夹持器，其中所述绝热体包括贯穿处于所 述温度受控支撑基座和所述衬底支撑之间的所述绝热体的传热系数(W/m2-K)的非均匀空间变化。7. 如权利要求6所述的衬底夹持器，其中所述传热系数在所述绝热体 的基本中心区域和所述绝热体的基本边缘区域之间在径向方向上变化。8. 如权利要求6所述的衬底夹持器，其中所述绝热体包括所述绝热体 的热导率(W/m-K)的非均匀空间变化。9. 如权利要求8所述的衬底夹持器，其中所述热导率在所述绝热体的 基本中心区域和所述绝热体的基本边缘区域之间在径向方向上变化。10. 如权利要求9所述的衬底夹持器，其中所述热导率在第一值和第 二值之间变化，所述第一值在约0.2W/m-K和约0.8W/m-K之间，所述第 二值在约0.2W/m-K和约0.8W/m-K之间。11. 如权利要求9所述的衬底夹持器，其中所述热导率在所述绝热体 的基本中心区域约为0.2W/m-K，在所述绝热体的基本边缘区域约为 0.8W/m-K。12. 如权利要求9所述的衬底夹持器，其中所述热导率的所述变化基 本发生在所述绝热体的大约半径中间区域和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚本雄二，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]