成膜装置和成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种成膜装置，其特征在于，包括：在内部保持被处理基板的处理容器；第一气体供给单元，向所述处理容器内供给由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料；和第二气体供给单元，向所述处理容器内供给由烷氧基硅原料构成的第二气相原料，所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元与使所述第一气相原料和所述第二气相原料预备反应的预备反应单元连接，将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造半导体装置的成膜装置，特别是涉及制造具有高 电介质膜的超微细化高速半导体装置的成膜装置。在现阶段的超高速半导体装置中，随着微细化工艺的进步，使得实现0.1pm以下的栅极长度变得可能。 一般半导体装置的动作速度与 微细化同歩提高，但是，在这种极其微细化的半导体装置中，随着由 微细化引起的栅极长度的縮短，按照比例(scaling)规律减少栅极绝缘 膜的膜厚则变得有必要。
技术介绍
但是，若栅极长度在O.lpm以下，则在使用现有的热氧化膜吋， 栅极绝缘膜的厚度也需要设定在1 2nm或其以下，但是在这种非常薄 的栅极绝缘膜屮，隧道电流增大，其结果产生不能避免栅极漏电流增 大的问题。对于这种情况而言，在现冇技术中，已经提出有将相对介电常数 比热氧化股大很多的Ta205、 A1203、 Zr02、 Hf02、乃至ZrSi04或HfSi04 那样的高电介质材料(所谓的high-K材料)应用于栅极绝缘膜的方案。 通过使用这种高电介质材料，能够较小地保持EOT (Si02电容量换算 膜厚)不变，增大物理膜厚。因此，当栅极长度在0.1pm以下时，即 便在非常短的超高速半导体装置中也能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其特征在于，包括：在内部保持被处理基板的处理容器；第一气体供给单元，向所述处理容器内供给由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料；和第二气体供给单元，向所述处理容器内供给由烷氧基硅原料构成的第 二气相原料，其中，所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元与使所述第一气相原料和所述第二气相原料预备反应的预备反应单元连接，将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-4-4 107667/20051.一种成膜装置，其特征在于，包括在内部保持被处理基板的处理容器；第一气体供给单元，向所述处理容器内供给由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料；和第二气体供给单元，向所述处理容器内供给由烷氧基硅原料构成的第二气相原料，其中，所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元与使所述第一气相原料和所述第二气相原料预备反应的预备反应单元连接，将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内。2. 根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于 所述预备反应单元设置有对所述第一气相原料和所述第二气相原料进行加热的加热单元。3. 根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于 所述加热单元以使从所述预备反应单元的导入所述第一气相原料和所述第二气相原料的第一侧向着排出所述第一气相原料和所述第二 气相原料的第二侧具有温度梯度的方式，对所述第一气相原料和所述 第二气相原料进行加热。4. 根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于 该成膜装置具有压力调整单元，用于调整通过所述预备反应单元进行预备反应的所述第一气相原料和所述第二气相原料的压力。5. 根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于 所述压力调整单元为流导调整单元，其被设置在将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内的供给 路径上。6. 根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于 所述预备反应单元具有在内部混合所述第一气相原料和所述第二气相原料的螺旋线状的配管。7. 根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于.-所述预备反应单元具有在内部的反应空间中混合所述第一气相原料和所述第二气相原料的反应容器。8. 根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于 所述反应空间与所述处理容器的内部空间分开构成。9. 根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于 在所述反应容器的内壁面上形成有向该内壁面附近供给惰性气体的多个气体供给孔。10. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于 所述第一气相原料山四叔丁氧铪构成，所述第二气相原料由原硅酸四乙酯构成。11. 根据权利要求IO所述的成膜装置，其特征在于，包括 加热单元，其被设置在所述预备反应单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥毅，青山真太郎，品田敬宏，川上雅人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]