通过部分刻蚀图案化抗反射涂层层的方法技术

描述了一种图案化薄膜的方法。该方法包括在衬底上形成要图案化的薄膜，在薄膜上形成抗反射涂层（ＡＲＣ）层，并在ＡＲＣ层上形成掩模层。其后，对掩模层图案化以在其中形成图案，并且利用诸如刻蚀工艺之类的转移工艺将图案部分转移到ＡＲＣ层。一旦去除了掩模层，就利用刻蚀工艺将图案完全转移到ＡＲＣ层，并且利用另一刻蚀工艺将ＡＲＣ层中的图案转移到下层的薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于图案化衬底上的薄膜的方法，更具体而言涉及利用部 分刻蚀的抗反射涂层(ARC)层来图案化衬底上的薄膜的方法。
技术介绍
在材料处理方法中，图案刻蚀包括向衬底的上表面施加一薄层的诸如 光刻胶之类的光敏性材料，随后对光敏性材料的薄层进行图案化以提供用 于在刻蚀期间将该图案转移到衬底上的下层薄膜的掩模。光敏性材料的图 案化一般涉及利用例如光刻系统通过光敏性材料的光罩(和关联的光学元 件)由辐射源进行曝光，接着利用显影溶剂去除光敏性材料的辐射区域 (在正性光刻胶的情况下)或非辐射区域(在负性光刻胶的情况下)。而 且，该掩模层可包括多个子层。一旦图案被转移到下层的薄膜，就有必要在不损伤下层薄膜的材料性 能的情况下去除掩模层。例如，薄膜可包括可用在用于电子器件的生产线末端(BEOL)金属化方案中的低介电常数(低k或超低k)电介质膜。这 种材料可包括非多孔低k电介质以及多孔低k电介质，并且当暴露于用于 去除掩模层和其子层所必需的化学物质时易受到损伤，例如，介电常数的 下降、水吸附、残留物形成等等。因此，建立这样的图案转移方案是很重要的这种图案转移方案减少了在形成这种图案并且去除所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案化衬底上的薄膜的方法，包括：在所述衬底上准备膜叠层，所述膜叠层包括形成在所述衬底上的所述薄膜、形成在所述薄膜上的抗反射涂层层以及形成在所述抗反射涂层层上的掩模层；在所述掩模层中形成图案；通过将所述图案转移到小 于所述抗反射涂层层的厚度的某一深度，来将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层；在将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层之后去除所述掩模层的剩余部分；通过刻蚀所述抗反射涂层层完成所述图案到所述抗反射涂层层的转移；以及将所述 图案转移到所述薄膜，同时基本消耗光所述抗反射涂层层。

【技术特征摘要】
US 2006-9-22 11/534,4201.一种图案化衬底上的薄膜的方法，包括在所述衬底上准备膜叠层，所述膜叠层包括形成在所述衬底上的所述薄膜、形成在所述薄膜上的抗反射涂层层以及形成在所述抗反射涂层层上的掩模层；在所述掩模层中形成图案；通过将所述图案转移到小于所述抗反射涂层层的厚度的某一深度，来将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层；在将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层之后去除所述掩模层的剩余部分；通过刻蚀所述抗反射涂层层完成所述图案到所述抗反射涂层层的转移；以及将所述图案转移到所述薄膜，同时基本消耗光所述抗反射涂层层。2. 如权利要求1所述的方法，其中所述在所述掩模层中形成图案的步 骤包括在光刻胶层中形成图案。3. 如权利要求2所述的方法，其中所述在所述掩模层中形成图案的步 骤包括利用光刻系统采用图像图案对所述光刻胶层成像；以及 对所述光刻胶层显影以在所述光刻胶层中形成所述图像图案。4. 如权利要求1所述的方法，其中所述将所述图案部分转移到所述抗 反射涂层层的步骤包括执行干法刻蚀、或湿法刻蚀或其组合中的至少一 种。5. 如权利要求4所述的方法，其中所述将所述图案部分转移到所述抗 反射涂层层的步骤包括执行干法等离子体刻蚀、干法非等离子体刻蚀或其 组合。6. 如权利要求4所述的方法，其中所述将所述图案部分转移到所述抗 反射涂层层的步骤包括执行各向异性干法刻蚀工艺、反应性离子刻蚀工 艺、激光辅助刻蚀工艺、离子研磨工艺或印刷工艺或其中两者或更多者的 组合。7. 如权利要求1所述的方法，其中所述完成所述图案到所述抗反射涂 层层的转移的步骤包括执行湿法刻蚀工艺、或干法刻蚀工艺或其组合。8. 如权利要求1所述的方法，其中所述形成所述掩模层的步骤包括在所述抗反射涂层层上形成248nm光刻胶、193nm光刻胶、157...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑德拉海岚德，香农迪恩，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]